公开(公告)号：CN114093890A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111335062.4

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  肥塚纯一 ,  羽持贵士

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。

公开(公告)号：CN114068724A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111357360.3

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  肥塚纯一 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜。源电极和漏电极都包括第一导电膜以及在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜。第一导电膜包含钛，第二导电膜包含铜，第二导电膜的端部包括具有包含铜的化合物的区域。

公开(公告)号：CN113990756A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111244655.X

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置，提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。

公开(公告)号：CN107026089B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201710352132.4

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体装置的方法，提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN105793994B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN113540253A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110607331.1

申请日：2011-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

Abstract: 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。

公开(公告)号：CN106537604B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201580038493.0

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  岛行德 ,  保坂泰靖

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极。氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比大于M(M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)的原子个数比的第一区域。第二氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域。第二区域包括薄于第一区域的部分。

公开(公告)号：CN110600485A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910839846.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN105960712B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201580007515.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN110226219A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008351.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序。