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公开(公告)号：CN105572798A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610086376.8
申请日：2016-02-15
申请人： 欧阳征标
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/1226 , G02F1/0126
摘要： 本发明公开了一种基于MIM高灵敏度SPP光开关，它由一个矩形腔、一个控制光吸收腔、银块、一个竖直波导、一个水平波导、三个金属膜、一个太赫兹控制光和一个水平传播的信号光组成；所述矩形腔位于控制光输入端，所述控制光吸收腔和竖直波导相连接；所述银块设置竖直波导内，可以移动；所述竖直波导和水平波导相连接；所述太赫兹控制光位于矩形腔的上端；所述MIM为金属-绝缘体-金属结构的波导。本发明结构紧凑，体积小，灵敏度高，便于集成，光开关具有导通，断开的功能，其消光比达到10dB。
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公开(公告)号：CN105122106A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480019856.1
申请日：2014-04-04
申请人： 加州理工学院
CPC分类号： G02B5/008 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , G02F1/011 , G02F1/025 , G02F1/0356 , G02F2001/0151 , G02F2201/12 , G02F2203/10 , G02F2203/15 , Y10S977/932
摘要： 等离子体激元器件具有透明导电氧化物(TCO)波导和施加在TCO和金属层之间的用于调制输入光信号的可调整电压。等离子体激元器件包括：衬底；在衬底上的并具有开槽通道的金属层；在金属层上和开槽通道中的介电层；以及在介电层上和开槽通道中的透明导电氧化物(TCO)。
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公开(公告)号：CN104714274A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510058151.7
申请日：2015-02-04
申请人： 江南大学
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1226
摘要： 本发明提供一种基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型，主要提供了一种通过改变狭缝的宽度和狭缝与狭缝之间的距离来控制表面等离子体基元的激发方向和分光比大小的方法。该基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型包括设置在介质层两侧的金属层，介质层下方的金属层内设置两个矩形狭缝，两个矩形狭缝的宽度与介质层的厚度都不相同。该结构具有极强的光束缚效应，能突破衍射极限的限制，在纳米尺度对光进行传输。该单向激发模型最小的SPPs分光比大于6，这证明了该结构设置有良好的SPPs不定向激发。与使用基于侧照射两个狭缝的情况相比，可以通过使用两个双狭缝来增强干涉的强度和分裂效应，最好分光比约为30。这些设计将在微纳米集成光学和光通信上有着广泛使用。
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公开(公告)号：CN104597564A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510023376.9
申请日：2015-01-16
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1225 , G02B6/1226
摘要： 本发明提供了一种类表面等离子体复合型狭缝波导及其应用，这种类表面等离子体复合型狭缝波导同时具有亚波长尺度的周期性微结构和波长尺度的周期性布拉格结构。因此这种多尺度复合型狭缝波导同时具有人工微结构超材料的特性及类似于光子晶体的导波及带隙性质。具体来讲复合波导的局域有效介质的性质可以通过亚波长尺度的微结构来调控；而波导整体可以支持类似于光子晶体能带的微波带隙和缺陷态模式。利用微波带隙及缺陷态模式分别可以实现带阻滤波和带通滤波的功能。本发明结合了类表面等离子体波导的色散关系和布洛赫理论给出了这种复合型波导在几何参数空间的“带隙图”。
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公开(公告)号：CN102790355B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210148448.9
申请日：2012-05-14
申请人： 佳能株式会社
发明人： 小山泰史
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1046 , B82Y20/00 , G02B6/10 , G02B6/1226 , H01S5/0425 , H01S5/1228 , H01S5/3214 , H01S5/3402 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2302/02
摘要： 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法，使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷，从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括：第一导体层和第二导体层，其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与第一导体层和第二导体层接触，并且被放置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。
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公开(公告)号：CN102565937B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210022803.8
