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公开(公告)号：CN110819967A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733817.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。
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公开(公告)号：CN110819966A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733558.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法，在向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜时，抑制成膜气体绕到载置部的下方并附着于载置部。在从与处理容器内的载置部相向的成膜气体供给部向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜的成膜装置中，以隔着间隙包围载置部的周围的方式设置有第一环状体，并设置有从第一环状体的内周缘向下方延伸的第二环状体。另外，从载置部的周缘起设置包括沿着第二环状体的内周面沿至第二环状体的下端面的流路形成面的第三环状体。
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公开(公告)号：CN104073780B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410118264.7
申请日：2014-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4408 , H01J37/3244 , H01J37/32862 , Y10T137/4245
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
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公开(公告)号：CN102433546A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110303097.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到处理室(111)内；高频电源(143)，用于以规定的功率将用于生成等离子体的高频电供给于簇射头；排气装置(152)，用于对处理室内进行排气而使处理室内减压到规定的压力；控制部(190)，其通过对还原气体的流量、处理室内的压力、高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对上述反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于钛膜的成膜处理中的成膜气体的流量进入成膜处理的反应速率控制区域。
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公开(公告)号：CN110872702B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910783797.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071752A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN108796471B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107686985B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710655290.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时，提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括：分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61)；与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71)；置换气体流路(45)，其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置，对处理容器内供给置换气体；设置在置换气体流路(45、65)中，储存置换气体的储气部(46、66)；在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀(V2、V6)；和控制阀的开闭的控制部(100)。
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公开(公告)号：CN104073780A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410118264.7
申请日：2014-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4408 , H01J37/3244 , H01J37/32862 , Y10T137/4245
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
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公开(公告)号：CN101880869A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010174521.0
申请日：2010-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供成膜方法以及等离子体成膜装置。利用该成膜方法，即使形成在被处理体的表面的凹部的内径、宽度小，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。在向可被抽真空的处理容器(22)内收容具有凹部(6)的绝缘层(4)被形成在表面的被处理体(W)，并且向处理容器内供给包含钛的原料气体和还原气体，利用等离子体CVD法使气体反应而在被处理体上形成包含钛的薄膜的成膜方法中，以使反应为原料气体的反应决速的反应状态的方式设定原料气体和还原气体各自的流量。由此，即使形成在被处理体表面的凹部的内径和宽度变小、或者凹部的纵宽比变大，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。
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