公开(公告)号：CN109254499B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN105489660B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510647147.4

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰豪 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  李相旻

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L27/32 ,  A61B5/024

CPC classification number: H01L51/0097 ,  A61B5/02427 ,  A61B5/6826 ,  H01L27/3225 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。

公开(公告)号：CN105489660A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510647147.4

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰豪 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  李相旻

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L51/0097 ,  A61B5/02427 ,  A61B5/6826 ,  H01L27/3225 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L33/06 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/56

Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。

公开(公告)号：CN107768331B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN114156270A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111043036.4

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  权玟禹 ,  韩相然 ,  金尚元 ,  金俊秀 ,  申铉振 ,  李殷奎

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的底表面和内侧表面上的栅极电介质层、在栅极沟槽的下部中设置在栅极电介质层上的导电层、在导电层的上表面上设置在栅极电介质层上的侧壁绝缘层、设置在导电层上的石墨烯层以及设置在石墨烯层上在侧壁绝缘层之间的掩埋绝缘层。

公开(公告)号：CN105319854B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％‑约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。

公开(公告)号：CN109256328A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M-O-C键或M-C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN106054533A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610028493.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  赵连柱

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/36 ,  G03F7/09 ,  G03F7/0017

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm-约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。

公开(公告)号：CN109307983B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。