公开(公告)号：CN101660200B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910304181.6

申请日：2009-07-09

申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司

发明人： 郑智雄 ,  马殿军 ,  张伟娜 ,  南毅 ,  王致绪 ,  徐诗双 ,  洪朝海 ,  程香

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B27/00 ,  C30B29/06 ,  C01B33/021

摘要： 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。

公开(公告)号：CN102181932A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110052016.3

申请日：2011-03-04

申请人： 中国农业科学院农业环境与可持续发展研究所

发明人： 王琰 ,  崔海信 ,  姜建芳 ,  孙长娇

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B27/00 ,  C09K11/88

摘要： 本发明涉及一种ZnxCd1-xTe荧光纳米棒，所述纳米棒是在TEM下呈现棒状，其长度为20～300nm，直径为10～80nm，其中0＜x＜1；该纳米棒主要用于生物学、医学及光电子器件领域；如在荧光分析法中作为荧光探针使用，其光学特性明显优于常用的有机染料。本发明还提供一种ZnxCd1-xTe荧光纳米棒的水相合成方法，即通过在含Zn和Cd两种无机盐的水溶液中引入双稳定剂巯基乙酸和L-半胱氨酸，并通过调控反应的相关参数，首次在水相中合成出了棒状合金型ZnxCd1-xTe荧光纳米晶。

公开(公告)号：CN85100856A

公开(公告)日：1986-07-02

申请号：CN85100856

申请日：1985-04-01

申请人： 北京钢铁学院

发明人： 陈燕生 ,  马纪东 ,  刘桂荣

IPC分类号： C30B27/00 ,  C30B33/00

摘要： 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。

公开(公告)号：CN114302983B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202080060617.6

申请日：2020-08-28

申请人： 株式会社钢臂功科研

发明人： 古贺健治 ,  高木敏晃 ,  工藤史晃 ,  草道龙彦

IPC分类号： H01J1/146 ,  C30B29/52 ,  C22C28/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  C30B27/00

摘要： 本发明的电子束发生用阴极构件，包含铱和铈的化合物的单相或二相占95面积％以上，金属铱、和铱与铈之中的1个以上元素的氧化物之中的1个以上的副成分的含量合计为5面积％以下。

公开(公告)号：CN118756314A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411238287.1

申请日：2024-09-05

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 ,  青岛立昂晶电半导体科技有限公司

发明人： 肖燕青 ,  肖迪 ,  纪双涛 ,  李亚平 ,  姜健

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40 ,  C30B27/00 ,  G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G16C20/10

摘要： 本申请涉及反应炉控制技术领域，尤其涉及基于反应炉的气流扰动优化控制方法及系统，该方法的步骤包括：获取反应炉内的温度数据和反应炉容积数据，获取反应炉中石英反应管内的真空度数据，获取反应炉内的惰性气体控制参数；通过温度数据计算反应炉内的温度均匀系数；通过真空度数据计算石英反应管内的真空度波动系数；通过温度均匀系数和真空度波动系数计算反应炉内的气流扰动指数，并通过气流扰动指数结合反应炉容积数据调节惰性气体控制参数。本申请通过对反应炉内的气流扰动程度进行量化并针对性地调节惰性气体控制参数，提升了磷化铟材料的制备质量和效率。

公开(公告)号：CN118727145A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411075153.2

申请日：2024-08-07

申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司

发明人： 肖燕青 ,  肖迪 ,  吕可慧 ,  王鑫 ,  姜健 ,  郑东

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B27/02 ,  C30B27/00

摘要： 本发明涉及镓晶体制备技术领域，特别涉及氧化镓高温防分解的生长环境调节装置，包括：分区模块，将氧化镓生长环境进行温区划分，即将用于容纳氧化镓原料坩埚设为第一温区，将容纳氧化镓原料坩埚的上方空间，即氧化镓生长空间划分为第二温区；模型训练模块，将采集的升温特征数据输入到训练好的第一机器学习模型，基于第一机器学习模型生成预测第二温区的温度上升集合；数据分析模块，基于生成的温度上升集合，选取一个降温节点；本发明提供的氧化镓高温防分解的生长环境调节装置，实现了自动智能化地调节第二温区的气氛组分和第二温区内部压力，以实现气氛组分和第二温区内部压力的精确控制，进一步抑制氧化镓晶体的分解和挥发。

