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公开(公告)号:CN117069633A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310534593.9
申请日:2023-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/00 , G03F7/42 , G03F7/20 , C07D493/08 , C07D333/76 , C07D333/46 , C07D335/12 , C07D327/08 , C07D279/20 , C07D339/08 , C07D335/02 , C07D333/54 , C07D495/10 , C07D309/10 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及新颖锍盐、抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供溶剂溶解性优异、且高感度、高对比度、曝光余裕度、LWR等光刻性能优异的抗蚀剂组成物使用的锍盐、含有该锍盐作为光酸产生剂的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明是一种下式(1)表示的锍盐。#imgabs0#式中,p为1~3的整数。R11为碳数1~20的烃基。Rf表示氟原子、碳数1~6的含有氟原子的烷基、烷氧基、硫醚基。q表示1~4的整数。RALU表示酸不稳定基团。r为1~4的整数。R12为碳数1~20的烃基。s为0~4的整数。t表示0~2的整数。Rf与‑O‑RALU键结于互为相邻的碳原子。X‑表示不含聚合性基团的非亲核性相对离子。
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公开(公告)号:CN116954024A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310445090.4
申请日:2023-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供可获得改善了图案形成时的分辨率且LER及CDU经改善的抗蚀剂图案,缺陷少且可使用300~400nm的短波长进行缺陷检查的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,分别以预定量含有:(A)下式(A1)表示的鎓盐化合物,(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元且会因酸的作用而分解并增加在碱显影液中的溶解度的聚合物,但,不包含含有具内酯环的重复单元的聚合物,及(C)光酸产生剂。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN115113483A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210264307.7
申请日:2022-03-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供可形成有极高分辨率且LER小而矩形性优异,抑制了显影负载(loading)的影响的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包括基础聚合物,该基础聚合物含有:含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、以及含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物;该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中,具有芳香环骨架的重复单元为60摩尔%以上。
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公开(公告)号:CN110526802B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN201910437381.2
申请日:2019-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C33/26 , C07C29/00 , C07C67/08 , C07C69/533 , C08F212/14 , C08F232/08 , C08F220/38 , C08F220/30 , G03F7/038
Abstract: 本发明涉及单体、聚合物、负型抗蚀剂组合物、光掩模坯和抗蚀剂图案形成方法。包含含有在分子中具有至少两个酸可消除的羟基或烷氧基重复单元的聚合物的负型抗蚀剂组合物对于形成具有高分辨率和最小的LER同时使缺陷最小化的抗蚀剂图案有效。
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公开(公告)号:CN114924464A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210124479.4
申请日:2022-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且改善LER及CDU的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,含有:(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物,以下式(A1)表示,及(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用而分解并使于碱显影液中的溶解度增大的聚合物。式中,M为硫原子或硒原子。
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公开(公告)号:CN107688278B
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201710659370.X
申请日:2017-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法。本发明提供了一种包含(A)甜菜碱型的锍化合物和(B)聚合物的负型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物对于在曝光步骤期间控制酸扩散是有效的,且在图案形成期间呈现出非常高的分辨率,并形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号:CN106662810B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201580047940.9
申请日:2015-07-24
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供包含游离的光致产酸剂和与光致产酸部分共价结合的多官能聚合物的负性抗蚀剂组合物,其中所述组合物基本不含交联剂。还提供可与抗蚀剂组合物联合使用的多官能聚合物,以及使用本发明组合物和聚合物在基底上产生抗蚀剂图像的方法。
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公开(公告)号:CN105676592B
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201510893749.8
申请日:2015-12-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供收缩材料,其包括特定的聚合物和含有抗消失性溶剂的溶剂。通过将包含基础树脂和产酸剂的抗蚀剂组合物涂布到基材上以形成抗蚀剂膜、曝光、在有机溶剂显影剂中显影以形成负型抗蚀剂图案、将该收缩材料涂布到该图案上和用有机溶剂将过量的收缩材料除去以由此使该图案中的孔和/或狭缝的尺寸收缩,从而形成图案。
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公开(公告)号:CN104460224B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201410499396.9
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料,所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩膜坯料的制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜,并在该无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后,以高于200℃的温度,在含有氧气的环境中进行热处理,再进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
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