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公开(公告)号：CN118843534A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202280093317.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B26D7/32
Abstract: 本发明提供一种在谋求生产节拍时间的缩短、堆叠时的金属箔片的错位的减少、以及金属箔片的伤痕的减少的同时使从金属箔的切断到堆叠的一系列的作业自动化的金属箔的切断堆叠方法。该方法包含以下的工序：(a)从金属箔卷向基座上退卷出金属箔；(b)在第一位置利用卡盘机构夹持退卷出来的金属箔的局部；(c)在利用卡盘机构夹持金属箔的同时在基座上切断金属箔，做成单个化的金属箔片；(d)通过使卡盘机构移动到第二位置，从而将由卡盘机构夹持的金属箔片输送到与基座分离的堆叠部；(e)在第二位置自卡盘机构释放金属箔片，由此将金属箔片堆叠于堆叠部；以及(f)使卡盘机构移动以向第一位置返回，在该方法中，利用至少1个装置自动地实施且重复(a)～(f)的各工序。
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公开(公告)号：CN114641531B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202080075849.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C08L53/02 , C08L65/00 , C08L71/12 , C08K5/5419 , C08K3/36 , C08F299/00 , B32B15/08 , H05K1/03 , H05K3/46
Abstract: 提供呈现优异的介电特性、对低粗糙度表面的高密合性、耐热性、以及优异的耐水性的树脂组合物。该树脂组合物包含下述成分：(a)成分在一分子中具有聚苯醚骨架及丁二烯骨架，并且具有选自由乙烯基、苯乙烯基、烯丙基、乙炔基及(甲基)丙烯酰基组成的组中的至少1种的聚合物；以及(b)包含苯乙烯丁二烯骨架的聚合物及(c)包含环烯烃骨架的聚合物中的至少一者，相对于(a)成分、(b)成分及(c)成分的合计含量100重量份，(a)成分的含量为15重量份以上且60重量份以下，并且(b)成分及(c)成分的合计含量为40重量份以上且85重量份以下。
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公开(公告)号：CN113646469B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202080023976.4
申请日：2020-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在穿孔后进行化学溶液处理的情况下，也能够抑制晶种层缺损的发生。另外，提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在进行了高温压制加工的情况下，也会有效地防止金属等从第一蚀刻牺牲层向晶种层的扩散，其结果能够发挥蚀刻牺牲层原本具有的牺牲效果。该印刷电路板制造用金属箔依次具备第1蚀刻牺牲层、第2蚀刻牺牲层和铜层，将所述第1蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r1、将所述第2蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r2时，满足r1＞r2＞1.0。
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公开(公告)号：CN118829747A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025157.7
申请日：2023-03-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供能够兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的偏斜度Ssk大于0.35。粗糙化处理面具有多个粗糙化颗粒，每1μm2的粗糙化颗粒的体积为0.05μm3以上且0.12μm3以下。Ssk是依据JIS B0681‑2：2018在不进行基于S滤波器的截止且基于L滤波器的截止波长为1.0μm的条件下测定的值。每1μm2的粗糙化颗粒的体积是在利用激光显微镜对粗糙化处理面进行解析而得到的三维表面波形中，将高度为0μm的基准面以上的区域的总体积除以测定面积而得到的值。
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公开(公告)号：CN118805004A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025158.1
申请日：2023-03-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供能够兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的偏斜度Ssk大于0.35，并且突出峰部的实体体积Vmp与中心部的实体体积Vmc之和即Vmp+Vmc为0.10μm3/μm2以上且0.28μm3/μm2以下。Ssk是依据JIS B0681‑2：2018在不进行基于S滤波器的截止且基于L滤波器的截止波长为1.0μm的条件下测定的值。Vmp和Vmc是依据JIS B0681‑2：2018在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118765537A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202280092634.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种同时实现较高的密合性和优异的高频特性的电路板的制造方法。在该电路板的制造方法中，该电路板具备高频电路，高频电路包含基材、接地层及信号层，至少信号层是源自铜箔的层，该制造方法包含以下的工序：(a)设想使用无粘接剂层的铜箔制造高频电路，设计具有预定的阻抗Z1的高频电路的规格；以及(b)替代在规格中设想的无粘接剂层的铜箔而以使粘接剂层存在于基材和信号层之间的方式使用带粘接剂层的铜箔形成信号层，除此以外，按照规格形成高频电路，由此制造高频电路具有大于Z1的阻抗Z2的电路板。
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公开(公告)号：CN114630921B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080076435.8
申请日：2020-08-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明涉及由层叠结构构成的间隙配置部件，提供不易因加热而发生层间剥离的新型的间隙配置部件。本发明的间隙配置部件的特征在于，其是在溅射靶的基材(简称为“基材”)的表面侧配置多个靶部件时，沿着相邻的靶部件之间的间隙、介于上述靶部件与基材之间的间隙配置部件，其中，上述间隙配置部件形成在厚度方向上层叠三层以上而成的多层结构，在靶部件侧的层(也称为“表面层”)与基材侧的层(也称为“背面层”)之间具有中间层，构成上述中间层的材料的线膨胀系数在构成上述表面层的材料的线膨胀系数与构成上述背面层的材料的线膨胀系数之间的范围内。
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公开(公告)号：CN118715599A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022219.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 一种接合体的制造方法，其中，在被接合体与第2被接合体之间形成包含铜颗粒的糊剂的涂膜之后，对该涂膜进行加热，从而形成使该铜颗粒烧结而成的接合层，作为所述铜颗粒，包含平均一次粒径为0.06μm以上且1.0μm以下、并且250℃下的微晶直径D2(nm)相对于150℃下的微晶直径D1(nm)的增加比例(D2‑D1)/D1×100为5％以上的铜颗粒，将所述涂膜在150℃以上且350℃以下的加热温度下保持45分钟以下而使所述铜颗粒烧结。
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公开(公告)号：CN118647689A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019822.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供吸收率足够高且内量子效率高的荧光体粉末、含荧光体组合物、发光元件和发光装置。该荧光体粉末的通过激光衍射散射式粒度分布测定法测定的粒径小于2.5μm的颗粒的体积频率的总和为10％以上，并且粒径2.5μm以上且10μm以下的颗粒的体积频率的总和为10％以上且90％以下，进而体积粒度分布中的累积50％直径(D50)为10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN113366684B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202080011183.0
申请日：2020-09-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种硫化物固体电解质，其在使用了CuKα1射线的X射线衍射测定中在2θ＝20.0°以上且24.0°以下的范围观察到衍射峰A，在2θ＝24.4°以上且26.4°以下的范围观察到衍射峰B，在将所述峰A的强度设定为IA、将所述峰B的强度设定为IB时，IA与IB之比即IA/IB的值为2.0以下。硫化物固体电解质优选包含锂元素、磷元素、硫元素和卤族元素。硫化物固体电解质还优选具有硫银锗矿型晶体结构。硫化物固体电解质还优选包含卤化锂的水合物。
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