公开(公告)号：CN104254923A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380019485.2

申请日：2013-02-27

申请人： 可持续能源联合有限责任公司 ,  阿文戈亚太阳能新技术股份有限公司

发明人： D·S·艾尔宾 ,  M·罗梅洛 ,  N·弗拉 ,  S·C·基梅内斯 ,  J·M·古铁雷斯 ,  E·S·科特从

IPC分类号： H01L31/0272

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/22 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： 提供了用于形成具有CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2膜的太阳能电池的系统和方法。在一种实施方案中，一种方法包括：在第一阶段(220)期间，通过氯化铟(InClx)蒸气(143、223)和Se蒸气(121、225)的气相传输进行质量传输以便在基底(114、210、230、250)上沉积半导体膜(212、232、252)；加热所述基底(114、210、230、250)和所述半导体膜至期望的温度(112)；在所述第一阶段(220)之后的第二阶段(240)期间，通过氯化铜(CuClx)蒸气(143、243)和Se蒸气(121、245)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输；和在所述第二阶段(240)之后的第三阶段(260)期间，通过氯化铟(InClx)蒸气(143、263)和Se蒸气(121、265)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输。

公开(公告)号：CN104169459A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013651.8

申请日：2013-01-18

申请人： 纳沃萨恩公司

发明人： B·D·哈克特曼 ,  J·博尼古特 ,  钱清 ,  D·R·霍拉斯 ,  刘晓东

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/243 ,  C23C14/3428 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3455 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 在柔性衬底上沉积薄膜光伏电池的沉积系统包括与所述罩壳外部的环境流体地隔离的罩壳，以及在罩壳中的多个沉积室。所述多个沉积室中的至少一个沉积室包含磁控溅射装置，其将一种或多种靶材的物质流引向布置在所述多个沉积室的至少一个沉积室中的所述柔性衬底的一部分。所述罩壳中的衬底释放辊提供柔性衬底，所述柔性衬底被引导通过所述多个沉积室的每一个到达罩壳中的衬底卷取辊。所述罩壳中的至少一个导辊被配置成将所述柔性衬底引向或引出所述多个沉积室中的给定沉积室。

公开(公告)号：CN102712996B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201080060968.3

申请日：2010-12-03

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 生泽正克 ,  高见英生 ,  田村友哉

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  H01L31/032

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种溅射靶，其特征在于，含有碱金属，包含IB族元素、IIIA族元素和VIA族元素，并且具有黄铜矿型晶体结构。本发明提供一种溅射靶，其适用于通过一次溅射来制作包含IB-IIIA-VIA族元素的黄铜矿型晶体结构的光吸收层，包含IB-IIIA-VIA族元素，并且具有黄铜矿型晶体结构。

公开(公告)号：CN104014828A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410263779.6

申请日：2014-06-13

申请人： 山东大学

发明人： 邢佑强 ,  邓建新

IPC分类号： B23B27/00 ,  B23K26/36 ,  B23K26/60 ,  C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06

CPC分类号： B23P15/28 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/14 ,  C23C14/325 ,  C23C14/35

摘要： 本发明属于机械切削刀具制造领域，涉及了一种WS2/Zr软涂层微纳复合织构陶瓷刀具的制备方法。该刀具基体材料为陶瓷，首先采用激光加工技术在陶瓷刀具前刀面加工出不同形貌及尺寸的微米织构；然后采用激光加工技术在负倒棱及前刀面上加工出纳米织构；最后采用中频磁控溅射沉积+多弧离子镀法在织构刀具表面沉积WS2/Zr软涂层；其中刀具表面为WS2/Zr软涂层，软涂层与基体之间有一层Zr过渡层。该陶瓷刀具在切削时能够有效减小刀屑之间的摩擦，降低切削力及切削温度，改善刀具抗磨损能力，从而提高刀具寿命。该陶瓷刀具可以广泛的应用于干切削和难加工材料的切削加工。

公开(公告)号：CN103956396A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410211155.X

