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公开(公告)号：CN110088893A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005119.4
申请日：2018-08-01
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 井上真吾
IPC: H01L23/02
Abstract: 公开了一种组装半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在在载体上排列金属基体；将烧结金属糊剂同时涂敷在基体上；将衬底同时设置在烧结金属糊剂上，其中衬底包括对应于基体的侧壁和各基体共用的布线层；以及使烧结金属糊剂中包含的溶剂挥发。
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公开(公告)号：CN109633825A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811132238.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 本发明披露了一种波分解复用系统和光接收器模块，该系统接收波分复用信号，并生成与光信号对应的电信号。光接收器模块包括透镜、透镜单元以及光学解复用器(O‑DeMux)。透镜将波分复用信号转换成准准直光束。透镜单元使准准直光束的直径缩小。O‑DeMux通过波长选择滤波器(WSF)对来自透镜单元的缩小的准准直光束进行解复用，每个波长选择滤波器到透镜单元具有彼此不同的光程。
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公开(公告)号：CN108987264A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810547951.9
申请日：2018-05-31
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 渡边整
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种形成外延衬底的方法，其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤：(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0；(2)生长由AlN制成的成核层，同时测量AlN成核层的生长表面的第二反射率R1；以及(3)当反射率的比值R1/R0进入预设范围时，结束AlN成核层的生长。
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公开(公告)号：CN108630534A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810245726.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76886 , H01L21/28575 , H01L23/53219 , H01L23/53261 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。
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公开(公告)号：CN108512527A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810155106.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
CPC classification number: H03H11/245 , H01P1/22
Abstract: 公开了一种可变衰减器(v-ATT)。v-ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET)，其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压，每个偏压都提供给各个级。所述v-ATT的特征之一是：至少一个级接收至少一个偏压，所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108123690A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711237150.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 安德雷·格列别尼科夫 , 王业宏 , 渡边直树
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/211 , H03F3/305 , H03F3/602 , H03F2200/192 , H03F2200/405 , H03F2200/451 , H03F1/02 , H03F3/20
Abstract: 将具有多个峰值放大器的多赫蒂放大器稳定化。在载频放大器(100)及三台峰值放大器(101～103)的输出和输出耦合器(30)之间插入偏移单元(20)。偏移单元包含将各放大器的输出阻抗变换为短路的、阻抗与负载阻抗相等的偏移传送线路。在所有峰值放大器断开时，载频放大器的输出成为12.5Ω，经由25Ω的传送线路将RF信号输出。在仅第1峰值放大器接通时，载频放大器、第1峰值放大器的输出均变换为25Ω，匹配于50Ω的终端。即使第3峰值放大器接通，输出也变换为50Ω。
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公开(公告)号：CN107834355A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710826866.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 本田昌宽
CPC classification number: H01S5/02415 , H01S3/1301 , H01S5/005 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02446 , H01S5/0265 , H01S5/06804 , H01S5/0683 , H01S5/12 , H01S5/50 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/0261
Abstract: 本发明公开一种光学放大系统。所述光学放大系统包括热电冷却器和安装在所述热电冷却器上的半导体激光二极管。决定于受所述热电冷却器控制的所述半导体激光二极管的温度，所述半导体激光二极管产生具有设计波长的调制光学信号。所述光学放大系统还包括：半导体光学放大器，其放大从所述半导体激光二极管输出的所述调制光学信号。所述光学放大系统的特征在于所述半导体光学放大器的温度高于所述半导体激光二极管的所述温度。
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公开(公告)号：CN107611773A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710560187.4
申请日：2017-07-11
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 田中宏和
IPC: H01S5/0683 , H01S5/0687
Abstract: 本发明公开了一种确定用于调整波长可调谐激光器的发射波长的初始参数和目标值的方法，该波长可调谐激光器能够发射大波长范围内的激光。该方法按预定次序重复对目标波长处的初始参数和目标值的评估。该评估包括如下步骤：向t-LD提供凭经验获得的参数，确认t-LD是否产生光束，当t-LD产生光束时通过执行AFC和APC的反馈环来确定初始参数和目标值，或者当t-LD不产生光束时使波长范围偏移以排除当前目标波长。
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公开(公告)号：CN107566046A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710523005.6
申请日：2017-06-30
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
CPC classification number: H04B10/614 , H04B10/0731 , H04B10/0779
Abstract: 本发明公开了组装和测试相干光接收器的方法。该方法包括以下步骤：通过组合分别具有彼此正交的相应偏振的第一测试光束和第二测试光束来准备测试光束；使测试光束和第三测试光束一起进入；以及使根据测试光束的偏振对测试光束进行分束的偏振分束器(PBS)和对第三测试光束进行分束的分束器(BS)对准。该方法的特征在于：针对两个多模干涉(MMI)器件同时执行PBS和BS的对准以及它们的输出的监测。
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公开(公告)号：CN106972345A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710028587.0
申请日：2017-01-16
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 渡边孝幸
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。
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