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公开(公告)号：CN113003530B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110191010.8
申请日：2021-02-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 梅嘉欣
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其封装结构，该封装结构包括：壳体，具有第一基板、第二基板以及连接第一基板与第二基板的连接板，第一基板的内表面、第二基板的内表面以及连接板的内表面形成空腔，第一基板和第二基板分别沿着壳体的顶面向壳体的底面的方向延伸，第一基板的内表面和/或第二基板的内表面具有导电区；至少一个电极，位于空腔外，并设置在壳体的底面，壳体的底面至少包括连接板的其中一个外表面；以及至少一个导电结构，用于分别经第一基板和/或第二基板将电极电连接至相应导电区。该封装结构简化了MEMS传感器的走线，进而增加了MEMS传感器的可靠性、降低了工艺流程的复杂程度、降低了成本。
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公开(公告)号：CN112897448B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110212913.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括：背板，具有至少一个通孔；感应膜，包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构，运动区与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与背板分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制，从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。
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公开(公告)号：CN112499576B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011295919.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。
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公开(公告)号：CN117509534B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117509529B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117509534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117246972B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311536483.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H10N30/00
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，第一介质层位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧；第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层；空腔在第一衬底上的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底上的正投影；第二衬底，第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧键合。本申请通过在第一衬底上形成第一介质层，并通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，并利用第一介质层与第二衬底键合连接，具有封装尺寸小、制作工序简单等优点。
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公开(公告)号：CN117246975A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311532386.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成的惯性传感器芯片及其制作方法，旨在通过在氧化硅片上形成第一空腔和第二空腔，并在氧化硅片上形成在厚度方向上贯穿其的第一通孔，并且形成的第一通孔在邻近其第一表面具有较大的第一开口，在位于其第二表面上具有相对较小的第二开口；将氧化硅片的第一表面与衬底基板的具有第一器件结构和第二器件结构的一侧表面相键合，并在氧化硅片的背离衬底基板的一侧制作覆盖氧化硅片的氧化硅层，以封闭第一通孔。从而不仅有利于氧化硅片与衬底基板键合的过程中的应力释放，而且也便于对第一通孔进行密封。通过上述晶圆级的封装，实现了低成本的将加速度计传感器芯片与陀螺仪传感器芯片集成在一起。
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公开(公告)号：CN116907466B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311182057.3
申请日：2023-09-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本申请提供一种微机电三轴陀螺仪和电子设备；包括衬底、第一检测组件、第二检测组件、第三检测组件和驱动框架，第一检测组件和第二检测组件位于衬底的同侧且间隔设置；第一检测组件包括第一质量块，第二检测组件包括第二质量块；驱动框架包括间隔设置的第一驱动框架和第二驱动框架；第一检测组件和第二检测组件位于第一驱动框架和第二驱动框架之间；第三检测组件包括第一检测部和第二检测部，第一检测部位于第一驱动框架内，第二检测部位于第二驱动框架内；第一质量块、第二质量块、第一检测部和第二检测部相互独立。即三个检测轴的质量相互独立，彼此不直接连接，因此本申请提供的一种微机电三轴陀螺仪和电子设备，可降低各检测组件之间的干扰。
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公开(公告)号：CN113023664B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110227413.3
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电光电探测芯片以及制备方法。该微机电光电探测芯片包括：衬底；空气腔体，空气腔体位于衬底的第一表面，其中，空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，网状结构薄膜覆盖腔体，且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，腔体用于连通不同的释放孔；悬浮结构，悬浮结构位于衬底的第一表面，悬浮结构覆盖空气腔体，其中，在远离空气腔体的方向上，悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本发明实施例提供的技术方案，降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。
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