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公开(公告)号：CN110718551B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910298105.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/10 , H01L21/768 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B43/10 , H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/40
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：外围电路结构，包括外围电路绝缘层；中间连接结构，位于所述外围电路绝缘层上，所述中间连接结构包括中间连接绝缘层，并且所述中间连接绝缘层的底表面与所述外围电路绝缘层的顶表面接触；堆叠结构，位于所述中间连接结构的侧面上；以及沟道结构，垂直地延伸通过每个堆叠结构，其中，所述中间连接绝缘层的至少一个侧表面是倾斜表面，所述中间连接绝缘层的横截面积沿着远离所述外围电路绝缘层取向的向上方向减小。
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公开(公告)号：CN111312715B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201910836005.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个电极层交替地堆叠在基板上。半导体器件包括穿过堆叠结构的多个虚设沟道结构。此外，半导体器件包括接触结构，该接触结构与所述多个虚设沟道结构中的与其相邻的至少一个接触，并与所述多个电极层中的一个接触。
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公开(公告)号：CN116487359A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310086894.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金光洙
IPC: H01L23/498 , H10B80/00 , H05K1/18
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：基板，包括在基板的顶表面上的多个基板焊盘；在基板上的第一半导体芯片；在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；以及在第一半导体芯片的顶表面上并且联接到基板焊盘的多个第一接合线。第一半导体芯片包括第一下信号焊盘、与第一下信号焊盘横向间隔开的第二下信号焊盘、以及电连接到第一下信号焊盘和第二下信号焊盘的下信号再分布图案。第一接合线中的一个联接到第一下信号焊盘。第一接合线中的任何一个不在第二下信号焊盘的顶表面上。
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公开(公告)号：CN112071849A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010320593.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括在衬底上的栅电极。栅电极在垂直方向上彼此间隔开。沟道穿透栅电极并在垂直方向上延伸。隧道绝缘图案形成在沟道的外侧壁上。电荷俘获图案结构形成在隧道绝缘图案的在水平方向上邻近栅电极的外侧壁上。电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案。阻挡图案形成在邻近的栅电极中的每个和电荷俘获图案结构之间。上电荷俘获图案的上表面高于邻近的栅电极的上表面。下电荷俘获图案的下表面低于邻近的栅电极的下表面。
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公开(公告)号：CN112071847A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010991841.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718551A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910298105.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：外围电路结构，包括外围电路绝缘层；中间连接结构，位于所述外围电路绝缘层上，所述中间连接结构包括中间连接绝缘层，并且所述中间连接绝缘层的底表面与所述外围电路绝缘层的顶表面接触；堆叠结构，位于所述中间连接结构的侧面上；以及沟道结构，垂直地延伸通过每个堆叠结构，其中，所述中间连接绝缘层的至少一个侧表面是倾斜表面，所述中间连接绝缘层的横截面积沿着远离所述外围电路绝缘层取向的向上方向减小。
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公开(公告)号：CN106572773B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201580043483.6
申请日：2015-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A47L9/0081 , A47L5/22 , A47L5/225 , F04D25/08 , F04D29/4253 , F04D29/444 , F04D29/626
Abstract: 一种真空吸尘器，具有能够增强抽吸性能的改进的结构，其包含设置在主体中的抽吸单元，所述抽吸单元包含设置为通过围绕其轴线旋转而抽吸空气的叶轮，以及设置为引导从所述叶轮排出的空气的扩散器。所述扩散器包含内壳体；外壳体，设置为与所述内壳体的外周间隔开以形成路径，从所述叶轮排出的空气流过所述路径；以及设置在所述内壳体处的多个叶片，以将从所述叶轮排出的空气引导到所述路径，且所述多个叶片朝向所述外壳体突出，以跨越所述路径的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109755302A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811284747.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/732
Abstract: 提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：主分离结构，设置在基底上，并在平行于基底的表面的第一方向上延伸；栅电极，设置在主分离结构之间；第一次级分离结构，穿透位于主分离结构之间的栅电极，并且包括具有彼此相对的端部的第一线性部分和第二线性部分；第二次级分离结构，设置在第一次级分离结构与主分离结构之间且穿透栅电极。第二次级分离结构在第二线性部分和主分离结构之间具有彼此相对的端部。
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公开(公告)号：CN108231780A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711401074.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11551
CPC classification number: G11C29/006 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C11/34 , G11C29/1201 , G11C29/48 , H01L27/11578 , H01L27/11551
Abstract: 一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括第一连接区域、第二连接区域；以及单元阵列区域，设置在所述第一连接区域和第二连接区域之间。所述存储器件还包括：电极结构，包括垂直堆叠在所述衬底上的多个电极，其中每个所述电极具有暴露在所述第一连接区域上的焊盘；以及虚拟电极结构，设置为与所述电极结构相邻，并且包括垂直堆叠在所述衬底上的多个虚拟电极。每个虚拟电极具有暴露在所述第二连接区域上的虚拟焊盘。所述电极结构包括第一楼梯结构和第二楼梯结构，所述第一楼梯结构和第二楼梯结构均包括暴露在所述第一连接区域上的电极的焊盘。所述第一楼梯结构沿第一方向延伸，并且所述第二楼梯结构沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN101329454B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810100520.4
申请日：2008-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金光洙
CPC classification number: H05K5/02 , G02F1/133308 , G02F2001/133314
Abstract: 本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括显示图像的显示单元；支撑显示单元的壳体；分别组合在显示单元的后侧的外围区域并通过壳体支撑的一对支撑件；以及具有高于支撑件的热阻并使支撑件相互连接的连接件。
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