公开(公告)号：CN102094187A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010591764.4

申请日：2010-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  织户康一 ,  竹内靖 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地设置于容器内，在第1面包含用于载置基板的基板载置区域；第1反应气体供给部，其用于向旋转台的第1面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的旋转方向相对于第1反应气体供给部分离开，用于向旋转台的第1面供给第2反应气体；分离气体供给部，其设置在第1及第2反应气体供给部之间，用于供给将第1及第2反应气体分离的分离气体；排气口，其用于对容器内进行排气；空间划分构件，其设置于第1及第2反应气体供给部中的至少一个，划分出包含该反应气体供给部与旋转台的第1面之间的空间的第1空间、及与第1空间的气体相比分离气体易于流动的第2空间。

公开(公告)号：CN102086515A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010578311.8

申请日：2010-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大泉行雄 ,  本间学

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其包括：真空容器；旋转台，其在上述真空容器内进行旋转；基板载置构件，其能够装卸自如地安装在上述旋转台上，在上述旋转台的上表面侧提供与上述旋转台成为一体的用于载置基板的凹部，该基板载置构件构成在上述凹部内载置上述基板的底面；位置限制部，其设于上述旋转台和上述基板载置构件中的至少一个上，用于限制上述基板在上述旋转台旋转时因离心力而产生的移动；反应气体供给部，其用于向上述旋转台的上述上表面侧供给反应气体；真空排气部件，其用于对上述真空容器内进行排气。

公开(公告)号：CN101859693A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010144440.6

申请日：2010-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  菊地宏之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。

公开(公告)号：CN101665925A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910172124.7

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小原一辉 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、对一个面供给第二反应气体的第二反应气体供给部；位于被供给第一反应气体的第一处理区域和被供给第二反应气体的第二处理区域之间的分离区域；位于容器的中央的、具有沿一个面喷出第一分离气体的喷出孔的中央区域；以及排气口。分离区域包括：供给第二分离气体的分离气体供给部；以及用于在基座上形成第二分离气体相对于旋转方向向两个方向流动的狭窄的空间的顶面。

公开(公告)号：CN101665924A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910172122.8

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4583

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及基板处理装置，该成膜装置具有：旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有：包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间，该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。

公开(公告)号：CN101665920A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910172116.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及旋转台。通过进行多次将相互反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上的循环，层叠反应生成物而形成薄膜。该成膜装置包括：设于真空容器内的旋转台；为了将基板载置在旋转台的同一圆周上而设于旋转台上的多个基板载置部；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离气体供给部件；能以在旋转台的中心部周边上下夹着旋转台的方式压接固定旋转台的上部固定构件及下部固定构件，上部固定构件由石英或陶瓷形成。

公开(公告)号：CN100337311C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN03807748.5

申请日：2003-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67098

Abstract: 纵型热处理装置(1)配置有在从处理室(5)的加载端口(4)取出被处理基板(W)之际，遮蔽加载端口(4)的快门装置(17)。快门装置(17)配置有选择性地关闭处理室(5)的加载端口(4)的端口盖(18)。端口盖(18)由配备有支撑它同时使其移动的伸缩臂(19)的驱动部来驱动。驱动部通过伸缩臂(19)使端口盖(18)在关闭加载端口(4)的关闭位置(PB)和关闭位置(PB)旁侧的待机位置(PA)之间做直线移动。

公开(公告)号：CN116721937A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310156595.9

申请日：2023-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/687 ,  H05B6/36

Abstract: 本发明提供抑制加热所需的消耗功率，提高温度控制性的基片加热装置和基片处理装置。基片加热装置包括：感应加热线圈；保持托盘，其具有载置并保持基片的基片保持部，能够被上述感应加热线圈感应加热；和旋转台，其支承上述保持托盘，被设置成能够旋转。

公开(公告)号：CN116607126A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310086844.1

申请日：2023-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林伊吹 ,  竹内靖 ,  本间学 ,  田口纯之介

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制被供给到处理容器内的处理气体绕到载置台的下表面侧。基板处理装置具备：处理容器；旋转台，其可旋转地设置于处理容器的内部；载置台，其在与旋转台的旋转中心分离的位置处能够与旋转台相对地旋转；处理气体供给部，其用于向载置于载置台的基板供给处理气体；分离气体供给部，其向与被供给处理气体的处理区域相邻的多个区域供给分离气体，来形成多个分离区域；以及气体排气部，其经由与处理容器的内部连通的1个以上的排气口对气体进行排气。排气口配置于多个分离区域之间的处理区域、且比旋转台靠铅垂方向上侧的位置。

公开(公告)号：CN104805416B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510047084.9

申请日：2015-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  立花光博 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45551

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括：气体喷头，其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔；以及冷却机构，其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。