直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法

    公开(公告)号:CN109742026B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN201910136716.7

    申请日:2019-02-25

    Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN‑HEMTs的方法,本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法,它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法:一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞;二、超声清洗SiC基片;三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点;四、沉积金刚石层;五、将上表面的金刚石膜层去掉,留下孔洞中金刚石膜层;六、超声清洗;七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积,金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高,热导率较高,金刚石与SiC结构类似,相容性好,制备的金刚石位于器件下方,有针对性地将热点热量极快导出。

    一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法

    公开(公告)号:CN117761399A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311795371.9

    申请日:2023-12-25

    Abstract: 一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法,本发明的目的在于解决高阻半导体尤其是氧终端本征金刚石难以使用TLM测试比接触电阻的问题。测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法:一、取制备好欧姆接触TLM电极图案的氧终端本征金刚石作为金刚石样品;二、将金刚石样品放入微波等离子体化学气相沉积设备中,通入氢气,激活等离子体,进行氢化处理,得到氢化后的金刚石样品;三、将氢化后的金刚石样品放置在空气中进行转移掺杂;四、使用传输线法测试样品的比接触电阻。本发明将未被欧姆接触电极覆盖的氧终端金刚石表面转变为可二维空穴气导电、电阻极小的氢终端表面,降低了半导体薄层电阻,增大测试电流,减少了小电流造成的测试误差。

    一种连续多界面仿生梯度骨软骨支架及其制备方法

    公开(公告)号:CN115887071B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202211119776.6

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明提供了一种连续多界面仿生梯度骨软骨支架及其制备方法,其解决了现有骨软骨梯度支架的梯度层间存在成分突变、界面应力、分层等界面现象的技术问题。骨软骨支架包括浅表层、连续多界面仿生梯度多孔支架;连续多界面仿生梯度多孔支架主要由聚己内脂、钙磷盐生物陶瓷粉末熔融沉积成形,其设有从上到下相叠的软骨层、致密层和多孔下层,软骨层、致密层、多孔下层的钙磷盐生物陶瓷粉末的重量百分含量依次增大,且相邻两层交界呈过渡状态;浅表层为细胞传递复合水凝胶、人脂肪间充质干细胞的混合物,涂覆在软骨层的上表面;软骨层的孔隙内种植有软骨细胞;本发明还提供了骨软骨支架的制备方法;可广泛应用于医用生物材料制备与组织工程技术领域。

    带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法

    公开(公告)号:CN116475418A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310479246.0

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法,本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法:一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽;二、抛光;三、超声清洗;四、沉积第一SiO2绝缘层;五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A;六、沉积热电偶材料A薄膜;七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B;八、沉积热电偶材料B薄膜;九、胶连补偿线;十、沉积第二SiO2绝缘层;十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列,能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布,发现热应力集中点。

    一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法

    公开(公告)号:CN114657533B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210360654.X

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 一种在Mo衬底上制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法,本发明是为了解决现有以金属衬底,采用CVD法制备纳米金刚石得到的纳米金刚石数量少、形状不规则的问题。制备具有规则晶型的纳米金刚石颗粒的方法:一、清洗Mo片及Mo托;二、将Mo片放置在MPCVD装置的沉积系统腔体内,Mo托放置在Mo片上,抽真空后通入H2和CH4,调节微波功率,进行气相沉积,得到带有纳米金刚石的Mo片;三、关闭沉积系统,冷却后将带有纳米金刚石的Mo片放入去离子水中超声,得到纳米金刚石分散液。本发明通过Mo托将等离子体位置提高,使等离子体边缘远离Mo片,减小H等离子体刻蚀,在Mo衬底上制备得到了具有规则晶型的纳米金刚石颗粒。

    利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法

    公开(公告)号:CN111584382B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202010345111.1

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法,本发明属于半导体材料及器件技术领域,它要解决现有在异质结两相相接界面处电荷状态分布、电子输运特性难以采用常规方法进行精确测量的问题。表征方法:一、对金刚石基底进行清洗;二、通过CVD法在金刚石基底表面生长NV色心层;三、使用显微镜聚焦到金刚石上生长的NV色心层,测得测试点处的第一次拉曼光谱;四、在生长NV色心层的金刚石表面生长待测的异质结;五、再次测得测试点处的拉曼光谱;将测试点处的第一次拉曼光谱与第二次拉曼光谱进行对比。本发明通过在界面连接处的金刚石亚表面层使用MPCVD法生长含有NV色心的薄层,能够准确的表征出异质界面状态的改变。

    一种3D打印电池电极的制备方法

    公开(公告)号:CN114103115B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111158716.0

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本申请提供了一种3D打印电池电极的制备方法,其解决了现有电池电极不能防止SEI膜破裂并抑制锂枝晶生长的技术问题;包括:(1)根据器件尺寸设计打印模型,并将打印模型导入3D打印机中,设置打印参数;(2)将打印浆料加入3D打印机中进行打印,获得电池电极;打印浆料主要由电极活性材料、导电剂、粘结剂和光聚合剂按比例配制而成;(3)将步骤(2)得到的电池电极置于紫外灯下进行光固化反应,固化时间为10‑40分钟,随后在室温条件下干燥24h;(4)将步骤(3)得到的电池电极放入水热反应釜中进行水热反应,水热介质为浓度为0.01‑2mg/ml的氧化石墨烯溶液;(5)将步骤(4)得到的电池电极干燥后进行真空烧结处理。本申请广泛应用于电池电极技术领域。

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