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公开(公告)号：CN1325130A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN01122639.0
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
Abstract: 本发明的涂敷和显影系统具有处理区,该处理区有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于显影基片的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片从涂敷单元、显影单元和热处理单元传送或传送到这些单元的第一传送装置,该系统还有一接口部分,在该接口部分中基片至少沿上述处理区和该系统外侧的对基片进行曝光处理的曝光单元之间的路径传送,该系统还有用于容纳上述处理区和接口部分的壳体,用于给上述接口部分供应惰性气体的供气装置,以及排出上述接口部分内的气氛的排气部分,和所述的热处理单元,和用于将基片在该热处理单元和曝光处理单元之间的路径上传送的、位于上述接口部分内的第二传送装置。根据本发明,可以防止分子水平的杂质比如氧气、碱性物质、臭氧和有机物质附着到基片上,从而适于对基片进行处理和加工。
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公开(公告)号：CN118696404A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280089335.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的贴合区域贴合多个所述芯片。所述搬送区域与所述基板清洗部、所述芯片清洗部以及所述芯片贴合部邻接。所述第一基板搬送臂在所述搬送区域中保持所述基板并搬送所述基板。所述第一框架搬送臂在所述搬送区域中保持所述框架并将多个所述芯片同所述框架一起搬送。所述第一基板搬送臂将所述基板从所述基板清洗部搬送到所述芯片贴合部，所述第一框架搬送臂将多个所述芯片同所述框架一起从所述芯片清洗部搬送到所述芯片贴合部。
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公开(公告)号：CN110610875A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
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公开(公告)号：CN1237402C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01122045.7
申请日：2001-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/168 , H01L21/67017 , H01L21/67225
Abstract: 本发明是一种对基片进行涂敷和显影处理的系统，该系统包含处理部分，该处理部分有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片送入/送出这些涂敷单元、显影单元和热处理单元的第一运送单元。本发明的该系统还包含接口部分，该接口部分具有用于至少通过在处理部分和曝光处理单元之间的路径运送基片的第二运送单元，其中曝光处理单元位于该系统外部用于对基片进行曝光处理。本发明的该系统还包含减压去除单元，用于在基片曝光处理之前通过在腔室内的抽吸去除附着在基片涂层上的杂质。根据本发明，在曝光处理之前，可以去除附着在基片涂层薄膜上的分子级的杂质比如氧气、臭氧和有机物质和比如颗粒的杂质，因此适于进行曝光处理，从而提高成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115516606A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032981.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05C11/10
Abstract: 本发明提供有利于抑制颗粒混入到要提供给基片的处理液中的技术。基片液处理装置包括：供给容器，处理液经由引导管线被供给到供给容器的内侧；对供给容器的内侧加压的加压装置；喷出被供给来的处理液的喷出嘴；供给管线，其与供给容器和喷出嘴连接，没有设置对连接供给容器与喷出嘴的流路进行可变限制的调节机构；第一排液管线，其与供给管线中的供给容器与喷出嘴之间的第一分支部分连接；液流调节机构，其设置于第一排液管线，限制压力比设定压低的处理液通过；和调节设定压的控制部。
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公开(公告)号：CN105529288B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201510672501.9
申请日：2015-10-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使液处理后的基板良好地干燥的基板液处理装置和基板液处理方法。在本发明中，使用基板液处理装置(1)自干燥液供给部(23)向基板(3)供给挥发性较高的干燥液，该挥发性较高的干燥液的一部分含有硅系有机化合物，该基板液处理装置(1)包括：纯水供给部(冲洗液供给部(22))，其用于向基板(3)供给纯水；以及所述干燥液供给部(23)，其用于向所述基板(3)供给挥发性比纯水的挥发性高的干燥液。
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公开(公告)号：CN108428645A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810150054.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/31111 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。
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公开(公告)号：CN1199239C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01122639.0
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
Abstract: 本发明的涂敷和显影系统具有处理区，该处理区有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于显影基片的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片从涂敷单元、显影单元和热处理单元传送或传送到这些单元的第一传送装置，该系统还有一接口部分，在该接口部分中基片至少沿上述处理区和该系统外侧的对基片进行曝光处理的曝光单元之间的路径传送，该系统还有用于容纳上述处理区和接口部分的壳体，用于给上述接口部分供应惰性气体的供气装置，以及排出上述接口部分内的气氛的排气部分，和所述的热处理单元，和用于将基片在该热处理单元和曝光处理单元之间的路径上传送的、位于上述接口部分内的第二传送装置。根据本发明，可以防止分子水平的杂质比如氧气、碱性物质、臭氧和有机物质附着到基片上，从而适于对基片进行处理和加工。
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公开(公告)号：CN1322969A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01116946.X
申请日：2001-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/168
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行涂覆和显影处理的方法,这种方法包括如下步骤:在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆膜;对形成涂覆膜的基片进行加热处理;在加热处理之后冷却基片;对基片上的涂覆层进行曝光处理;在曝光处理之后对基片进行显影处理。还包括如下步骤:在所述形成涂覆层步骤之后所述基片曝光处理步骤之前,对基片施放工艺气体,在涂覆层表面形成工艺膜。因此,工艺膜使得基片免于受大气中氧,水蒸汽之类杂质的影响。
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