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公开(公告)号：CN110527973B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910925306.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
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公开(公告)号：CN112030228B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010953193.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于多颗MPCVD单晶金刚石共同生长的桥接控温方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决在多颗MPCVD单晶金刚石生长过程中种晶间温度不均匀导致生长速率、品质不一致的问题。桥接控温方法：一、采用激光切割和摩擦机械抛光种晶侧面，使得每个种晶侧面都为(100)晶面；二、在水冷台上等间距放置多颗预处理的种晶；三、通入氢气，控制微波发生器的功率和种晶温度，进行氢等离子体预刻蚀；四、调整输入微波功率和腔体内气压，控制种晶温度为950～980℃，使种晶侧面横向生长，完成多颗MPCVD单晶金刚石的桥接。本发明使种晶快速横向生长桥接，建立起单晶或多晶导热通路，实现多颗种晶同时均匀控温的效果。
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公开(公告)号：CN110106496B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910537327.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种半球形/共形内外表面异质膜层沉积的原子层沉积系统及其使用方法，涉及一种原子层沉积系统及其使用方法。本发明是要解决现有的原子层沉积系统只能进行平面衬底的膜层制备或非平面衬底所有表面膜层的制备，无法对半球形/共形内外表面进行异质膜层沉积的技术问题。本发明采用了前驱体换向阀、外壁前驱体进气口及内壁前驱体进气口，通过前驱体换向阀的调节，可以使前驱体只进入球形/共形基底内表面或外表面，从而实现在内外表面单独沉积，能够有效解决内外表面无法生长异质膜层的难题。本发明实现了在球形/共形内外表面均匀生长膜层，实现了基体上膜厚的不均匀性小于1％(Al2O3薄膜)。
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公开(公告)号：CN109202065B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811450897.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金纳米颗粒修饰银纳米线的制备方法，本发明涉及纳米材料制备领域。本发明要解决现有一维银纳米线导电性能欠佳以及透光性弱的技术问题。方法：一、去除银纳米线表面活性剂；二、稀释悬浮液；三、金纳米颗粒修饰银纳米线。本发明制备的金纳米颗粒修饰的银纳米线，具有良好的分散性，金纳米颗粒分布均匀，尺寸均一。本发明用于制备金纳米颗粒修饰银纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111560602A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109183146B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811213111.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN108677155B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810503029.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，本发明涉及碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的制备方法。本发明要解决现有物理方法普遍存在着反应温度高、设备操作复杂、反应时间长的缺点，且传统的铜膜一次碘化成膜制备的碘化亚铜薄膜，存在电学性能和光学性能低的问题的问题。方法：一、靶材和衬底的清洗；二、Cu薄膜的制备；三、制备单层CuI薄膜；四、循环制备CuI复合薄膜，即完成室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN108682717B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810582199.1
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法，本发明属于探测器领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的电极作用单一，相邻电极间空隙大的问题。制备方法：一、将单晶CVD金刚石置于沸腾的混酸浴内处理，得到清洗后的金刚石；二、将掩膜板固定在金刚石的表面，金刚石的背面粘贴在玻璃片上；三、金刚石置于真空磁控溅射镀膜系统内，采用磁控溅射沉积金电极，沉积生长四个圆心角为90°扇形结构的金电极；四、分离掩膜板；五、将镀有金电极的金刚石固定在焊盘上，电极分别用导线与pcb焊盘上条形电极连接。本发明制备了一种新型金刚石位置灵敏探测器，具有电极结构简单、电极面积大、电极间空隙小以及粒子束透过率高等优点。
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公开(公告)号：CN111235637A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010108245.1
申请日：2020-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CVD金刚石表面非晶碳的去除方法，本发明属于晶体生长技术领域法。本发明要解决现有CVD金刚石表面非晶碳的去除方法存在成本低，效率低，且会对被处理材料和试件造成损伤甚至破裂，且无法去除结构和形貌特殊的金刚石表面的非晶碳问题。方法：一、紫外光照射；二、配制溶液；三、加热处理。本发明用于CVD金刚石表面非晶碳的去除。
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