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公开(公告)号：CN101796656B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880021681.2
申请日：2008-04-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯特凡·伊莱克 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 亚历山大·海因德尔 , 帕特里克·罗德 , 迪特尔·艾斯勒
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种光电子器件，其带有：半导体本体(2)，其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导体层序列；设置在半导体本体上的反射器层(72)；以及两个电接触部(7，8)，其中两个接触部的第一接触部(7)在有源区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接，两个接触部的第二接触部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，并且反射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。
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公开(公告)号：CN102569572A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110219433.2
申请日：2011-07-28
申请人： 隆达电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46
摘要： 一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN102569560A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210015217.0
申请日：2006-07-25
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 崔镇植
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/642
摘要： 一种半导体发光器件，其包括：具有不均匀图案的底表面的第一半导体层、在第一半导体层上形成的有源层、在所述有源层上形成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的第二电极和在所述第一半导体层下形成的第一电极。
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公开(公告)号：CN101601135B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880002764.7
申请日：2008-01-22
申请人： 科锐公司
发明人： 杰拉尔德·H.·尼格利 , 安东尼·保罗·范德温
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L21/2654 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0803 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种发光体，包括由共用基底和互连载体机械连接的发光器件。所述发光器件由互连载体电互连以提供至少两个发光器件子组串联的阵列，每个子组包括至少三个并联电连接的发光器件。本发明还提供了发光体，所述发光体包括由第一共用基底机械连接的第一发光器件，和由第二共用基底机械连接的第二发光器件，所述第一发光器件机械和电连接到所述第二发光器件。本发明还提供了一种发光体，包括机械互连的发光器件和用于机械和电连接多个发光器件以提供发光器件子组的串联阵列的元件，每个子组包括至少三个并联电连接的发光器件。本发明还提供了制造所述发光体的方法。
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公开(公告)号：CN102479916A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110329516.7
申请日：2011-10-26
申请人： 金龙国际公司
发明人： 杨文焜
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/641
摘要： 本发明提供发光二极管芯片结构。本发光二极管芯片结构包含基板及N型层，上述N型层设置于上述基板之上；P型层，设置于上述N型层之上；N型接触垫及P型接触垫，设置于上述基板之下；导电通孔，设置贯穿上述基板，用以分别将上述N型层电性连接至上述N型接触垫且将上述P型层电性连接至上述P型接触垫；以及散热垫，设置于上述基板之下，用以向下传导上述N型层及上述P型层所产生的热量。
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公开(公告)号：CN101859849B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910166816.0
申请日：2009-08-31
申请人： 亿光电子工业股份有限公司
发明人： 许晋源
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构。其中半导体可包括一具有一第一表面的透光层；半导体可还包括一形成于透光层的第一表面上的第一掺杂层；第一掺杂层可具有多个形成于其上的第一型金属电极；半导体可还包括一形成于透光层的第一表面上的第二掺杂层；第二掺杂层可具有多个形成于其上的第二型金属电极；半导体还包括一形成于透光层的第一表面上且配置于第一掺杂层与第二掺杂层之间的主动层；第一型金属电极与第二型金属电极可以是交替排列，且每一第一型金属电极与其相邻的第二型金属电极之间的距离可实质上相等。
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公开(公告)号：CN102447031A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110173945.X
申请日：2011-06-23
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种发光器件以及其发光器件封装。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；被布置在发光结构下面的第二电极层；第一电极层，其至少一部分延伸通过第二导电类型半导体层和有源层以接触第一导电类型半导体层；以及绝缘层，其布置在第二电极层和第一电极层之间、在第二导电类型半导体层和第一电极层之间、以及在有源层和第一电极层之间，其中接触第一导电类型半导体层的第一电极层的至少一部分具有粗糙。
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公开(公告)号：CN102388471A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080016160.5
申请日：2010-02-08
申请人： 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62
摘要： 提供了如下的半导体发光二极管及其制造方法，即：通过将作为光提取侧的电极部的上电极部和与该上电极部成对的中间电极部设置成具有适当的位置关系，在维持相对低的正向电压的同时提高了光输出功率。特别地，该半导体发光二极管(1)包括：支承基板(2)；顺次配置在支承基板的上表面侧的包括中间电极部(3a)的中间层(3)、第二导电半导体层(4)、活性层(5)、第一导电半导体层(6)和上电极部(7)；以及设置在支承基板的下表面侧的下电极层(8)。其中，中间层(3)具有呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部(3a)。在将上电极部(7)和中间电极部(3a)投影到与支承基板(2)的上表面平行的假想平面上时，这些电极部(7、3a)的位置关系为：上电极部(7)和中间电极部(3a)彼此错开，上电极部(7)和中间电极部(3a)中的至少一个的轮廓线按预定的波浪幅度延伸，且上电极部(7)和与上电极部(7)相对的中间电极部(3a)的轮廓线之间的距离(d)局部减小。
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公开(公告)号：CN102386319A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110253632.5
申请日：2011-08-30
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0012 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含：一半导体叠层，具有一第一面以及一与第一面相对的第二面；一沟槽形成于半导体叠层之中，具有一开口接近第二面、一底部、与一内侧壁连接开口与底部，其中开口的面积大于底部的面积。发光元件还包含一介电层形成于沟槽的内侧壁与第二面上；及一第一金属层形成于介电层上。
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公开(公告)号：CN102386295A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110251962.0
申请日：2011-08-24
申请人： 丰田合成株式会社
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。
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