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    一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路
    101.
    发明授权
    一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路 失效

    公开(公告)号：CN107063452B

    公开(公告)日：2018-07-20

    申请号：CN201710223480.1

    申请日：2017-04-07

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  刘凯 ,  刘影 ,  钟晓康 ,  王文 ,  李明晔 ,  张波

    IPC分类号： G01J1/44

    摘要： 一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，替代了大电阻的引入，节省了版图面积、提高像素单元填充系数，有效提高探测阵列的探测像素；本发明的电路结构简单，不存在无源器件，仅利用单光子雪崩光电二极管SPAD阳极点处的寄生负载电容感应雪崩电流并进行I‑Q‑V积分转换，将电流转换为电压信号，经反相器处理后输出脉冲信号，此结构一方面可以降低电路瞬态功耗，另一方面可以加快检测速率，缩短淬灭时间，减少流过单光子雪崩光电二极管SPAD的电荷数量，且电路结构简单，有利于大规模阵列集成。

    一种碳化硅双极结型晶体管
    102.
    发明公开
    一种碳化硅双极结型晶体管 有权

    公开(公告)号：CN106981510A

    公开(公告)日：2017-07-25

    申请号：CN201710217341.8

    申请日：2017-04-05

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  王文 ,  郭飞 ,  钟晓康 ,  刘程嗣 ,  刘凯 ,  刘影 ,  张波

    IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16

    摘要： 一种碳化硅双极结型晶体管，属于高功率半导体器件技术领域。包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N+衬底6、N‑集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N+发射区3，另一端具有上表面设置基极2的第一二次外延P+区10，第一二次外延P+区10和N+发射区3之间的P型基区4上层具有第二二次外延P+区9，第一二次外延P+区10、第二二次外延P+区9和N+发射区3之间通过介质层8隔离，介质层8沿N+发射区3上表面向远离基极2的一侧延伸并与发射极1连接，介质层8沿第一二次外延P+区10上表面向远离发射极1的一侧延伸并与基极2连接。本发明降低了工艺复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，提高了SiC BJT器件电流增益。

    一种含埋氧层结构的光电探测器
    103.
    发明公开
    一种含埋氧层结构的光电探测器 失效

    公开(公告)号：CN106356419A

    公开(公告)日：2017-01-25

    申请号：CN201611075193.2

    申请日：2016-11-29

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  钟晓康 ,  刘影 ,  李明晔 ,  刘凯 ,  胡刚毅 ,  张波

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

    摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；埋氧层与N型硅层形成布拉格反射镜，可以反射0.85μm左右波段的短波光子，加强Si PIN型光电二极管对0.85μm左右波段短波的吸收；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用，加强Ge PIN型光电二极管对长波光子的吸收；而且本发明涉及的光电二极管工作电压较低，易与前置放大器混合集成。

    光MOS固体继电器
    104.
    发明授权
    光MOS固体继电器 失效

    公开(公告)号：CN103401548B

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201310322828.4

    申请日：2013-07-29

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  郭飞 ,  张飞翔 ,  刘影 ,  吴浩然 ,  张波

    IPC分类号： H03K17/785 ,  H01L27/142

    CPC分类号： Y02E10/50

    摘要： 本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光MOS固体继电器。该光MOS固体继电器包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件，所述光电池阵列由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成，所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列，所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底的一个V型槽内，所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽之间的衬底上。该光MOS固体继电器通过对光电池阵列进行重新设计，在V型槽之间的间隔制作多晶硅光伏电池，充分利用了版图空间，提高了集成度，而且集成功率器件的光MOS固体继电器减小了封装的难度和寄生效应，有效地提高了继电器的可靠性，适合在电力电子技术领域推广应用。

    一种紫外雪崩光电探测器
    105.
    发明公开
    一种紫外雪崩光电探测器 无效

    公开(公告)号：CN105655437A

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：CN201610137697.6

    申请日：2016-03-11

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  袁福润 ,  刘影 ,  章志海 ,  张波

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0304

    CPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/03044

    摘要： 一种紫外雪崩光电探测器自下而上包括硅衬底1、硅基雪崩层2、缓冲层3、成核层4、吸收层5。本发明不同于常规AlGaN材料在蓝宝石或者SiC衬底生长而是采用在硅基上通过缓冲层和成核层生长而成，其中，AlGaN材料作为吸收层有效地提高了对紫外光波段的响应，硅衬底成本低、单晶尺寸大且质量高，具有低的暗电流和噪声，雪崩层也由硅材料制作而成，具有低的雪崩击穿电压。紫外光正入射进入AlGaN，激发光生电子-空穴对，在外加电场的作用下单一载流子(电子)进入硅基雪崩层触发雪崩增益，实现吸收区和雪崩区分离，具有低的雪崩击穿电压、高增益、低噪声和高带宽，具有广泛的应用范围。

    一种光电集成电路的制造方法
    106.
    发明公开
    一种光电集成电路的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103579109A

    公开(公告)日：2014-02-12

    申请号：CN201310534726.9

    申请日：2013-11-01

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 张有润 ,  董梁 ,  刘影 ,  张飞翔 ,  孙成春 ,  张波

    IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/76202

    摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器件，所述光电器件为采用纵向结构，电子器件采用SOI工艺。本发明的有益效果为使得光电二极管和集成电路模块集成于同一块芯片上，有效地减少了封装难度和成本，降低了寄生效应，提高了可靠性。本发明尤其适用于光电集成电路的制造。

    配电网负荷参数辨识方法及系统
    107.
    发明公开
    配电网负荷参数辨识方法及系统 无效

    公开(公告)号：CN102982394A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN201210471867.6

    申请日：2012-11-20

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 刘影 ,  丁理杰 ,  黄琦 ,  吴瀚 ,  王均

    IPC分类号： G06Q10/04 ,  G06Q50/06

    摘要： 配电网负荷参数辨识方法及系统，涉及计算机技术。本发明包括下述步骤：1）预处理负载参数，对节点进行分类；2）辨识出配电网中的负载模型参数向量；3）优化处理负载模型参数向量。本发明实现了主变负荷模型聚类、泛化，以及各个主变基于不同电压等级和出口进行聚合的负荷模型辨识。本发明涉及电能监测技术领域，特别涉及电力专项规划领域和电力系统稳定分析技术领域，适用于电力配电网，包括城市配电网，油田配电网和农村配电网。