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公开(公告)号：CN104810445A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510142431.6
申请日：2015-03-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/0075 , H01L33/04
摘要： 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括衬底、依次生长在衬底上的缓冲层、N型层、应力释放层、多量子阱层和P型层，多量子阱层为超晶格结构，多量子阱层的每个周期包括InyGa1-yN层和GaN层，0
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公开(公告)号：CN104300064A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410529575.2
申请日：2014-10-10
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L2933/0008
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层和N型层，在N型层上依次生长N型电流扩展层、多量子阱层和P型层，N型电流扩展层为采用delta掺杂技术生长的GaN层，N型电流扩展层的的掺杂浓度低于N型层的掺杂浓度，从N型层一侧开始，N型电流扩展层的掺杂浓度保持不变或逐渐降低，且紧邻多量子阱层一侧的N型电流扩展层的掺杂浓度为零。本发明通过采用delta掺杂技术生长电流扩展层，载流子浓度高、补偿少、器件热稳定性能好，且靠近有源区引入无掺杂的GaN层，保证电流的横向扩展，降低正向压降，提高使用寿命，降低由掺杂产生的缺陷向有源区延伸和非辐射复合中心。
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公开(公告)号：CN110993748B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911198565.4
申请日：2019-11-29
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应室内；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层由交替层叠的多个InGaN阱层和多个垒层组成，每个垒层由依次层叠的多个复合层组成，每个复合层采用如下方式生长：向反应室内通入In源和载气，使In源分布在反应室内的所有区域；向反应室室内通入In源、Ga源、氨气和载气，生长InGaN垒层；向反应室内通入Ga源、氨气和载气，生长GaN垒层，GaN垒层的生长速率大于InGaN垒层的生长速率。本公开可有效减小EQE达到峰值所需的电流密度。
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公开(公告)号：CN110707187B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910773000.8
申请日：2019-08-21
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种小间距发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构和第二超晶格结构中量子阱的材料采用氮化铟镓；第二超晶格结构中量子垒包括交替层叠的(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，第一子层、第二子层和第一超晶格结构中量子垒的材料采用掺杂硅的氮化镓；第一子层中硅的掺杂浓度、第二子层中硅的掺杂浓度分别为第一超晶格结构中量子垒中硅的掺杂浓度的11倍～20倍、5倍～10倍。本发明发光波长在不同电流下的变化幅度较小，可满足影院HDR的显示要求。
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公开(公告)号：CN111081828B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201911001464.3
申请日：2019-10-21
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开公开了一种Micro LED外延片的生长方法及Micro LED外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应设备内的承载体上，对衬底进行预处理；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温外延层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；低温缓冲层、高温外延层、N型半导体层、量子阱、量子垒、电子阻挡层和P型半导体层均在停止向反应设备内通入反应气体，对反应设备提供的生长条件进行多个阶段的调整之后，向反应设备内通入反应气体生长形成。本公开可以满足Micro LED的要求。
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公开(公告)号：CN109860341B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811287347.3
申请日：2018-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述方法包括：提供衬底，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的底宽等于或大于2.9微米；在所述衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层包括AlN层和BGaN层，所述AlN层位于所述衬底与所述BGaN层之间；顺次在所述BGaN层上沉积GaN成核层、GaN高温填平层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。
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公开(公告)号：CN108336203B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201711479757.3
申请日：2017-12-29
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠设置在蓝宝石衬底上的AlN缓冲层、3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和高温P型层，所述3D成核层包括第一子层和第二子层，第一子层为在800～1100℃下生长而成的GaN层，第二子层为在1000～1200℃下生长而成的GaN层。第一子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集。这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能。这样就会产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善翘曲，提高波长集中度，第二子层的温度较高，则晶粒的表面能降低，保证了外延片整体不会发生翘曲，从而提升LED芯片的光电性能。
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公开(公告)号：CN110047982B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910145355.2
申请日：2019-02-27
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管、外延片及其制备方法，属于外延技术领域。该所述发光二极管外延片包括：衬底、以及依次层叠于所述衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂氮化镓层和P型接触层；所述电子阻挡层包括氮化镓层和银薄膜层，所述银薄膜层位于所述氮化镓层与所述P型掺杂氮化镓层接触的表面，所述氮化镓层与所述银薄膜层接触的一面上分布有银镓金属化合物。通过包含氮化镓层和银薄膜层的电子阻挡层，一方面提升了电子阻挡的效果，另一方面保证了空穴的顺利通过。
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公开(公告)号：CN109473511B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811063800.2
申请日：2018-09-12
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长有源层；在由氢气形成的生长气氛中，在所述有源层上生长第一P型半导体层；在由氮气形成的生长气氛中，在所述第一P型半导体层上生长第二P型半导体层；其中，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均包括多个氮化镁层和多个掺杂镁的氮化镓层，所述多个氮化镁层和所述多个掺杂镁的氮化镓层交替层叠设置。本发明可以提高P型半导体层中的空穴浓度，最终提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN109244203B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811063187.4
申请日：2018-09-12
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。设置在AlN层与低温GaN层之间的InxAl1‑xN层，在x的范围为0.16～0.18时，一方面由于InxAl1‑xN层结构中与AlN层结构中有共用的Al原子与N原子，由此可保证InxAl1‑xN层在AlN层上的良好连接与生长，InxAl1‑xN层本身的质量与表面平整性较好；另一方面，此时InxAl1‑xN层中晶胞的晶格常数与低温GaN层中晶胞的晶格常数较为接近，二者之间的晶格失配较小，可得到在InxAl1‑xN层上生长的晶体质量良好的低温GaN层。InxAl1‑xN层缓解了AlN层与低温GaN层之间原有的晶格失配，起到连接AlN层与低温GaN层的同时也可保证最终生长得到的低温GaN层的质量、减小外延层中晶体缺陷的作用，进而可提高发光二极管的整体质量，进一步提高发光二极管的发光效率。
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