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公开(公告)号：CN102544103A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210005872.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。
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公开(公告)号：CN102222763A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110148588.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/55 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的由第一层电阻转变层和第二层电阻转变层兼电场增强层组成的叠层；第二层电阻转变层兼电场增强层和第一层电阻转变层相邻，并具有比所述第一层电阻转变层低的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布，进而通过控制阻变存储器器件结构中的电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明的阻变存储器性能稳定可控。
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公开(公告)号：CN102185004A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110082999.5
申请日：2011-04-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028
Abstract: 本发明属于石墨烯技术领域，具体为一种具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器。该GEFT包括石墨烯沟道层，该石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应、以使所述石墨烯GEFT的电学特性发生变化；该GEFT灵敏度高、功耗低。使用该GEFT制造的红外探测器，不要制冷系统，运行成本低，超轻超稳定，红外吸收带宽且可根据实际应用需求可调；还避免了现有的红外探测器生产工艺复杂且带有剧毒的问题，尤其适合于巡天红外探测应用。
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公开(公告)号：CN102005536A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010508181.0
申请日：2010-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , H01L45/06 , H01L45/16
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构，其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘体为Al2O3/NiO/Al2O3三种介质的纳米叠层结构介质薄膜。本发明中的MIM结构，在直流电压连续扫描激励下，表现出稳定的双电阻态转变和记忆特性，与只采用NiO一种介质的单一介质层结构介质薄膜的电阻式随机存储器存储单元相比，存储窗口增大，阻值稳定性得到提高。在NiO材料电阻式随机存储器的实际应用中有良好前景。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法。
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公开(公告)号：CN101882462A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910050945.3
申请日：2009-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位操作电压上进行，避免了置位操作中“过编程”的现象，从而提高电阻随机存储器置位后的Ron值，有利于降低后续复位操作的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114839822B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210583700.2
申请日：2022-05-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，具体为一种相变光学模数转换器。本发明相变光学模数转换器包括多模干涉仪以及覆盖在多模干涉仪的不同输出端口上不同宽度的相变材料；相变材料为具备非易失特性的相变转换材料或者为具备光吸收转变阈值的非线性材料；通过光脉冲使得波导上覆盖的晶态相变材料发生局部相变，相变材料变为部分非晶态，而晶态对光的吸收比非晶态强，因此相变后光的透射率增强；且不同宽度相变材料相变的难易程度不同，越难发生相变的通道代表更高的编码有效位。本发明的相变光学模数转换器可以减少信号在光‑电‑光域之间的转换，减少资源消耗。相对于其他光学数模转换器，相变材料的覆盖不会增加额外面积，因此规模较小，便于集成。
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公开(公告)号：CN112635565B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202011555330.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116632011A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564444.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于SOI—石墨烯共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法。本发明益异质放大器包括：衬底、氧化埋层、顶层硅沟道区、氧化层隔离区，以及在沟道区上的栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触，和在氧化层隔离区上的石墨烯沟道区、栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触。本发明在共源共栅电路的基础上采用SOI—石墨烯异质结，器件输入端栅极连接石墨烯，利用石墨烯的高gm，输出端连接SOI晶体管的高输出电阻，以提高输出电阻、提高电压和功率增益；器件工艺成本更低，可应用于射频晶体管。
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公开(公告)号：CN114881222A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210583701.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种光子存算一体器件和光子神经网络结构。本发明光子存算一体器件包括多环谐振器和光子存储材料，光子存储材料位于多环中的任意一个或几个上，或者位于通端或降端的波导上；在光子存储材料的上、下可添加电极层，通过光、电或热激励实现高带宽、高存储密度的光子存储和计算功能。本发明利用多环谐振器的宽通带、高品质因子特性，与波导上材料/器件的结构结合，实现高带宽、高存储密度的存算一体功能；光子神经网络包含由低阶多环谐振存储器构成的光子神经突触和由高阶多环谐振存储器构成的光子神经元。本发明为发展高速、低能耗、高精度、可扩展的光子神经网络等片上集成光路应用提供基础。
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公开(公告)号：CN113337063A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110616855.7
申请日：2021-06-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机纳米复合粒子及制备方法和应用，制备过程中，利用活性阴离子聚合引发二烯类单体或苯乙烯类单体进行聚合得到大分子引发剂；利用1,1‑二苯基乙烯对聚合物大分子引发剂的活性中心进行活性转换，并引发乙烯基吡啶类单体进行活性阴离子聚合诱导自组装，得到嵌段聚合物纳米自组装粒子；利用交联剂将纳米自组装粒子交联并作为聚合物模板；使吡啶基团与金属离子进行络合，并通过还原反应制备得到系列有机‑无机纳米复合粒子。本发明制备得到的有机‑无机纳米复合粒子制备方法在一锅中实现，具有简便高效、通用性强、体系干净、固含量高、形貌可控等优势。
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