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公开(公告)号：CN110391127B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910320328.4
申请日：2019-04-19
申请人： 应用材料公司
发明人： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·阿莫米诺 , 汗赫·阮 , 卡洛尔·贝拉 , 菲利普·艾伦·克劳斯
摘要： 实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括不同的振荡器模块。
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公开(公告)号：CN118335601A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410039090.9
申请日：2024-01-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，提高通过蚀刻对开口进行的形状控制。公开的蚀刻方法包括以下工序：准备具备第一区域和第二区域的基板，第一区域包含第一材料且具有开口，第二区域包含与第一材料不同的第二材料且位于第一区域的下方；以及向基板上供给从处理气体生成的等离子体，来在开口的侧壁形成含碳层以及位于比含碳层靠下方的位置的含金属层，并且经由开口对第二区域进行蚀刻，所述处理气体包含含碳气体、金属卤化物气体以及用于去除卤素的卤素去除气体。
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公开(公告)号：CN118335584A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410434006.3
申请日：2020-01-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和第二冷却。基板支撑组件的特征进一步具有设置在第一底板上并与第一底板热耦合的基板支撑件以及设置在第二底板上并与第二底板热耦合的偏压环。在此，基板支撑件和偏压环均由介电材料形成。基板支撑组件进一步包括：边缘环偏置电极，其嵌入偏压环的介电材料中；以及边缘环，其设置在偏压环上。
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公开(公告)号：CN118335583A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421487.4
申请日：2024-04-09
申请人： 上海谙邦半导体设备有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本申请实施例涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种进气装置及包含该装置的半导体加工设备。其中的进气装置包括第一管道、第二管道和流通结构。第一管道具有供第一类气体流通的第一通道；第二管道，沿第一管道的轴线方向进入第一通道内、并在第一通道内同轴延伸，第二管道具有供第二类气体流通的第二通道，第二通道的末端邻近第一通道的端部设置；流通结构，设置在第二管道上并位于第一通道内，流通结构具有均匀环绕第二管道轴向设置、且朝向与第二管道轴向形成第一预设角度的多个第一气体通道。本申请实施方式提供的进气装置及包含该装置的半导体加工设备，能够在多种气体无预混的情况下，实现多路气体的均匀进气。
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公开(公告)号：CN118335582A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410349756.0
申请日：2024-03-26
申请人： 东莞市晟鼎精密仪器有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种应用于远程等离子源的点火方法、系统及设备。该方案包括采用耦合电容控制放电能量并设置2个点火电源OUT1和OUT2；设置腔室结构，用于与2个点火电源OUT1和OUT2连接，形成电容耦合放电区；利用腔室结构和离子源点火电路设置点火流程；根据历史测试数据学习获得最优的预设时间长；形成最小的MOS管的控制时序；根据最小的MOS管的控制时序完成点火过程后，记录全部的信号录波。该方案在等离子腔室增加点火块，通过试验测试获得最优化的控制曲线，使得每获取一个点火的回路，就能明确能实现打火，有对器件损伤最小的MOS管的控制时序。
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公开(公告)号：CN113871279B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111172533.4
申请日：2017-04-21
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·斯米茨 , J·J·科宁 , C·F·J·洛德韦克 , H·W·穆克 , L·阿塔尔德
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/26 , H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 公开了一种带电粒子束系统，其包括：带电粒子束发生器，其用于产生带电粒子的射束；带电粒子光学列，其布置在真空腔中，带电粒子光学列被布置成将带电粒子的射束投射到目标上，带电粒子光学列包括影响带电粒子的射束的带电粒子光学元件；提供清洁剂的源；导管，其连接到源并且布置成将清洁剂朝向带电粒子光学元件引入；其中带电粒子光学元件包括：带电粒子传输孔，其用于传输和/或影响带电粒子的射束；以及至少一个通气孔，其在带电粒子光学元件的第一侧和第二侧之间提供流动路径；其中通气孔的横截面大于带电粒子传输孔的横截面。此外，公开了一种用于防止或移除带电粒子传输孔中污染的方法，其包括在射束发生器运行时引入清洁剂的步骤。
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公开(公告)号：CN111383899B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911378065.9
申请日：2019-12-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，防止上部电极周边的结露。等离子体处理装置具备处理容器、载置台、上部电极、等离子体处理部、罩构件、冷却部以及气体供给部。载置台配置于处理容器内，作为下部电极发挥功能。上部电极作为载置台的相向电极发挥功能。等离子体处理部通过向载置台和上部电极中的至少任一方供给高频电力来将处理容器内的气体等离子体化，通过等离子体对载置台上的被处理体进行处理。罩构件从上方覆盖上部电极。冷却部设置于罩构件内，使用温度比处理容器的外部气体的露点温度低的制冷剂来冷却上部电极，气体供给部向由罩构件和上部电极覆盖的空间内供给露点温度比外部气体的露点温度低的低露点气体。
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公开(公告)号：CN111161991B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911081919.7
申请日：2019-11-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件，并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此，基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。
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公开(公告)号：CN118318066A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079119.5
申请日：2022-11-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32
摘要： 一种用于处理衬底的喷头，该喷头包含背板以及附接至该背板的面板。该面板包含面向该背板的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及在该第一表面与该第二表面之间延伸的多个通孔。该第一表面与该第二表面中的至少一者是至少部分地轮廓化的。
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