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公开(公告)号：CN105742478A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610152652.6
申请日：2016-03-17
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： H01L39/2467
摘要： 本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。该制备方法简单、可操作、样品厚度可控，可缩短样品制备周期并提高样品制备成功率。通过该制备工艺制备出的样品具有厚度可控、高质量、尺寸精度高等优点。
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公开(公告)号：CN105154840A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510628815.9
申请日：2015-09-28
申请人： 南京大学
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的WSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103575504A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310600853.4
申请日：2013-11-25
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于超导纳米线单光子探测器的光时域反射计，包括激光器、光纤环形器、超导纳米线单光子探测器和采集仪器，所述激光器产生的光脉冲通过光纤环形器耦合进入待测量光纤，所述光脉冲在待测量光纤中传输产生后向散射光，后向散射光通过光纤环形器的另一端口接入超导纳米线单光子探测器，超导纳米线单光子探测器输出的脉冲经过放大后被采集仪器读出。本发明能够提高探测距离，空间分辨率以及减少测量时间。
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公开(公告)号：CN103427015A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310391524.3
申请日：2013-09-02
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L39/22
摘要： 本发明公开了一种便携式大功率连续可调太赫兹发生器，由配合使用的制冷装置和太赫兹发生端组成；所述的太赫兹发生端包括设在壳体内的安装件、固定件和支撑件；所述的安装件为L型板，L型板的竖直板与制冷装置相连，固定件设在L型板的水平板上；所述的支撑件设在固定件上；在所述的支撑件设有电极板和半球透镜，在半球透镜的中心处设有BSCCO高温超导太赫兹源，BSCCO高温超导太赫兹源的电极与电极板相连；所述的制冷装置为无氦制冷器，无氦制冷器的制冷端与L型板的竖直板相连，无氦制冷器外壳上的密封排针通过漆包线与电极板相连。该发生器，体积小，用电驱动，不消耗液氦，低成本，使用方便；通过调节偏置电压即可实现较大范围连续频率调节，且不需要外磁场辅助，具有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN103367516A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310301942.9
申请日：2013-07-18
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种超导纳米单光子探测芯片，包括基底，还包括活性层、绝缘层和光子吸收层，所述活性层为至少两根超导纳米线，呈蜿蜒结构设置于所述基底的上表面；所述光子吸收层为碳纳米管层，设置于所述活性层上方；所述绝缘层填充于至少两根超导纳米线之间，同时，填充于所述超导纳米线与所述光子吸收层之间。同时，本发明还提供一种超导纳米单光子探测芯片的制备工艺。本发明大幅度提高探测器芯片的光子吸收概率，将可吸收的光子波段提高到紫外-可见-红外，从而提高探测器的系统效率，使超导纳米单光子探测芯片效率高、工作波段宽、应用范围广。
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公开(公告)号：CN102916083A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210406138.2
申请日：2012-10-23
申请人： 南京大学
CPC分类号： C23C14/021 , C23C14/185
摘要： 本发明公开了一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法，包括如下步骤：将基片超声清洗并吹干；进行Ar离子洗；通过直流磁控溅射的方式生长特殊掺杂的超导Nb薄膜；旋涂电子束抗蚀剂，然后对电子束抗蚀剂进行电子束光刻，在电子束抗蚀剂上绘制出宽度小于或等于100nm的线条图形；用反应离子刻蚀的方式进行刻蚀，将线条图形转移到Nb薄膜上，形成Nb纳米线条；清洗残留的电子束抗蚀剂，并在样品的表面旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式在光刻胶上形成电极图形；生长电极。本发明克服了现有的Nb材料制备的SNSPD超导转变温度低，临界电流密度低，光响应波长短的难题。
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公开(公告)号：CN100466375C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510038190.7
申请日：2005-01-21
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种测量超导材料表面电阻的复合谐振腔。本发明采用在原有开式腔的介质谐振腔结构外加背景腔，形成复合谐振腔结构，并发明了同心定位机构，背景腔上设置微波吸收材料，吸收和衰减耦合装置沿径向辐射的所有寄生膜，一举解决了这个难题，同时又杜绝了其他的向内辐射，给内部的开式腔提供了一个微波全黑的背景，形成了一个虚拟的、无限大的空间，对中心定位的要求降低了，扩大了中心定位的裕度；背景腔的设置给定位机构提供了参照坐标，即在背景腔的腔壁上设置定位螺孔，采用定位螺杆分别对两块导电平板、中间介质进行精确的同心放置定位，大幅度提高了定位精度。本发明结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN1202281C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03132208.5
申请日：2003-07-31
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底台不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和氧化镁单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
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公开(公告)号：CN1606233A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410064686.7
申请日：2004-09-20
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于NbN、AlN单晶薄膜制备技术的多层异质结构组成的体声波器件。采用射频磁控溅射和MOCVD的方法，以MgO单晶基片作为薄膜生长的种子层，在其上外延生长SiC、MgO、NbN、AlN多层异质外延薄膜，用微加工技术手段制备成器件。它包括MgO单晶衬底基片，NbN/AlN/NbN三层外延结构为体声波谐振器，其中NbN为器件电极；MgO、SiC和NbN外延薄膜组成的多层异质结构为体声波器件的布拉格反射器。本发明晶格失配小、能量损耗低，是一种具有极大实用价值和经济价值的体声波器件，广泛适用于微电子材料领域中。
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公开(公告)号：CN118776672A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410765182.5
申请日：2024-06-14
申请人： 南京大学
IPC分类号： G01J1/44
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度和高信噪比的光电探测方法，通过使用主动光子数滤波方法，对光子数分辨探测的光子信号根据不同的光子数态进行分类，依据光子数态的统计分布自动选取最优的光子数态区间，并使用多光子数态的信号筛选少光子数态的信号，通过贝叶斯估计根据光子数分辨记录的不同光子数态的信号，完成高精度的图像重建，精度达到标准量子极限。本发明方法可以有效剔除无关的噪声光子，在保证信号光子不被大量丢失的情况下，将其提取出来，并且能够有效处理光子数分辨探测的光子信号，从而大幅度提高光子数分辨光电探测系统在复杂环境下的信号重构能力，并且具备更高的动态范围以及噪声容限。
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