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公开(公告)号：CN107868979B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710772913.9
申请日：2017-08-31
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明的目的是提供一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，首先依据常规硅单晶控制结构中热场温度和晶体直径数据，辨识热场温度‑晶体直径过程的非线性大滞后预测模型，其中预测模型中的时滞参数，输入输出阶次及模型参数分别通过输出相关性时滞确定算法、利普希茨商及训练栈式稀疏自动编码器获得，然后将栈式稀疏自动编码器作为预测模型引入到非线性广义预测控制算法中，通过预测控制算法中的预测模型，反馈校正，滚动优化等策略实现晶体直径控制，解决了现有硅单晶直径控制过程因晶体提拉速度的剧烈波动而出现的控制效果变差，甚至导致控制失效的问题。
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公开(公告)号：CN109972201A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910274689.X
申请日：2019-04-07
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶体制造技术，旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括：在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程，达到稳定状态；将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度，按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢，直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化；在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径，具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制，使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确；可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后；不会对晶体直径造成较大扰动，不易造成晶体直径大幅度波动。
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公开(公告)号：CN109891333A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066719.7
申请日：2017-10-27
申请人： 瑞泽耐思株式会社
摘要： 提供一种机械控制装置(6)，该机械控制装置(6)构成为具有：计测部(10)，其进行与机械装置(1)所处理的控制对象物的状态相关的计测；判定部(21)，其将所述计测部的计测结果与规定的约束条件进行对比而求出约束判定值；控制部(22，23)，其根据由所述判定部(21)求出的约束判定值，按照对所述控制判定值和所述动作控制所设定的关系进行针对所述机械装置(1)的动作控制；以及学习部(24)，其在所述约束判定值通过所述控制部(22，23)所进行的动作控制而产生变动的情况下，对所述控制判定值与所述动作控制之间的关系进行重新设定。
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公开(公告)号：CN108660507A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810109552.4
申请日：2018-02-05
申请人： 锦州神工半导体有限公司
IPC分类号： C30B15/22
摘要： 一种直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法，其特殊之处是步骤1：将硅晶体原料加入到坩埚中融化，形成稳定流动的熔体；步骤2：进行引细径操作，直径为4-5mm，长度在200-300mm；步骤3：进行放大，到达目标直径时，进行等径操作，至晶体重量达到设定目标值时即坩埚内残留重量为总投料量的4％-40％；步骤4：进行收尾操作，通入氩气，控制压力为1-10KPa，设置：0.5rpm＜晶转≤10rpm，埚转设置为0-15rpm，对晶体的生长速度和坩埚上升速度进行相应控制；步骤5：收尾结束，晶体脱离液体后，进入冷却环节，直至取出单晶。有益效果是：快速简洁，利用硅棒在溶液内驻留一段时间，让内部进行生长，实现快速收尾，可以使拉晶成功率达到90％以上，大大缩短生产时间，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108441941A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810149828.1
申请日：2018-02-13
申请人： 中山大学
摘要： 本发明涉及一种熔体本征对流波动的原位探测方法，通过实时采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电信号，对所述界面相电信号进行傅里叶变换处理，提取其中的长周期信号作为熔体本征对流波动信号，根据所述熔体本征对流波动信号的波动规律获得熔体本征对流数据，以反馈晶体生长界面的对流状态。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制方法，根据本发明反馈的对流状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面的对流波动。本发明还涉及一种熔体本征对流波动的控制系统，包括电信号采集系统、电信号处理系统和对流调控系统。通过本发明可实时、精确的反馈晶体生长界面的熔体对流波动情况，并实现闭环控制。
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公开(公告)号：CN107868979A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710772913.9
申请日：2017-08-31
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明的目的是提供一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，首先依据常规硅单晶控制结构中热场温度和晶体直径数据，辨识热场温度-晶体直径过程的非线性大滞后预测模型，其中预测模型中的时滞参数，输入输出阶次及模型参数分别通过输出相关性时滞确定算法、利普希茨商及训练栈式稀疏自动编码器获得，然后将栈式稀疏自动编码器作为预测模型引入到非线性广义预测控制算法中，通过预测控制算法中的预测模型，反馈校正，滚动优化等策略实现晶体直径控制，解决了现有硅单晶直径控制过程因晶体提拉速度的剧烈波动而出现的控制效果变差，甚至导致控制失效的问题。
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公开(公告)号：CN104854266B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380064654.4
申请日：2013-11-11
申请人： 信越半导体株式会社
摘要： 本发明涉及一种单晶硅的制造方法，其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触，在形成锥部后，接着形成直体部，从而使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位为(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法，其特征在于，在所述锥部的形成过程中，调整θ的同时形成所述锥部，使在从所述单晶硅的直径方向观察时将所述单晶硅的成长方向与所述锥部的侧面所构成的锥角设为θ，将所述锥部的侧面的长度设为L时，θ为25°以上45°以下的区域的长度总和相对于该长度L为20％以下。由此，不降低成品率和生产率而能够切实地抑制有错位化。
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公开(公告)号：CN105463569A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510876516.7
申请日：2015-12-03
申请人： 河南西格马晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种片状蓝宝石单晶体生长界面温度测量及控制方法，该方法采用扁平状结构坩埚，坩埚的两侧对称设置多个电阻式发热体，电阻式发热体在坩埚周围形成多个不同温区的温场，每个温区独立加热，独立设置热电偶进行测温，并独立在控制面板上显示温度；在低温结晶区和高温熔融区之间通过设置钼制或钨制分隔板隔开，可移动的坩埚穿过分隔板并处于低温结晶区和高温熔融区之中，并使结晶区和氧化铝熔融区分别处于分隔板的两侧，本发明通过精确控制晶体生长界面温度，可以提高制备大尺寸片状蓝宝石单晶体的生长速度和成品率，从而降低蓝宝石单晶体的生产成本。
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公开(公告)号：CN105408529A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041859.5
申请日：2014-08-06
申请人： LG矽得荣株式会社
摘要： 根据本文实施方式的铸锭生长装置包括：容纳硅熔融液的石英坩埚；容纳石英坩埚的石墨坩埚；支撑石墨坩埚的下部的坩埚支架；和将热量供给到石墨坩埚的加热器单元，其中，石墨坩埚包括与石英坩埚接触的内部主体和以与内部主体隔开预定距离进行布置的外部主体，并且在内部主体和外部主体之间形成惰性气体层，惰性气体被注入到该惰性气体层中。上述发明的优点在于，在熔化多晶硅期间坩埚内部是隔热的，从而降低加热器功率；并且防止坩埚内壁的特定部分的集中降解的现象，从而避免由于降解而造成的损坏并且延长寿命。
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