申请日：2014-05-19

申请人： 攀枝花学院

发明人： 范文娟 ,  邹敏 ,  常会 ,  霍红英 ,  夏冬

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18 ,  C23C14/35

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0324 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/086 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术。本发明解决了现有多元化合物叠层太阳能电池由于采用CuIn、GaSe及GaAs等价格不菲且有毒的原料导致成本较高且不环保的问题，提供了一种硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池及其制备方法，其技术方案可概括为：硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池由顶层N型氧化锌薄膜设置在基片上方，顶层P型硫化亚锡薄膜设置在顶层N型氧化锌薄膜上方，底层N型氧化锌薄膜设置在顶层P型硫化亚锡薄膜上方，底层P型硫化亚锡薄膜设置在底层N型氧化锌薄膜上方，铝电极设置在底层P型硫化亚锡薄膜上方组成。本发明的有益效果是，有效降低了成本，工艺简单，可以增加光电转化效率，适用于太阳能电池。

公开(公告)号：CN103681960A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310588262.X

申请日：2013-11-21

申请人： 山东希格斯新能源有限责任公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0322 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/26 ,  C23C14/352 ,  C23C14/5806

摘要： 本发明公开了一种制备CIGS薄膜的前驱层CIG的多步溅射工艺的方法，采用磁控溅射设备在普通基板玻璃上，采用金属靶材Mo溅射背电极Mo层、合金靶材CuGa和InCu溅射CIG前驱层、蒸发涂布Se，热处理Cu、Ga、In、Se四种元素结晶得到高性能的光电薄膜CIGS。所述溅射CIG前驱层，是采用合金靶材InCu替换金属In溅射沉积，结合CuGa靶材进行双合金靶材共溅射方法或者交替多层溅射方法制备，其中核心合金靶材CuIn、CuGa比例是：Cu：Ga的比例是30:70—90:10之间，In与Cu的比例是90:10—98:2之间，靶材合金化合物存在的形式可以是：InCu、In2Cu、InCu2。通过本发明从而避免In溅射出现nodlue、In氧化和打火问题，导致溅射速率低，CIG薄膜出现黑点、针孔、溅射不稳定的现象。

公开(公告)号：CN103548153A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023367.4

申请日：2012-05-30

申请人： 韩国能源技术研究院

发明人： 安世镇 ,  尹载浩 ,  郭智惠 ,  赵雅拉 ,  尹庆勋 ,  申基植 ,  安承奎 ,  赵俊植 ,  朴相炫 ,  鱼英柱 ,  柳镇洙 ,  朴柱炯 ,  金庆岩

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5866 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN103459650A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280007567.0

申请日：2012-01-31

申请人： 索里布罗有限公司

发明人： 尤亨·马蒂亚松

IPC分类号： C23C8/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23F1/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C8/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/243 ,  C23C16/448 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49986

摘要： 本发明涉及蒸镀装置，其包含坩埚(1)和加热器(2)，该加热器被设置以用于加热在该坩埚(1)内的蒸发物料(3)，其中该坩埚(1)包含金属主体(11)和包含氧化钛(TixOy)的保护层(13)，其覆盖该金属主体(11)的内表面(12)至少一部分。此外，本发明涉及用于为这样的蒸镀装置产生坩埚的方法。

公开(公告)号：CN103228815A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057520.0

申请日：2011-10-13

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司

发明人： G·E·盖尔比 ,  R·T·尼尔森

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F2999/00 ,  C23C14/0623 ,  B22F7/062 ,  B22F3/04

摘要： 本发明涉及一种翻新溅射靶的方法，所述方法包括：提供包含温度敏感性合金并具有靶材已消耗的区域的溅射靶；提供具有包含所述期望的温度敏感性合金的第一相的粉末到所述表面上；以及在低于损坏所述温度敏感性合金的温度下将所述粉末压制在所述表面上，以形成翻新的靶。

公开(公告)号：CN103026477A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180021286.6

申请日：2011-05-03

申请人： 英特莫里库尔公司

发明人： J·李 ,  U·阿瓦柴特 ,  G·张 ,  T·强 ,  C·亨特

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L31/0516 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本公开涉及形成可被组合地改变和评估的不同类型的Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池和铜铟镓二硒化物(CIGS)太阳能电池的方法。这些方法都包括使用组合处理工具形成位置隔离的区域以及使用这些位置隔离的区域来形成太阳能电池区域。因此，多个太阳能电池可在单个衬底上快速形成用于在组合方法中使用。所述方法的单独过程中的任一个可组合地改变以测试变化的过程条件或材料。