公开(公告)号：CN118616725A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310247010.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 周维 ,  罗文坡 ,  陈思怡 ,  朱一鸣

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/065 ,  B22F1/05

Abstract: 本申请提供了一种银粉的制备方法，包括：还原剂溶液和分散剂溶液混合，形成混合液，所述还原剂溶液的浓度大于或等于180g/L，所述分散剂溶液包括至少两种分散剂；向所述混合液中加入硝酸银溶液，反应后过滤得到第一颗粒，所述硝酸银溶液的浓度大于或等于70wt％；采用酸清洗所述第一颗粒后，所述第一颗粒与偶联剂混合，过滤得到第二颗粒；所述第二颗粒进行干燥后，经研磨得到银粉。该制备方法可以制得分散性能佳、振实密度高、热失重率低的类球形银粉。本申请还提供了一种银粉。

公开(公告)号：CN118497701A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410384611.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 郑佳鑫 ,  彭旸 ,  禹跃斌 ,  区灿林 ,  周维

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

Abstract: 本申请提供了微晶硅膜材及太阳能电池片的制备、太阳能电池片及应用。微晶硅膜材的制备方法可在较低的成本下制得具有预期结构的微晶硅膜材，而利用上述微晶硅膜材的制备可得到一种低成本、高效率的太阳电池片的制备方法；此外，本申请实施例提供的太阳能电池片可用于提供一种具有较高光电转换效率的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN118231515A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311826115.1

申请日：2023-12-27

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 宫清 ,  张欢 ,  许宇程 ,  朱一鸣 ,  周维

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种降低太阳能电池光衰的方法及装置、太阳能电池，该降低太阳能电池光衰的方法包括：对所述太阳能电池的电池片进行第一次光注入；以及间隔设定时段，对所述电池片进行第二次光注入。运用该降低太阳能电池光衰的方法，通过间隔设定时段对太阳能电池片进行两次光注入，在实际应用中，可有效降低太阳能电池片的光衰，特别是在第二次光注入后还可以进一步延缓太阳能电池片光衰的速度。

公开(公告)号：CN117510222A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210911044.4

申请日：2022-07-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 周维 ,  徐强 ,  刘维维 ,  吴磊

IPC: C04B37/02

Abstract: 本公开涉及一种用于陶瓷覆铜的活性焊膏组合物、陶瓷覆铜的方法及覆铜陶瓷，以活性焊膏组合物的总重量为基准，活性焊膏组合物含有1～20重量％的第一金属粉末、75～94重量％的第二金属粉末和余量的助焊剂；其中，第一金属粉末含有氢化钛，第二金属粉末含有铜磷银合金。本公开提供的活性焊膏组合物不仅可以降低银含量，而且可以降低焊接温度，同时还增加了Ti与Cu的连接强度，增加焊接强度，使材料不易发生偏析。

公开(公告)号：CN114132929B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010922410.7

申请日：2020-09-04

Applicant: 比亚迪股份有限公司 ,  比亚迪汽车工业有限公司

Inventor： 周维 ,  周芳享 ,  朱一鸣 ,  秦君武 ,  黄鲸华

IPC: C01B32/977 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅粉的制备方法及碳化硅粉。该制备方法包括：S1、将原料进行发泡固化，得到发泡硅胶，其中，原料包括有机硅化合物，及发泡剂；S2、将所述发泡硅胶置于坩埚中，在真空条件或惰性气体下，进行加热分解、合成反应，得到碳化硅粉。通过先将原料发泡固化，得到分散均匀的硅源和碳源，在坩埚的固定空间中，硅源和碳源分散均匀，密度低，有利于合成纳米级和粒度分布均匀的碳化硅粉末，且碳化硅粉纯度高。

公开(公告)号：CN114057196B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010766811.8

申请日：2020-08-03

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 朱一鸣 ,  周芳享 ,  周维

IPC: C01B32/984

Abstract: 本发明提供了一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法，包括：在石墨坩埚的底部铺设第一阻隔材料，将高纯硅粉和高纯碳粉混合成的粉末原料装填在第一阻隔材料上，还在石墨坩埚的侧壁与粉末原料之间装填第二阻隔材料，并在粉末原料内装填气流疏导材料；其中，第二阻隔材料与气流疏导材料的装填高度均高于粉末原料的装填高度；将完成装料的石墨坩埚置于加热炉中，抽至真空后，在充入惰性气体下将炉内温度从室温升至碳化硅粉料的合成温度，保温后降至室温，收集碳化硅块体，对其研磨、退火后，得到高纯α相碳化硅粉料。该制备方法操作简单，所得产物的纯度高、产量大，所用坩埚不会被烧结。

公开(公告)号：CN113897685B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010576175.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 蔡凯 ,  郭少聪 ,  王军 ,  周维

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件，该碳化硅籽晶包括：碳化硅籽晶本体；碳化硅过渡层，所述碳化硅过渡层覆盖在所述碳化硅籽晶本体的背面上；碳层，所述碳层覆盖在所述碳化硅过渡层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上。该碳化硅籽晶可以有效避免背面蒸发问题，提高生长晶体的质量的同时，相邻两层之间的结合力强，脱落风险显著降低。

公开(公告)号：CN115870660A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111155220.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 周维 ,  朱一鸣 ,  徐强 ,  赵文砚 ,  李夏阳

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/30 ,  C04B37/02

Abstract: 本发明涉及一种活性金属焊膏组合物、焊膏及焊接陶瓷与金属的方法，该组合物包括粘结剂和金属粉末；所述金属粉末包括活性金属焊粉和助焊金属粉末；所述助焊金属粉末包含铜粉和/或铜银合金粉；所述活性金属焊粉为铜、银和活性金属的合金粉末；以所述金属粉末总重量为基准，所述活性金属的含量为1.5重量％以上，银的含量为40～90重量％，氧的含量为0.5重量％以下。本公开的活性焊膏组合物的焊接活性高，采用该焊膏组合物对金属和陶瓷进行焊接能提高焊接质量和结合强度；同时，能够降低焊膏的材料成本。

公开(公告)号：CN115274442A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110474595.4

申请日：2021-04-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司 ,  比亚迪汽车工业有限公司

Inventor： 李俊俏 ,  李永辉 ,  周维

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件，该方法包括：提供外延层，利用第一掩膜形成阱区；利用第一掩膜和第二掩膜形成源极区；利用第三掩膜形成接触区；去除所述第三掩膜，并形成阻挡层；去除第一掩膜和第二掩膜；去除部分阻挡层；在未被阻挡层覆盖的外延层上依次形成栅氧化层和栅极；去除阻挡层。该方法中，可以有效避免栅极对准偏差导致的器件不良现象，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN110936674B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201811113955.2

申请日：2018-09-25

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 陈小芳 ,  周维

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  H04M1/18

Abstract: 本发明公开了一种电子设备壳体，所述电子设备壳体包括基体及位于基体上依次层叠的纹理层和镀膜层，所述纹理层中含有无机纳米粒子。本发明电子设备壳体的纹理层中含有无机纳米粒子能够有效降低纹理层的热膨胀系数，使得电子设备壳体纹理层的热膨胀系数与镀膜层的热膨胀系数差值减小，热压成型工艺过程中纹理层与镀膜层间的热应力减小，镀膜层开裂的问题得到明显改善。