公开(公告)号：CN215986893U

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202121003533.7

申请日：2021-05-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 簗瀬优

IPC: G03F1/62

Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统。本实用新型提供的防护薄膜框架，其为EUV曝光用的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器；提供一种防护薄膜，在所述防护薄膜框架张设防护膜；提供一种带防护薄膜的曝光原版，其为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有所述防护薄膜；且提供一种曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

公开(公告)号：CN218146932U

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202220709419.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型提供一种能够稳定地形成结晶取向性优异且高品质的刚玉型结晶薄膜，具有刚玉型结晶结构的半导体膜，的厚膜的层叠体的制造系统、层叠体以及半导体装置。所述层叠体包括具有刚玉型结晶结构的半导体膜，所述层叠体的制造系统包括：将基体载置于载台的机构；对所述基体进行加热的机构；使成膜用原料溶液雾化的机构；使所述雾化的成膜用原料溶液与载气混合而形成混合气体的机构；以及将所述混合气体供给至所述基体进行成膜的机构，将所述载台的与所述基体的接触面、以及所述基体的与所述载台的接触面的表面粗糙度Ra设为0.5μm以下。

公开(公告)号：CN218089887U

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202220401629.7

申请日：2022-02-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本实用新型是一种可制成能够更容易均匀地形成高品质的膜的制膜系统与制膜装置，包括：将原料溶液雾化而形成原料雾的机构；将原料雾与载气混合而形成混合气的机构；载台，载置基体；将混合气从混合气供给单元供给至基体并在基体上进行制膜的机构；对制膜后的混合气进行排气的机构；通道板，以隔着空间与基体相向的方式配置于基体上；以及凸部，以遮挡混合气的气流偏离从混合气供给单元朝向排气单元的方向的方式形成于通道板的一部分和/或载台的一部分，通道板与凸部以形成比通道板与基体之间的空间中的最短距离d1小的宽度d2的空隙的方式配置。

公开(公告)号：CN217691180U

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202220507104.1

申请日：2022-03-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇寛

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本实用新型提供一种抑制凹坑而表面的平滑性良好的镓系氧化物半导体膜及其成膜系统、半导体装置。所述镓系氧化物半导体膜具有刚玉结构，膜厚为0.05μm～100μm，在所述镓系氧化物半导体膜的表面，开口径10nm～10μm且深度10nm～10μm的凹坑为10000个/cm2以下。

公开(公告)号：CN216624316U

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202122341476.X

申请日：2021-09-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 山冈裕 ,  仲田悟基 ,  植森信隆 ,  斋藤刚 ,  小沢周作 ,  佐藤伸一 ,  宇佐美健人 ,  仓田昌実 ,  佐藤正彦 ,  阿部司 ,  野口毅

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 本实用新型涉及一种移载系统以及移载机。即：针对排列于第一基板上的元件，一边修正其位置偏移一边使用激光光向第二基板移载。获取第一基板上的元件的实际位置信息，按照基于可容许的位置偏移量所决定的基准进行分组，以各组为单位，以元件的位置限制于可容许的位置偏移量的范围内的方式修正第一基板的位置，从第一基板的背面照射激光而向第二基板移载元件。由此，可针对每个组一边进行位置偏移量的修正一边移载元件，由此具有下述效果，即：可高速制作所移载的所有元件的位置精度在可容许的位置偏移量以内的第二基板。

公开(公告)号：CN215416267U

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202120107916.2

申请日：2021-01-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 簗瀬优

IPC: G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种防护薄膜框架及使用所述防护薄膜框架的防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光系统、以及半导体或液晶显示板的制造系统，所述防护薄膜框架通过将对于检查光的框架内表面的反射率设置得低，而可尽可能地抑制来自框架的散射光，可提高异物检查性，并且通过降低仅对于检查光的波长的反射率，而框架的着色等的限制少。所述防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，且其中：所述防护薄膜框架的至少内侧面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下；一种防护薄膜组件，其中：包括所述防护薄膜框架作为结构要素。

公开(公告)号：CN221421215U

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202220709474.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型是一种层叠结构体，包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，本实用新型提供一种包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体、半导体装置以及所述层叠结构体的制造系统，所述结晶性氧化物膜在适用于半导体装置的情况下，半导体特性优异。

公开(公告)号：CN219591348U

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202222549967.8

申请日：2022-09-27

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  山田雅人 ,  小川敬典

IPC: H01L21/67 ,  H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/428

Abstract: 本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。

公开(公告)号：CN217781272U

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202220709479.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人和歌山大学

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛 ,  宇野和行 ,  太田茉莉香

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型为一种成膜系统，其进行结晶性氧化物膜的成膜包括：原料溶液制造部，制造用于进行雾化的原料溶液且为包含含有金属元素的溶质与溶媒的原料溶液；雾化部，将所制造的所述原料溶液喷雾化或液滴化而生成雾；搬送部，通过载气来将所述雾搬送至成膜部；以及成膜部，从喷嘴向基板上供给所述雾，并在所述基板上进行热处理而进行成膜，并且所述原料溶液制造部包括搅拌部件，所述搅拌部件在将包含金属元素的溶质混合于溶媒中并加以搅拌时，将温度设为30℃以上来进行搅拌。由此，可提供一种成膜速度优异的、即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的成膜系统。

公开(公告)号：CN120010184A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411614790.2

申请日：2024-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润

IPC: G03F7/004 ,  C07D333/76 ,  C07C309/42 ,  C07C25/18 ,  C07C381/12 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供无论正型或负型皆为高感度，且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：双鎓盐，含有具有直接键结于被碘原子取代的芳香族基团的磺酸阴离子结构及直接键结于该芳香族基团或间隔含有1个以上的原子的连接基团而键结的羧酸阴离子结构的2价阴离子、以及鎓阳离子。