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公开(公告)号：CN1261727C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02155778.0
申请日：2002-12-04
CPC classification number: G05D23/1393
Abstract: 一种载冷剂供给装置，将纯水等的载冷剂调整成适合于所述负荷的目标温度于循环地供给至少一个负荷，具有：设在流动有从所述负荷侧返回的载冷剂载冷剂冷却流路中的、利用工业用水冷却所述载冷剂用的热交换器；对所述载冷剂加热用的加热器；设在所述冷却流路与所述加热流路的连接部上的混合部；设在所述混合部的出口侧的混合部出口侧温度传感器；根据来自所述混合部出口侧温度传感器的输出来调整冷却后的载冷剂与加热后的载冷剂的混合比的混合调整装置；作为设在所述混合部与所述负荷之间的储罐、即构成使所述载冷剂以缓慢低速度地通过其中的、具有约10升以上容积的储罐，因此，可降低装置的运转成本且使装置小型化，并可稳定控制载冷剂的温度。
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公开(公告)号：CN1650416A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809924.1
申请日：2003-05-23
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67173 , C23C14/56 , H01L21/67748
Abstract: 本发明是一种基板处理装置及处理方法，其可抑制利用载体所致处理室环境的污染，且可连续进行稳定搬送及高品质的基板处理，其目的在于提供一种可对应今后不断进展的大型基板，并可对应各种基板尺寸具有高通用性的基板处理装置及处理方法，本发明的基板处理装置包括，加载互锁真空室，搬入装载有基板的载体；基板转移室，具有用来在与载体之间进行基板转移的转移机构；基板处理室，对于基板进行规定处理，其特征在于具备在上述加载互锁真空室及上述基板转移室之间可移动的第一载体，以及可移动在上述基板转移室及上述基板处理室之间的第二载体，并利用上述转移机构，可使基板在上述第一及第二载体之间转移。
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公开(公告)号：CN1612288A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410085160.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 安内华株式会社
Inventor： 石原雅仁
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67201 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本申请公开了一种衬底加热装置，包括将装料锁定室的内部分成两个区域的隔板。位于隔板中的内部开口由隔离阀关闭，同时通过抽气管道使衬底被输送到其中的第二区域抽空到真空压力。打开隔离阀之后，载体穿过内部开口传送衬底，从而将衬底接触到设置在第一区域中的加热体上。以另外的方式，打开隔离阀之后，载体穿过内部开口传送加热体，从而在第二区域中将衬底接触到加热体上。本申请同样公开了一种衬底处理系统，包括输送室和都位于输送室周围的装料锁定室和处理室。
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公开(公告)号：CN1607438A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410085047.9
申请日：2004-10-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1341 , H01L21/67051
Abstract: 在制造其包括有面板组件的液晶板的方法中，管嘴机构位于面板组件的液晶注入孔附近，并且该管嘴机构的吸气口与液晶注入孔之间留有一空间。管嘴机构抽吸周围气体以在液晶注入孔附近产生负压以及连续气流。负压可排出注入到面板组件中的过量液晶，同时连续气流吹掉了所排出的液晶。所吹掉的液晶被吸入到面板组件的吸气口中。由此，可在很短的时间内将面板组件的间隙调节到位于适当范围之内。
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公开(公告)号：CN1603455A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410079478.4
申请日：2004-08-27
Applicant: 安内华株式会社
Inventor： 石原雅仁
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564
Abstract: 本申请公开了一种薄膜沉积装置，包括一个真空室和一个将真空室内部分隔为两部分的隔板。基底可以通过隔板上的内部开口。内部开口由阀门关闭。薄膜在第一区域沉积到基底上。在沉积之前，基底在第二区域由加热器加热。加热时，基底由一固定器以点接触固定。加热过程中，加压气体被输入第二区域，从而将压力增大到粘滞流动范围。抽气管抽空第一区域使其始终保持真空压力。抽气管也从第二区域抽出输入的加压气体，使第二区域在阀门打开时处于真空压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599953A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824097.9
申请日：2002-12-03
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 提供一种用于半导体制造装置的静电吸盘组件，其可用水冷却，并且不发生穿透泄漏。通过调节Cu基复合材料中的具有大的热膨胀系数的Cu和Ni以及具有小的热膨胀系数的W和Mo的比，可以得到具有与用于静电吸盘的氧化铝材料相同的热膨胀系数的高热导材料。但是，由于该复合材料具有穿透泄漏，不能在真空系统中使用。根据本发明，通过进行锻造处理，可防止击穿泄漏。同时，通过电镀或溅射施加Ni、Cr或Cu膜可改进对冷却板来说很重要的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN1454745A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03136774.7
申请日：2003-04-16
Applicant: 安内华株式会社
IPC: B23Q3/15
CPC classification number: H01L21/67103 , B23Q3/154 , H01J37/32082 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1453833A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03121837.7
申请日：2003-04-21
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
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公开(公告)号：CN100343950C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410085160.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 安内华株式会社
Inventor： 石原雅仁
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67201 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本申请公开了一种衬底加热装置，包括将装料锁定室的内部分成两个区域的隔板。在将该衬底从大气外部输入和将该衬底输出到大气外部时，所述输送阀打开所述输送开口，所述第二区域处于大气压力，并且同时所述内部开口由该隔离阀关闭；在所述衬底被输送到保持器中之后并且在所述输送开口由输送阀关闭之后，抽气管道开始将该第二区域抽空，同时所述隔离阀保持关闭；在第二区域中的压力成为抽空所需的真空压力之后，打开隔离阀之后，载体穿过内部开口传送衬底到达第二区域，从而将衬底接触到设置在第一区域中的加热体上，以在真空压力下加热所述衬底。本申请同样公开了一种多室衬底处理系统，包括输送室和都位于输送室周围的装料锁定室和处理室。
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公开(公告)号：CN1327280C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410085047.9
申请日：2004-10-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1341 , H01L21/67051
Abstract: 在制造其包括有面板组件的液晶板的方法中，管嘴机构位于面板组件的液晶注入孔附近，并且该管嘴机构的吸气口与液晶注入孔之间留有一空间。管嘴机构抽吸周围气体以在液晶注入孔附近产生负压以及连续气流。负压可排出注入到面板组件中的过量液晶，同时连续气流吹掉了所排出的液晶。所吹掉的液晶被吸入到面板组件的吸气口中。由此，可在很短的时间内将面板组件的间隙调节到位于适当范围之内。
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