公开(公告)号：CN109324474B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201810722896.2

申请日：2018-07-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李珉贤 ,  申铉振 ,  郑盛骏 ,  朴晟准

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F7/00

摘要： 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。

公开(公告)号：CN106340442B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201610397903.7

申请日：2016-06-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑盛骏 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供了形成石墨烯纳米图案的方法、包含石墨烯的装置以及制造该包含石墨烯的装置的方法。形成石墨烯纳米图案的方法可以包括在基板上形成石墨烯层、在石墨烯层上和基板的被暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域上形成嵌段共聚物层、通过去除嵌段共聚物的多个第一区和多个第二区之一而由嵌段共聚物层形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为蚀刻掩模将石墨烯层图案化成纳米级。嵌段共聚物层可以形成为直接接触石墨烯层。嵌段共聚物层可以形成为直接接触基板结构的暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域。

公开(公告)号：CN105280813B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510423238.X

申请日：2015-07-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许镇盛 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L41/08

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/028 ,  H01L31/113 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L33/34 ,  H01L45/04 ,  Y02E10/547

摘要： 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。

公开(公告)号：CN109254499A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/00

摘要： 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括由式1表示的结构和溶剂，其中在式1中，R1-R8、X和M详细地描述于具体实施方式部分中。式1

公开(公告)号：CN103996681B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/792 ,  H01L29/47 ,  H01L29/788 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L51/05 ,  G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

摘要： 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN106410002A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC分类号： H01L33/14

摘要： 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN106067739A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC分类号： H02N1/04

摘要： 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN103996681A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

摘要： 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN103715197A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310305626.9

申请日：2013-07-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金英培 ,  金京旻 ,  白寅圭 ,  朴晟准

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L21/8239 ,  G11C16/02

CPC分类号： H01L45/145 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/943

摘要： 本发明提供具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法。存储器件包括：基板；在基板上的第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上方，第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在第一电极层与第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到第一电极层和第二电极层之一；以及字线，连接到第一电极层和第二电极层的另一个。

公开(公告)号：CN103187966A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210596242.2

申请日：2012-12-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹*俊 ,  金尚昱 ,  朴晟准 ,  D·赛欧 ,  李荣姬 ,  李昌承

IPC分类号： H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20

摘要： 公开了一种反相器器件。反相器器件包括可调二极管器件和二极管器件。二极管器件包括：控制端子，连接到反相器器件的输入端子；阳极端子，连接到高电平电压端子；以及阴极端子，连接到反相器器件的输出端子，其中，二极管器件被配置为根据施加到控制端子的电压导通或截止。