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公开(公告)号：CN111293134A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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公开(公告)号：CN111244240A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010124095.3
申请日：2020-02-27
申请人： 广东波达电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种深紫外LED芯片，其包括衬底和设置于所述衬底表面的紫外光外延片，所述紫外光外延片包括依次设置的N型层、多量子阱层和P型层，所述紫外光外延片通过刻蚀N型台阶形成外凸的P型层和内凹的N型层，所述P型层在所述紫外光外延片的中部区域形成呈“王”字形的发光区域，所述N型层在所述紫外光外延片的外周区域形成与所述发光区域形状互补的围合区域。采用本发明，能够从物理结构上抵消由于阱垒材料不同而产生的应力，并且在保证LED芯片结构稳定性的同时，有利于电流均匀扩散，防止电流聚集，使得LED芯片获得更低的电压，从而提高LED芯片的光电转化效果，且结构简单，并经试验表明，其光电转化率可达3％至5％之间。
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公开(公告)号：CN111129242A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911375058.3
申请日：2019-12-27
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本申请提供了一种LED制备方法与待剥离LED结构，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，其中，衬底的一面上设置有周期性凸台结构，然后沿衬底制作第一掩膜层，其中，第一掩膜层包括凹陷区，凹陷区的底部露出衬底上的凸台结构，且凹陷区的底部宽度小于顶部宽度，再沿凹陷区内凸台结构的表面制作缓冲层，其中，缓冲层覆盖于凸台结构的表面，再沿凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层；其中，基板层与凸台结构之间形成生长空洞，再沿基板层的表面生长LED本体，再腐蚀第一掩膜层与基板层，以获取芯片本体，其中，芯片本体包括LED本体。本申请提供的LED制备方法与待剥离LED结构具有刻蚀速度更快且可靠性更好的效果。
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公开(公告)号：CN109994583B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910316241.X
申请日：2019-04-19
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种大功率紫外发光二极管及其制作方法，首先，通过若干N型通孔的设置，实现导电层与第一导电型半导体层形成电连接，进而有效地提高紫外发光二极管的电流扩展能力；其次，通过在所述透明导电层上设有若干呈均匀分布的扩展通孔，使所述透明导电层、金属反射镜与第二导电型半导体层形成欧姆接触；同时，各所述N型通孔与扩展通孔沿透明导电层的垂直方向错位设置；能在保障电流扩展效果的同时，有效减少N型通孔的数量，避免因N型通孔较多而导致有源层面积损耗。
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公开(公告)号：CN111063775A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911298684.7
申请日：2014-10-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 公开了一种氮化物半导体元件。所述氮化物半导体元件包括：N型氮化物半导体层；低温成长层，位于所述N型氮化物半导体层上部，且在比所述N型氮化物半导体层的温度下成长；活性层，位于所述低温成长层的上部，且形成有V-坑；高电阻填充层，位于所述活性层的上部，且填充所述V-坑；P型氮化物半导体层，位于所述高阻抗填充层的上部，其中，所述高电阻填充层具有未掺杂层和掺杂层交替地堆叠一次以上，使得空穴通过所述V-坑的内部倾斜表面被注入到活性层中。
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公开(公告)号：CN111052411A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880059036.3
申请日：2018-07-20
申请人： 日机装株式会社
摘要： 氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；多量子阱层，其在n型包覆层(30)侧具有由AlGaN形成的势垒层(52a)，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，还具备触发层(40)，其位于上述n型包覆层(30)和上述势垒层(52a)之间，是包含Si而形成的，在上述n型包覆层(30)和上述多量子阱层形成有以上述n型包覆层(30)中的位错为起始端并在上述多量子阱层内终止的多个V形坑(100)。
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公开(公告)号：CN111048639A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911253699.1
申请日：2019-01-31
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本发明涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。本发明提供一种正装集成单元发光二极管，包括多个二极管单元以及设置于二极管单元之间的第一导电类型电极和第二导电类型电极，其中第一导电类型电极和第二导电类型电极在二极管单元之间的间隔区域内重叠设置。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
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公开(公告)号：CN111048578A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911305595.0
申请日：2014-10-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；活性层，置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层；高电阻填充层，置于活性层与第二导电型半导体层之间并填充V-坑，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层。
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公开(公告)号：CN109473526B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811110046.3
申请日：2018-09-21
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述有源层包括外壳和填充物，所述外壳内设有整齐排列的多个球形空腔，所述填充物填满所述多个球形空腔；所述外壳的材料采用氮化镓，所述填充物为有机发光液体。本发明通过采用氮化镓包裹的有机发光液体形成有源层，有机发光液体为液体，不会受到外延片翘曲的影响，因此外延片的边缘和中心发光波长易控且均一，可以有效提高整个外延片波长的均匀性和一致性，特别适用于制作Micro‑LED。
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