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公开(公告)号：CN103443323A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280013584.5
申请日：2012-04-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅，并且能够形成耐蚀性及耐热性优异、且低电阻的膜。导电性膜形成用银合金溅射靶由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，或者由具有还含有0.1～1.5质量%的In的成分组成的银合金构成，银合金晶粒的平均粒径为120～400μm，或含有In时为120～250μm，晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。
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公开(公告)号：CN102197488B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980141877.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。
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公开(公告)号：CN102422716A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020770.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05B33/26 , C22C21/06 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H05B33/24
Abstract: 本发明提供构成上部发光型有机EL元件的阳极层的具有高反射率、高导电性且平均面粗糙度和接触电阻低的Al合金反射电极膜。形成上部发光型有机EL元件的阳极层的反射电极膜，由按照质量%计，Mg为0.5～15%，La、Ce、Pr、Nd、Eu中的1种或2种以上的总量为0.5～10%，余量包含Al和不可避免的杂质的Al合金，或除了Mg为0.5～15%，Ce为0.5～10质量%以外，Ni、Co中的1种或2种的总量为2～9质量%或Pd为4～15质量%，余量包含Al和不可避免的杂质的Al合金来构成，由此形成具有高反射率、高导电性，平均面粗糙度低，与ITO、AZO等空穴注入电极膜的接触电阻低的反射电极膜。
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公开(公告)号：CN110199051A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007717.5
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 小见山昌三
Abstract: 本发明的Cu-Ni合金溅射靶具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围含有Ni，氢的含量小于5质量ppm，氧的含量为500质量ppm以下，碳的含量为500质量ppm以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成，最大直径为2μm以上的孔隙的数量在溅射面内的每1mm2的区域为一个以下。
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公开(公告)号：CN105473760B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201480046016.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用，含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn、0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103958727B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280058004.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H01L51/5218 , H05B33/26
Abstract: 本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN103548421B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201280024915.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L51/5218 , C22C5/06 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H05B33/26
Abstract: 本发明提供一种导电性膜及其制造方法以及用于该制造方法的溅射靶，该导电性膜具备低电阻且高反射率的特性，并且表面粗糙度较小，且兼备较高的耐硫化性及耐热性。本发明的导电性膜由具有如下成分组成的银合金构成：该银合金含有0.1～1.5原子%的In及Sn中的至少任一种，还含有0.1～3.5原子%的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成。该导电性膜适合用作在表面层叠有有机EL元件的透明导电膜，并且进一步在该透明导电膜上层叠有含有机EL层的电致发光层的有机EL元件用的反射电极膜。
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公开(公告)号：CN104838038A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063841.0
申请日：2013-12-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种Ag-In合金溅射靶，该Ag-In合金溅射靶在形成由Ag-In合金构成的反射电极膜的溅射时，降低异常放电或飞溅的发生。本发明的Ag-In合金溅射靶具有含有0.1～1.5原子％的In且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成的成分组成，元素：Si、Cr、Fe及Ni的各个含量为30ppm以下，并且，其合计含量为90ppm以下。
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公开(公告)号：CN102041414B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010516156.7
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及光记录介质用铝合金反射膜以及用于形成该反射膜的溅射靶材。发明提供了具有充分的耐腐蚀性的同时具有优良的表面平滑性、即使在湿热环境下也具有较小的表面粗糙度的光记录介质用铝合金反射膜及用于形成该反射膜的溅射靶材。该反射膜由下述组成的铝合金形成，该组成含有Mg：3-8质量％以及Ce：3-8质量％、还含有总计为2-9质量％的Ni、Co中的一种或两种、且余量部由Al以及不可避免的杂质构成。由此，在具有充分的耐腐蚀性以及表面平滑性的同时，即使在湿热环境下也能维持较小的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN102421931A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020030.9
申请日：2010-10-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/3414 , H01L51/5218 , Y10T428/21
Abstract: 有机EL元件的反射电极膜形成用银合金靶，其是具有含有In：0.1～1.5质量%，剩余部分由Ag和不可避免的杂质构成的成分组成的银合金靶，其特征在于，该合金的晶粒的平均粒径为150～400μm，上述晶粒的粒径偏差为平均粒径的20%以下。
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