公开(公告)号：CN1717791A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104440.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑英亮 ,  中村和仁 ,  松泽兴明 ,  松田司 ,  河野有美子

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。

公开(公告)号：CN101410952B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780004018.7

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

公开(公告)号：CN100472724C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN101147248A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009127.3

申请日：2006-03-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松田司

IPC: H01L21/461 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/28562

Abstract: 一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到工艺室，以生成促进在衬底表面处第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。该方法还包括将反应性净化气体引入工艺室内，所述反应性净化气体与工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或衬底中的至少一个中释放出污染物。

公开(公告)号：CN1906325A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001875.2

申请日：2005-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 池田太郎 ,  松田司 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成具有改进的形态的金属层的方法和处理设备。该方法包括：通过将衬底暴露至等离子体中的受激态物质来预处理衬底；将预处理的衬底暴露至包含羰络金属前体的处理气体；并且通过化学气相沉积处理在预处理的衬底表面上形成金属层。所述羰络金属前体包括W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6或Ru3(CO)12或其任意组合，并且金属层可以分别包含W、Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr或Ru或其任意组合。