一种可观测超声条件下聚合物结晶过程的偏光显微镜装置

    公开(公告)号:CN101980066B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010186229.0

    申请日:2010-05-26

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 刘丽 周杰 吴文潭

    Abstract: 本发明涉及一种可观测超声条件下聚合物结晶过程的偏光显微镜装置。它包括一个安置在光源发生器上方的样品台,样品台固定在一个上下开口的圆筒形加热装置中,该加热装置的外侧装有一个超声发生装置,样品台上搁置一个像转移装置,像转移装置上方设置一个观测装置。像转移装置利用透镜成像原理,将超声作用下的聚合物结晶貌图像转移至可观察区域,再利用观测装置对超声作用下聚合物的动态结晶过程进行观察研究。本发明极大扩展了偏光显微镜的应用范围。

    脉冲磁场调控热塑性半晶聚合物聚集态结构的方法及装置

    公开(公告)号:CN102030911A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010023091.2

    申请日:2010-01-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场调控热塑性半晶聚合物聚集态结构的方法及装置。该该方法为:将聚合物样进行干燥处理;在惰性气氛下,将聚合物原料置于脉冲磁场下,或者将聚合物先消除热历史后,再置于脉冲磁场下;控制脉冲磁场强度、频率;并同时以2℃/分钟~10℃/分钟的升温速率加热至聚合物熔点以上20~30℃,保温10~20分钟;以2℃/分钟~10℃/分钟的降温速率降温至聚合物熔点以下75℃~95℃,使聚合物进行等温结晶5~240分钟,再以2℃/分钟~10℃/分钟的降温速度降温至室温;或者以2℃/分钟~10℃/分钟的降温速率匀速降温至室温。本发明采用脉冲磁场能改变热塑性半晶聚合物的结晶行为,从而实现结构的可控,性能的优化。

    太阳能采光系统控制器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101026345A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710038778.1

    申请日:2007-03-29

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E70/30

    Abstract: 本发明涉及一种太阳能采光系统控制器。它包括一个微控制器、连接微控制器的按键、实时时钟、PC机和GPS设备、以及电源,所述的微控制器的输出控制信号连接至一个驱动光电池板及采光装置的微型电机,所述的微型电机输出反馈信号经一个精密电位器和一个A/D转换器,反馈连接至微控制器,构成反馈回路;所述的电源是一个光电池和一个纽扣电池经一个电源控制模块和所述的A/D转换器连接至微控制器,微控制器的一个输出端经一个DC-DC转换器连接所述的电源控制模块的输入端。本发明的控制器功耗极低,不仅能在晴朗、多云天气正常工作,而且在阴天、自然光照不理想的情况下也能实现最大程度采光。

    一种联合空间时间轴的双视点立体视频稳定方法

    公开(公告)号:CN106534833B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201611115334.9

    申请日:2016-12-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了种联合空间时间轴的双视点立体视频稳定方法,首先分别对输入的左右视频做时间轴维度的视频稳定,利用特征点匹配估计出视频的帧间运动轨迹,通过卡尔曼滤波和低通滤波平滑运动轨迹并填补视频中丢失像素。然后对左右视进行空间轴维度的视频稳定,计算稳定后的左右视频中匹配特征点的垂直视差,根据该视差进行实时校正,减少左右视频之间的垂直视差。最后分别对左右视频进行稳定调整,进步提高视频的稳定性。本发明是种视频稳定性能好、鲁棒性高的视频稳定方法,能够对由相机抖动、相机内部感光元件的不致性以及当前工艺的不精确所导致的左右视点间的垂直视差进行修正,可提高观看3D视频的舒适度。

    采用静态补偿定子磁链模型的异步电机动态效率测试方法

    公开(公告)号:CN103066912A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210487363.3

    申请日:2012-11-27

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P80/116

    Abstract: 本发明涉及一种采用静态补偿定子磁链模型的三相异步电机动态效率测试方法。该方法包括:将电机三相定子直接与工频(50Hz)三相交流电相接,利用霍尔传感器对异步电机定子电压和电流进行检测,利用锁相环技术获得电压与电流之间的相位关系并得出电机输入功率,采用静态补偿定子磁链模型获得电机电磁转矩、转差以及转子角速度,并考虑机械损耗和附加损耗,从而得到电机的输出功率。本方法能够准确、实时地检测出三相异步电机在以工频(50Hz)同步角频率运行时拖动不同负载情况下的运行效率。

    一种基于无人艇的自主水样采集系统

    公开(公告)号:CN107340155A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710466855.7

    申请日:2017-06-20

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: G01N1/14 G05D1/0206

    Abstract: 本发明涉及一种基于无人艇的自主水样采集系统,主要包括信息处理及远程通讯模块、无人艇自主定位系统、采水器系统、远程服务端以及供电系统;所述信息处理及远程通讯模块与远程服务器端之间通过4G网络进行数据交互;所述无人艇自主定位系统与信息处理及远程通讯模块之间采用RS232标准协议进行通讯,所述信息处理及远程通讯模块与采水器系统之间的通讯同样采用的是RS232传输协议;所述供电系统是由蓄电池和升降压模块组成。该系统可实现移动式的自主采样过程,并实时在线记录数据,可大大的减轻了相关工作人员的劳动强度及降低工作的危险吸收,缩短了采样的时间,提高了采样效率。

    一种基于DSP的变频器M/T测速系统和方法

    公开(公告)号:CN103368496B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310082392.6

    申请日:2013-03-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于DSP的变频器M/T测速系统和方法。本系统包括被测感应电机、光电旋转编码器、信号电缆、基于DSP的变频器主控制板、变频器主回路驱动板、变频器逆变器。本发明提供的系统和方法,仅需要将光电旋转编码器的A、B、Z三个输出信号巧妙地与DSP TMS320F2812相连,即可同时测量得到两种脉冲个数M1和M2,可成功在DSP上实现M/T测速,在全速范围内可获得高精度的测速结果。

    用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102351430A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110192217.3

    申请日:2011-07-11

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺,生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层,特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备,本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐(又名汞溴红)、碘酊为先驱反应溶液,无水酒精为溶剂,制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜,且晶粒结构完整性好、均匀性佳,膜厚约为800nm,禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。

    一种可观测超声条件下聚合物结晶过程的偏光显微镜装置

    公开(公告)号:CN101980066A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:CN201010186229.0

    申请日:2010-05-26

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 刘丽 周杰 吴文潭

    Abstract: 本发明涉及一种可观测超声条件下聚合物结晶过程的偏光显微镜装置。它包括一个安置在光源发生器上方的样品台,样品台固定在一个上下开口的圆筒形加热装置中,该加热装置的外侧装有一个超声发生装置,样品台上搁置一个像转移装置,像转移装置上方设置一个观测装置。像转移装置利用透镜成像原理,将超声作用下的聚合物结晶貌图像转移至可观察区域,再利用观测装置对超声作用下聚合物的动态结晶过程进行观察研究。本发明极大扩展了偏光显微镜的应用范围。

    真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101962752A

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN201010524867.9

    申请日:2010-10-29

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法,属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层,使用真空蒸发系统,采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中,ITO玻璃衬底温度控制为150℃~160℃,真空压力为2~3×10-3Pa,衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右,控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000~1200℃;蒸发过程完成后,进入真空管式退火炉进行退火,退火的温度分别选择为300℃,400℃和500℃。本发明方法工艺简单,薄膜制备的效率高,制得的薄膜具有良好的电学和光学性能,适合应用于太阳能电池。

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