公开(公告)号：CN114905170A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210101825.7

申请日：2022-01-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  佐野育

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/00 ,  G02B7/00 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明观察装置、观察方法和观察对象物能够更准确地获取关于改性区域的位置的信息。观察装置包括：摄像部，其具有用于使相对于对象物具有透射性的透射光向所述对象物聚光的聚光透镜，用于利用所述透射光对所述对象物进行摄像；用于使所述聚光透镜相对于所述对象物相对地移动的移动部；和用于至少控制所述摄像部和所述移动部的控制部，所述对象物具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面，在所述对象物设置有与所述第1面和所述第2面交叉的Z方向上的位置的实测值已知的标记。

公开(公告)号：CN114799575A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210102182.8

申请日：2022-01-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  佐野育 ,  荒谷知巳

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/00 ,  G02B7/00 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的激光加工装置，其具备：具有光源、物镜和光检测部的摄像单元；使摄像单元在作为上下方向的Z方向上移动的驱动单元；使物镜在Z方向上移动的致动器；和控制部，控制部实行：第一控制，以使摄像对于移动至使背面成为聚光位置的位置的方式控制驱动单元；和第二控制，在第一控制后，以使物镜移动至使背面与表面间的区域即第一区域成为聚光位置的位置的方式控制致动器，并且以使物镜移动至作为使相对于背面为表面的相反侧的区域的第二区域成为聚光位置的位置的方式控制致动器。

公开(公告)号：CN114531857A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202080065237.1

申请日：2020-09-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 佐野育 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明的激光加工装置具备：平台，支撑具有半导体基板与功能元件层的晶圆；激光照射单元，从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光；摄像单元，输出相对于半导体基板具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；和控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射单元；基于从摄像单元输出的信号，来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的表面侧的龟裂到达状态；以及基于判定结果，来导出与激光照射单元的照射条件的调整相关的信息。

公开(公告)号：CN112930244A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980071657.8

申请日：2019-10-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  是松克洋

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工装置具备支撑部、照射部及控制部。照射部具有以与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向的方式成形激光的成形部。控制部具有：决定部，其决定沿着线使聚光区域的一部分相对地移动的情况下的长边方向的朝向，以使长边方向与聚光区域的一部分的移动方向交叉；及调整部，其在沿着线使聚光区域的一部分相对地移动的期间，调整长边方向的朝向以成为通过决定部决定的朝向。

公开(公告)号：CN112789707A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065075.9

申请日：2019-10-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  铃木康孝 ,  佐野育

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  B24B7/00 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置，物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。

公开(公告)号：CN110945629A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048622.8

申请日：2018-07-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  杉浦隆二 ,  近藤裕太 ,  内山直己

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322

Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。

公开(公告)号：CN110520967A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880025360.3

申请日：2018-04-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  田口智也

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53

Abstract: 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物，在加工对象物的第二主面形成蚀刻保护层；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列蚀刻保护层与蚀刻保护层的表面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过在蚀刻保护层形成于第二主面的状态下，从第二主面侧对加工对象物实施干式蚀刻，分别沿切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。

公开(公告)号：CN106413974B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201580028163.3

申请日：2015-03-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  伊崎泰则 ,  松永麻美子

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/046 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/083 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/54 ,  C03B33/0222

Abstract: 激光加工装置(300)具备：射出激光(L)的激光光源(202)、将激光(L)聚光于加工对象物(1)的聚光光学系统(204)、对激光(L)进行调制以使激光(L)被分支成至少包含第1加工光及第2加工光的0次光及±n次光(n为自然数)并且第1加工光被聚光于第1聚光点且第2加工光被聚光于第2聚光点的反射型空间光调制器(203)、以及将被聚光于加工对象物(1)的0次光及±n次光中相对于第1加工光及第2加工光而被聚光于外侧的光遮断的光遮断部(220)。

公开(公告)号：CN106163724A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580017834.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  荻原孝文

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/53 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/07

Abstract: 激光加工装置(300)具备激光光源(202)、聚光光学系统(204)、控制部(250)、以及反射型空间光调制器(203)。控制部(250)以及反射型空间光调制器(203)将以从聚光位置沿着激光(L)的光轴朝向激光(L)的入射侧将理想聚光位置仅偏移了规定距离的状态下的像差修正量聚光于该聚光位置的情况下所产生的像差作为基准像差，在最接近加工对象物(1)的表面(3)的第1区域或者距加工对象物(1)的表面(3)的距离为规定距离以下的第1区域形成改质区域时，以成为较基准像差的基准聚光长度长的第1聚光长度并且成为较基准像差的基准聚光强度弱的第1聚光强度的方式调整像差。

公开(公告)号：CN103299401B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201180064900.7

申请日：2011-12-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 奥间惇治 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/16 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00 ,  B23K26/08 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  B23K26/0622

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/18 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具备具有与c面成偏离角的角度的表面（12a）的六方晶系SiC基板（12）的板状的加工对象物（1）。接着，将脉冲振荡后的激光（L）的聚光点（P）对准于SiC基板（12）的内部，以脉冲间距为10μm～18μm的方式沿着切断预定线（5a,5m）将激光（L）照射于加工对象物（1）。由此，沿着切断预定线（5a,5m），将作为切断起点的改质区域（7a,7m）形成于SiC基板（12）的内部。