公开(公告)号：CN118653204A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410744254.8

申请日：2024-06-11

申请人： 广东先导微电子科技有限公司

发明人： 王金灵 ,  易明辉 ,  罗小龙

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B30/04 ,  C30B27/00 ,  C30B29/42

摘要： 本发明提供一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法，包括：（1）在氢气气氛下加热砷化镓多晶料和硅粉，以使砷化镓多晶料熔融得到含有硅粉的砷化镓多晶熔体并保温；（2）继续在氢气气氛下将含有硅粉的砷化镓多晶熔体沿竖直方向自下而上进行垂直梯度凝固，得到掺杂有硅的砷化镓单晶；在加热和垂直梯度凝固过程中，砷化镓多晶熔体的上方和下方相对位置各设置一块磁铁，且两块磁铁的相对面磁极相反。该生长方法可以显著降低掺硅砷化镓晶体的EPD，可以获得几乎趋近于零EPD的砷化镓晶体。

公开(公告)号：CN118600519A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410672879.8

申请日：2024-05-28

申请人： 扬州晶格半导体有限公司

发明人： 杨振帮 ,  张振中 ,  宦爱飞 ,  邹健

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C30B27/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了半导体领域内的一种降低硅部件晶锭裂纹率的铸造方法及铸造炉。该铸造方法包括以下步骤：S1：在坩埚底部刷涂一层硅颗粒组成的硅颗粒形核层，并对坩埚内壁进行氮化硅涂层制备；S2：将多晶硅装填到坩埚中；S3：在铸造炉中通过定向凝固的方法生长成晶锭，依次进行加热、熔化、长晶、退火和冷却阶段；其中，在长晶阶段，炉内上部温度和下部温度分别控制，且温度差不超过200℃，在退火阶段，炉内上部温度和下部温度一致降低，当温度降低到750‑850℃时维持3.5‑4.5小时。该铸造方法，通过温度控制降低长晶阶段固液界面的温度梯度来降低内应力的产生，在退火阶段，保持高温从而消除其内应力，提高晶锭的质量和稳定性。

公开(公告)号：CN118563407A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410497652.4

申请日：2024-04-24

申请人： 东方电气(乐山)峨半高纯材料有限公司

发明人： 张程 ,  雷云棣 ,  雷聪 ,  蒋杰昌 ,  杨武勇 ,  凌立华 ,  干长明

IPC分类号： C30B13/00 ,  C30B13/28 ,  C30B29/02 ,  C30B27/00

摘要： 本发明公开了一种区熔成型装置及方法。本装置包括箱体，所述箱体的顶部设有热排风装置，所述箱体上开设有保护气进气口和尾气排气口；所述箱体内通过支架固定有至少一根区熔管，所述支架设置于区熔管的两端部；每根所述区熔管的内部均具有内腔，所述内腔中部装有区熔舟或成型模具，所述内腔的至少一侧设有可拆卸的密封盖板；每根所述区熔管的中部外侧均沿轴向间隔套设有多组加热排，所述加热排通过移动装置可沿区熔管的轴向移动，每组加热排包括套设于区熔管上的至少一个加热环，轴向相邻的两个加热环之间设有散热环。本方法运用以上装置，解决了7N镉小棒提纯与成型问题。

公开(公告)号：CN112899785B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110327313.8

申请日：2021-03-26

申请人： 中锗科技有限公司

发明人： 柯尊斌 ,  乔印彬 ,  罗福敏 ,  王卿伟

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B11/00 ,  C30B27/00

摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法，恒压恒流保护气装置，包括VGF生长炉、气体储罐、高压气泵和气体加热套；VGF生长炉包括高压腔，高压腔的顶部设有上盖、底部设有下盖，高压腔内侧设有筒状的加热器，上盖上设有与加热器相通的出气管路，下盖上设有与加热器相通的进气管路；上盖上的出气管路通过第一管路与气体储罐的进气口连通，气体储罐的出气口通过第二管路与高压气泵的进气口连通，高压气泵的出气口通过第三管路与气体加热套的进气口连通，气体加热套的出气口通过第四管路与下盖上的进气管路连通。上述装置，可实现氮气热气流的稳定单向流动，避免了炉内气体对流，大大提高了成晶率，达到45.3％以上。