-
公开(公告)号：CN101165938B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610160585.9
申请日：2006-10-19
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6-C30芳基和未取代或取代的C2-C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。
-
公开(公告)号：CN101621076B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
-
公开(公告)号：CN101714569A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910224556.8
申请日：2006-09-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0017 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。
-
公开(公告)号：CN102110706A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010549611.3
申请日：2010-11-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 提供了一种有机发光显示器和及其制造方法。一种有机发光显示器，包括：在基板上的栅电极；与所述栅电极绝缘的有源层；与所述栅电极绝缘并接触所述有源层的源电极和漏电极；在所述有源层与所述源电极和漏电极之间的绝缘层；光阻挡层，其在所述有源层上并且阻挡来自所述有源层的预定波长的光；以及电连接至所述源电极和漏电极中的一个的有机发光装置。
-
公开(公告)号：CN102097486A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010518645.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机电致发光设备。该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应栅电极并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，基于按原子计100％的Hf、In和Zn的总浓度，氧化物半导体层中的Hf的浓度按原子计在大约9％至大约15％；源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别形成为在氧化物半导体层的两侧上以及栅极绝缘层上延伸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064188A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010250566.1
申请日：2010-08-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置，该薄膜晶体管通过将像Hf一样电负性与氧的电负性有巨大差值并且原子半径与Zn或Sn的原子半径相似的材料添加到由ZnSnO形成的氧化物半导体来形成有源层，以调整载流子浓度并提高氧化物半导体的可靠性。
-
公开(公告)号：CN101621076A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
-
公开(公告)号：CN1983662B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200610159812.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0017 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。
-
公开(公告)号：CN101794809A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010002358.X
申请日：2010-01-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/38
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。
-
公开(公告)号：CN101350313B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810133317.7
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.033 seconds)