申请日：2008-10-28
申请人： 朗讯科技公司
发明人： 弗拉基米尔·阿纳托利耶维奇·阿克休克 , 格尔什·布卢姆伯格
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/3536 , G02B6/3548 , G02B6/3596
摘要： 本发明涉及表面等离子体极化激元的调制。本发明提供了一种装置，包括：具有金属表面的基板、结构以及面对金属顶面的介电物质。该结构被配置为光学地产生在金属表面上传播的表面等离子体极化激元。介电物质可控制为，在沿着以及接近该金属表面的不同位置的阵列处，调整介电常数的值。
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公开(公告)号：CN102985803A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180019730.0
申请日：2011-02-18
申请人： 加利福尼亚太平洋生物科学股份有限公司
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： C12Q1/6874 , B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L2300/0654 , B01L2300/0663 , B01L2300/0816 , B01L2300/168 , B82Y20/00 , C12Q1/6825 , C12Q1/6869 , G01N21/03 , G01N21/0303 , G01N21/05 , G01N21/64 , G01N21/6428 , G01N21/645 , G01N21/6452 , G01N21/6454 , G01N21/6456 , G01N21/648 , G01N21/75 , G01N21/77 , G01N33/54373 , G01N2021/0346 , G01N2021/6434 , G01N2021/6439 , G01N2021/6441 , G01N2021/6463 , G01N2021/757 , G01N2021/7786 , G01N2201/067 , G01N2201/068 , G01N2201/08 , G02B6/1226 , Y10T436/143333
摘要： 本发明公开了在一体式装置结构内的分析组件，其用于集成到分析系统中。所述分析组件是可扩缩的，且包括多个分析装置，每个分析装置包括反应池、光学传感器和至少一个光学元件，所述光学元件设置成与所述反应池和所述传感器光通信，并将来自所述反应池的光信号递送至所述传感器。任选地将其它元件集成在所述分析组件中。还公开了用于形成和运行所述分析系统的方法。
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公开(公告)号：CN102741681A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008096.0
申请日：2011-01-31
申请人： 诺基亚公司
CPC分类号： G01N21/554 , B82Y20/00 , G01N21/648 , G01N21/658 , G02B6/107 , G02B6/1226
摘要： 一种包括纳米线波导和纳米颗粒的装置，所述纳米线波导被配置为沿其纵轴将辐射从第一端发送到第二端，所述纳米颗粒至少位于所述波导的所述第二端以接收所发送的辐射以用于光谱术。
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公开(公告)号：CN102598852A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049200.6
申请日：2010-10-14
申请人： 日本电气株式会社
IPC分类号： H05B33/02 , G02B1/02 , G02B3/00 , G02B5/18 , G02B5/30 , G02B27/28 , G03B21/14 , H01L33/22 , H01L51/50
CPC分类号： G02B5/008 , G01N21/553 , G01N21/648 , G02B3/0031 , G02B5/3016 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B26/02 , G02F1/133606 , G03B21/14 , G03B21/2033 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L2933/0083 , H04N9/3152
摘要： 光源层(4)具有基板(10)，和被设置在基板(10)上的由空穴输送层(11)和电子输送层(13)组成的一对层。方向性控制层(5)具有在光源层(4)的与其基板(10)侧相反的侧层叠并且具有高于从光源层(4)出射的光的频率的等离子体频率的等离子体激元激发层(15)，和在等离子体激元激发层(15)上层叠并且转换从等离子体激元激发层(15)引入的光从而以预定输出角度出射光的波矢量转换层(17)。等离子体激元激发层(15)被夹在低介电常数层(14)和高介电常数层(16)之间。
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公开(公告)号：CN102378908A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200980138108.4
申请日：2009-09-22
申请人： 卡尔梅德有限公司
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G01N21/774 , G02B6/107 , G02B6/1226
摘要： 一种用于制造设置有等离子激元波导(8)的光子晶体器件(1)的方法包括以下步骤：制备膜(2)；以程序化方式将聚焦离子束施加在膜(2)上，以便获得由根据预置晶格定位的通孔(6)的规则的平面布置组成的光子晶体(5)，并且还包括谐振腔(7)；以及通过由聚焦电子束诱导的化学汽相沉积在谐振腔处提供圆锥形等离子激元波导(8)。控制诱导沉积的聚焦电子束，以便在维持电子束的位置恒定的情况下，从突出结构的基部开始直到顶端逐渐减小电子束的横截面。
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