公开(公告)号：CN115966536A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211238710.9

申请日：2022-10-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  李钟旼 ,  崔智旻 ,  李瑌真

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。

公开(公告)号：CN117750775A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310546365.3

申请日：2023-05-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  李炅奂

IPC分类号： H10B51/50 ,  H10B51/20 ,  H10B51/30

摘要： 一种三维半导体存储器件，包括：衬底上的第一贯通结构，第一贯通结构布置在第一方向上；电极，与第一贯通结构相邻，并且在第一方向上沿第一贯通结构水平地延伸；以及铁电层，介于电极和第一贯通结构之间。第一贯通结构中的每一个包括：第一导电柱和第二导电柱，在第一方向上彼此间隔开；以及沟道层，从第一导电柱的侧壁延伸到第二导电柱的侧壁，沟道层介于铁电层与第一导电柱和第二导电柱之间，第一导电柱和第二导电柱在第一方向上彼此间隔开并且限定第一气隙。第一贯通结构中的相邻的第一贯通结构限定第二气隙。

公开(公告)号：CN117119791A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310586525.7

申请日：2023-05-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  李炅奂 ,  赵珉熙

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一单晶半导体图案，包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的第一垂直沟道区，第二源极/漏极区在比第一源极/漏极区高的水平处；第一栅电极，面对第一单晶半导体图案的第一侧表面；第一栅极电介质层，该第一栅极电介质层包括在第一单晶半导体图案和第一栅电极之间的部分；以及互补结构，与第一单晶半导体图案的第二侧表面接触，其中互补结构包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN116471834A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310002803.X

申请日：2023-01-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申讃优 ,  姜赫镇 ,  李东焕 ,  李全一 ,  金珉宇 ,  宋正宇

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

公开(公告)号：CN116234310A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211444368.8

申请日：2022-11-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  吉奎炫 ,  白头山 ,  尹燦植 ,  韩正勳

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L27/02

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极介电层，在基底上，栅极介电层在其侧表面处包括凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅电极结构上；以及间隔件结构，在基底上并覆盖栅极介电层的侧表面、栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面，间隔件结构包括第一间隔件、在第一间隔件上并覆盖凹槽的第二间隔件和在第二间隔件上的第三间隔件，第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。

公开(公告)号：CN116133403A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202210327981.5

申请日：2022-03-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  金永埈 ,  金真范

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件，包括：有源图案；栅结构，连接到所述有源图案；位线结构，连接到所述有源图案；掩埋接触部，连接到所述有源图案；接触图案，覆盖所述掩埋接触部；着接焊盘，连接到所述接触图案；以及电容器结构，连接到所述着接焊盘，其中，所述掩埋接触部包括彼此间隔开的第一生长部分和第二生长部分，并且所述着接焊盘包括在所述第一生长部分和所述第二生长部分之间的插入部分。

公开(公告)号：CN115910991A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210361368.5

申请日：2022-04-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔慜贞 ,  李瑌真 ,  李全一 ,  李钟旼

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532

摘要： 公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。

公开(公告)号：CN115810591A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210501876.9

申请日：2022-05-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔智旻 ,  李全一 ,  李钟旼 ,  李周益

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。

公开(公告)号：CN110872698A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910724828.4

申请日：2019-08-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安星柱 ,  李全一 ,  山本薰 ,  李章熙 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

摘要： 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。

公开(公告)号：CN117715436A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311184841.8

申请日：2023-09-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李全一 ,  李炅奂

IPC分类号： H10B51/30

摘要： 一种半导体器件包括衬底。多个水平结构堆叠在衬底上并且彼此间隔开。多个垂直结构穿透多个水平结构。多个垂直结构中的每一个垂直结构包括垂直源极线、垂直位线、沟道层和电介质层。沟道层与垂直源极线和垂直位线直接接触。电介质层位于多个水平结构与沟道层之间。多个水平结构中的每一个水平结构包括：第一导电层、围绕第一导电层的至少一部分的铁电层、以及位于铁电层与电介质层之间的第二导电层。