公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN102386235A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259212.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  苏炳洙 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。

公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。