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公开(公告)号:CN1825548B
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN200510138091.6
申请日:2005-12-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社 , 三星SDI德国有限责任公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种形成导电图案的方法,其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案,使用该方法制造的有机薄膜晶体管,以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件,在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽,通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。
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公开(公告)号:CN1790749B
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200510119451.8
申请日:2005-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L27/32 , H01L21/336 , H01L51/40 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外,该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
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公开(公告)号:CN1979912B
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200610159524.0
申请日:2006-09-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 源极和漏极具有双层结构以支持使用激光束来形成有机半导体层的图案的一种有机薄膜晶体管,以及具有该有机薄膜晶体管的一种平板显示设备。该有机薄膜晶体管包括:栅极;与栅极绝缘的源极和漏极;与栅极绝缘并形成有电连接至源极和漏极的图案部分的有机半导体层;以及形成在源极和漏极上的保护层。
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公开(公告)号:CN101924140A
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN201010136377.1
申请日:2006-04-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L29/78651 , H01L29/78681 , H01L51/0017
Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括:衬底;安置在衬底上的栅极电极;彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极;以及与栅极电极绝缘的半导体层,接触源极和漏极电极的每一个,并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
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公开(公告)号:CN100585901C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200510003495.4
申请日:2005-11-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管,和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括:形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极;和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。
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