公开(公告)号：CN103038862A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180026308.8

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  滨野邦幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。

公开(公告)号：CN103026458A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180038786.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/027 ,  G02B3/00 ,  G02B7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70275 ,  G02B3/0006 ,  G03F9/703 ,  G03F9/7088

Abstract: 本发明提供一种隔开规定间隔固定有微透镜阵列和掩模的微透镜曝光装置，该微透镜曝光装置能够容易且高精度将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置。曝光用的激光通过微透镜阵列3的微透镜3a而被照射在抗蚀剂膜2上。来自显微镜10的光通过掩模4的Cr膜5的孔5b中，在微透镜3b中透射而照射在抗蚀剂膜2上。通过使用显微镜10观察在该微透镜3b中透射的光是否在抗蚀剂膜2上对准焦点，从而能够判别由微透镜3a聚束于抗蚀剂膜2的曝光光的对准焦点。

公开(公告)号：CN102869474A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021536.6

申请日：2011-04-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/067 ,  H05K3/00

CPC classification number: B23K26/38 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种向印刷配线基板(9)照射激光(L)而在印刷配线基板(9)上的预定的多个位置分别加工孔(22)的激光加工装置，在激光(L)的光路上，从该光路的上游侧依次具备：第二复眼透镜(6)，该第二复眼透镜(6)使激光(L)的强度分布均匀化；第二聚光透镜(7)，第二聚光透镜(7)使从第二复眼透镜(6)射出的激光(L)形成为平行光；微透镜阵列(8)，该微透镜阵列(8)与印刷配线基板(9)对置配置，并与印刷配线基板(9)上的上述多个位置对应地形成多个微透镜(19)。由此，提高多个开孔加工的位置精度，并且缩短开孔加工的生产节拍。

公开(公告)号：CN102714149A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

公开(公告)号：CN102640058A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054737.1

申请日：2010-11-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  桥本和重 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70275

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，其具有：光掩模（10、24），该光掩模形成有与被曝光在TFT用基板（4）的表面上的曝光图案相同形状的掩膜图案，该TFT用基板（4）被保持在载物台（8）上；透镜组装体（11、25），该透镜组装体将多个单元透镜组（15、29）排列在与光掩模（10、24）以及被保持在载物台（80）上的TFT用基板（4）的表面平行的面内，单元透镜组（15、29）是在光掩模（10、24）的法线方向上配置多个凸透镜（14、28）而构成的，能够将形成在所述光掩模（10、24）上的掩膜图案的等倍正立像成像在TFT用基板(4)表面上；和移动单元（12、26），该移动单元使得该透镜组装体（11、25）在与光掩模（10、24）以及载物台（8）上的TFT用基板（4）的表面平行的面内移动。

公开(公告)号：CN102597881A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980162367.0

申请日：2009-11-12

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/14 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/7035

Abstract: 本发明中，光掩模(3)具备：沿着与被曝光体的搬运方向(A)大致正交的方向以规定间距排列形成多个掩模图案(13)的多个掩模图案列(15)；与多个掩模图案列(15)的各掩模图案(13)分别对应而形成在被曝光体侧，并将各掩模图案(13)缩小投影到被曝光体上的多个微型透镜(14)，其中，以在位于被曝光体的搬运方向(A)的排头侧的掩模图案列(15a)所形成的多个曝光图案之间通过后续的掩模图案列(15b～15d)所形成的多个曝光图案能够进行插补并曝光的方式，将上述后续的掩模图案列(15b～15d)及与之对应的各微型透镜(14)沿着多个掩模图案(13)的上述排列方向分别错开规定尺寸。由此，在被曝光体的整面上高分辨率且高密度地形成微细的曝光图案。

公开(公告)号：CN102449740A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022772.5

申请日：2010-05-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/00 ,  B23K26/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: B23K26/352 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/083 ,  B23K26/354 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67259 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及激光退火装置。在沿着被设定成矩阵状的TFT形成区域的纵横方向的任一排列方向搬送基板的同时利用拍摄机构对基板表面进行拍摄，并基于该拍摄图像检测在基板表面预先设定的对准基准位置；将与多个TFT形成区域对应地沿着与基板的搬送方向交叉的方向配置有多个透镜的至少一列透镜阵列，沿着与基板的搬送方向交叉的方向移动，以对准基准位置为基准对透镜阵列的透镜和基板的TFT形成区域进行对位；当基板移动而使TFT形成区域到达透镜阵列的对应透镜的正下方时，向透镜阵列照射激光，从而利用多个透镜使激光聚光以对各TFT形成区域的非晶硅膜进行退火处理。由此，可以跟踪被搬送的基板的移动而使微透镜阵列移动，从而可以提高激光的照射位置精度。

公开(公告)号：CN101990651A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112848.0

申请日：2009-04-02

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  桥本和重

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。

公开(公告)号：CN115461834B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202180030902.8

申请日：2021-05-31

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成 ,  松本隆德 ,  竹下琢郎

IPC: H01J37/18 ,  H01J37/16 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

Abstract: 加工装置具备：差动排气装置，其在头部中的与被处理基板对置的面形成有多个环状槽，该多个环状槽围绕所述头部的中心，在比所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽靠内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，在多个所述环状槽中的至少一个所述环状槽连结真空泵，在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，通过来自所述环状槽的吸气作用将所述处理用空间设为高真空度；以及聚焦离子束柱状体，其具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统而使聚焦离子束穿过所述开口部内而射出，在最内侧的所述环状槽连结原料气体供给部，从该环状槽朝向所述被处理面喷出原料气体而能够使原料气体沿着该被处理面向所述处理用空间移动。

公开(公告)号：CN114270134B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202080058120.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  G02B21/36 ,  G06T7/13 ,  G06T7/70

Abstract: 本发明在显微镜图像测定中，在进行具有超过焦点深度的阶梯差的测定对象物的测定、沿显微镜的光轴方向而不同的位置的图案比较等时，能够进行高精度的测定。显微镜图像测定装置具备：显微镜，对测定对象物的表面照射白色落射光来获得表面的放大像；分光摄像机，获得放大像的分光图像；及图像处理部，按每个波长提取分光图像来进行图像测定处理，显微镜将按每个波长而不同的焦点位置的像成像于分光摄像机的摄像面，图像处理部提取测定部位的对比度最高的波长的分光图像来进行边缘检测。