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公开(公告)号：CN113430642B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110730287.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 降低异质外延偏压阈值的方法，它为了解决BEN工艺为获得合适外延形核率时偏压阈值较大的问题。降低偏压阈值的方法：一、在衬底上蒸镀一层铱薄膜，然后进行退火处理，衬底的背面和侧面沉积金膜，得到Ir复合导电衬底；二、对CVD腔体抽真空；三、升高CVD腔体内气压和微波发生器的功率分别至22～32Torr和1300W～1900W，衬底升温；四、通入甲烷气体，开启偏压电源，升高偏压至250～325V；五、金刚石生长过程。本发明通过降低CVD腔体气压有效的降低获得足够高外延形核率时所需的偏压阈值，起到了节省能源，降低成本的作用，同时获得足够高的形核密度以及良好的形核均匀性。
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公开(公告)号：CN115044973A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210673216.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法，本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高，色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法：一、清洗；二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜，复合金属膜呈间隔的条纹状；三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内，启动微波发生器，升高气压和功率，使金刚石表面温度达到700～1000℃，通入甲烷和掺杂元素气体，进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案，通过CVD原位沉积横向外延生长，工艺流程简单，制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品，从而有效提升色心的自旋相干性能。
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公开(公告)号：CN114016130B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111328057.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法，它为了解决CVD单晶金刚石生长过程中籽晶漂移和导热不良的问题。焊接方法：一、将超声清洗过的多个单晶金刚石籽晶底面朝上放置于等离子体清洗机基板上，然后进行氧等离子体表面预处理；二、采用磁控溅射镀膜设备，在单晶金刚石籽晶表面镀上金层；三、镀层后的单晶金刚石籽晶和样品托一同放入MPCVD金刚石生长设备中，对生长舱内抽真空，当生长舱内气压达到200‑250Torr、微波输入功率达到2500‑3500W、镀层后的单晶金刚石籽晶温度达到950‑1050℃时进行原位焊接。本发明可一次性快速对多个籽晶进行焊接，连接层均匀、连接牢固，提高冷却效果。
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公开(公告)号：CN114989479A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210355944.5
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08J9/28 , C08J3/00 , C08L79/08 , C08L77/10 , C08K5/5419
Abstract: 一种聚酰亚胺/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备方法，它涉及隔热气凝胶的制备方法。本发明要解决现有聚酰亚胺隔热气凝胶加工方法复杂，隔热性能差，且无法同时兼具优异的隔热性、热稳定性、力学性能、阻燃性和疏水性的问题。制备方法：一、制备表面具有高化学活性的芳纶纳米纤维；二、制备可溶性聚酰亚胺与芳纶纳米纤维的PI/ANF复合水凝胶；三、PI/ANF复合凝胶表面功能化；四、制备PI/ANF复合气凝胶。本发明用于聚酰亚胺/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备。
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公开(公告)号：CN114695133A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210300888.5
申请日：2022-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/373 , B23K26/382 , B23K26/402
Abstract: 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法，涉及三维芯片的制备方法。本发明要解决当金刚石应用于3D‑IC集成时，现有传统TSV制备及相应集成工艺不完全适用于金刚石，存在高深宽比金刚石通孔制备难、高深宽比金刚石通孔的电镀沉铜难以及如何进行三维集成工序相兼容的问题。方法：一、金刚石通孔的制备；二、金刚石和芯片的键合；三、金刚石通孔的金属填充；四、表面抛光及清洗。本发明用于带通孔金刚石集成三维芯片的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628249A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210258284.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法，本发明解决半导体器件在金属‑半导体接触处会产生较大的能量损耗等问题。制备欧姆接触的方法：在清洗后的金刚石上匀胶处理，再进行光刻处理，然后在光刻后的金刚石表面磁控溅射沉积Fe层，经过清洗去胶，将表面镀制有铁的金刚石置于石英管中密封，石英管内充有保护气体，然后转移至管式炉中，在800～950℃下退火处理，在本征金刚石表面制备欧姆接触。本发明通过控制退火温度和时间获得最小的接触电阻率，极大提高了导电性能，触点结合性能较好可以长时稳定的工作，由于Fe的存在引线难度降低易于表面形成机械稳定的接触，降低了表面整体石墨化的温度，简化了制备流程。
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公开(公告)号：CN112695382B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011466532.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于网格化结构电极提高金刚石异质外延生长均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石领域，它为了解决金刚石大面积外延生长均匀性差的问题。一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长。本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，辉光层的均匀性提高也使得金刚石外延形核的均匀性得以提高。
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公开(公告)号：CN114016130A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111328057.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法，它为了解决CVD单晶金刚石生长过程中籽晶漂移和导热不良的问题。焊接方法：一、将超声清洗过的多个单晶金刚石籽晶底面朝上放置于等离子体清洗机基板上，然后进行氧等离子体表面预处理；二、采用磁控溅射镀膜设备，在单晶金刚石籽晶表面镀上金层；三、镀层后的单晶金刚石籽晶和样品托一同放入MPCVD金刚石生长设备中，对生长舱内抽真空，当生长舱内气压达到200‑250Torr、微波输入功率达到2500‑3500W、镀层后的单晶金刚石籽晶温度达到950‑1050℃时进行原位焊接。本发明可一次性快速对多个籽晶进行焊接，连接层均匀、连接牢固，提高冷却效果。
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公开(公告)号：CN113957522A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111000448.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，本发明属于微波等离子体辅助化学气相沉积领域，它要解决现有MPCVD装备沉积面积小、沉积速率低、难以长时稳定生长的问题。本发明MPCVD装置中微波谐振腔下方设置有矩形波导和同轴波导，矩形波导的一端连接有微波产生系统，同轴波导的下部与矩形波导管相连通，同轴波导的上端与微波谐振腔相通，同轴天线与水冷台一体化结构同轴套设在同轴波导内，同轴天线与水冷台一体化结构由天线组件和升降水冷件同轴套设组成，在微波谐振腔的顶部开有匀气腔。本发明微波等离子体化学气相沉积装置，最大程度优化了多模等离子体谐振腔，有效增加了沉积面积，提高了功率密度和沉积速率。
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公开(公告)号：CN113782505A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111123106.7
申请日：2021-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/373 , H01L21/18 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种金刚石散热片的表面平滑化及连接方法，涉及金刚石散热片的连接方法。本发明要解决利用纳米/微米金属烧结技术键合时，大尺寸连接存在压力过大对器件的可靠性影响大，若无压烧结则只能实现小尺寸连接，且烧结层孔隙率大，严重影响其导热性和可靠性的问题，解决利用原子扩散键合技术键合时，存在对金刚石材料表面粗糙度要求高，需要超真空，金刚石和硅片镀完金属层后未及时压合会导致键合效果不佳的问题。方法：一、沉积过渡层金属/金复合金属镀层；二、涂覆纳米金属浆料并热压烧结键合；三、模板剥离并保留金刚石上金属层；四、表面活化清洗；五、键合。本发明用于金刚石散热片的表面平滑化及连接。
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