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    半导体器件
    91.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN108931859A

    公开(公告)日：2018-12-04

    申请号：CN201810124748.0

    申请日：2018-02-07

    申请人： 瑞萨电子株式会社

    发明人： 绵贯真一 ,  中柴康隆 ,  若林胜

    IPC分类号： G02F1/025

    CPC分类号： G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F1/025

    摘要： 本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向 一致。

    带FPC的光调制器及使用该光调制器的光发送装置
    94.
    发明公开
    带FPC的光调制器及使用该光调制器的光发送装置 有权

    公开(公告)号：CN108254836A

    公开(公告)日：2018-07-06

    申请号：CN201711225323.0

    申请日：2017-11-29

    申请人： 住友大阪水泥股份有限公司

    发明人： 加藤圭 ,  菅又彻

    IPC分类号： G02B6/42 ,  G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/225

    CPC分类号： G02F1/0305 ,  G02F1/035 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  G02F2202/20 ,  G02B6/4201 ,  G02F1/0316

    摘要： 本发明提供一种带FPC的光调制器及使用该光调制器的光发送装置，在具备对高频信号输入用的引脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器中，防止由该中继基板上的导体图案与引脚的连接部的阻抗不匹配而引起的光调制特性的劣化。该光调制器包括：光调制元件(102)，具备容纳在壳体(114a等)中的信号电极(112a等)；引脚(116a等)，用于输入高频信号；中继基板(118)，形成有导体图案，该导体图案将所述引脚与所述信号电极电连接；以及导电性的延伸部(220等)，沿所述引脚的长度方向在至少包括所述引脚与所述导体图案的连接部分(204a等)的位置在内的范围中延伸，该延伸部与所述壳体电连接。

    可插拔光学模块校准
    95.
    发明公开
    可插拔光学模块校准 有权

    公开(公告)号：CN107810611A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：CN201680034766.9

    申请日：2016-06-10

    申请人： 奥兰若技术有限公司

    发明人： R·格瑞芬

    IPC分类号： H04B10/50 ,  H04B10/588 ,  G02F1/225

    CPC分类号： H04B10/50572 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  H04B10/07955 ,  H04B10/5057 ,  H04B10/50575 ,  H04B10/564 ,  H04B10/588 ,  H04B2210/254

    摘要： 一种光通信装置，包括主机(100)和包括Mach‑Zehnder调制器(202)MZM的光学模块(200)，其中所述光学模块经由连接路径可移除地连接到所述主机，所述光通信装置包括：在所述主机处的信号发生器(101)，被配置成生成处于多个频率的多个校准信号；主机接口(102)，被配置成经由所述连接路径将所述校准信号传送到所述光学模块；模块接口(201)，被配置成接收传送的校准信号；其中所述MZM被配置成使用所述校准信号调制激光光源(206)并被偏置到平均输出功率与所输出的调制信号成比例的点；光检测器，被配置成当每一个校准信号用于调制所述激光光源时测量所述MZM的输出的平均幅度；主机校准单元(103)和模块校准单元(203)中的一者，被配置成基于所测量的平均幅度和对应校准信号的幅度确定所述连接路径的幅度响应，以及还被配置成基于所述幅度响应确定预加重特性，所述预加重特性应用于使用所述光发射器传送的信号。

    半导体光调制元件
    96.
    发明公开
    半导体光调制元件 有权

    公开(公告)号：CN107615140A

    公开(公告)日：2018-01-19

    申请号：CN201680031603.5

    申请日：2016-06-01

    申请人： 日本电信电话株式会社

    发明人： 小木曾义弘 ,  尾崎常祐 ,  柏尾典秀 ,  菊池顺裕 ,  神德正树

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/225

    CPC分类号： G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  G02F2202/102 ,  G02F2202/107

    摘要： 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫-策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫-策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。

    电光调制器
    97.
    发明公开
    电光调制器 有权

    公开(公告)号：CN107430297A

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：CN201680019527.6

    申请日：2016-03-30

    申请人： ETH苏黎世公司

    发明人： P·马 ,  J·路佛德

    IPC分类号： G02F1/05 ,  G02F1/035 ,  G02F1/225

    CPC分类号： G02F1/035 ,  G02F1/0027 ,  G02F1/0508 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/213 ,  G02F2203/10

    摘要： 电光元件包括第一波导，其是等离子体波导，包括：第一芯，包括铁电材料；以及包层，包括第一包层部分，第一包层部分在与铁电材料的第一界面处包括第一包层材料，第一包层材料的介电常数具有负实部；元件包括第一和第二电极，用于当将电压施加在第一和第二电极之间时在铁电材料中产生电场，用于调制铁电材料的折射率的至少实部。元件另外包括结晶衬底，铁电材料在结晶衬底上外延生长，在衬底和铁电材料之间具有零个或一个或多个中间层。元件可以包括第二波导，第二波导是位于第一波导附近的包括第二芯的光子波导，用于实现第一和第二波导之间的短暂耦合。