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公开(公告)号：CN1908228B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610108370.2
申请日：2006-08-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
摘要： 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。
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公开(公告)号：CN101378007A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810171431.9
申请日：2008-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/509 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN104947083B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510148614.9
申请日：2015-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。
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公开(公告)号：CN108573900A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810183440.3
申请日：2018-03-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45578 , C23C16/45589 , C23C16/4584 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/67309 , H01L21/68771 , H01L21/67011
摘要： 本发明涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，且经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。
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公开(公告)号：CN104051213B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
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公开(公告)号：CN105316656A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510450869.0
申请日：2015-07-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。
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公开(公告)号：CN104947083A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510148614.9
申请日：2015-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01J37/32862
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。
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公开(公告)号：CN104947080A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510138216.9
申请日：2015-03-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458
摘要： 本发明提供使用气体喷嘴的成膜装置。该成膜装置包括：第1和第2原料气体喷嘴，分别在与基板之间的间隙对应的高度位置形成有朝向基板的中央部喷出原料气体的多个气体喷出孔；向反应容器内供给反应气体的反应气体供给部；第1和第2原料气体供给路径，分别与第1和第2原料气体喷嘴相连接；第1和第2罐，分别设于第1和第2原料气体供给路径的中途，以升压了的状态储存原料气体；设于第1和第2罐的上游侧和下游侧的阀；对反应容器内进行真空排气的排气口，在排列有基板的高度区域中的、排列方向上的中央的高度区域配置有第1和第2原料气体喷嘴这两者的气体喷出孔，在中央的高度区域以外配置有第1和第2原料气体喷嘴中的至少一者的气体喷出孔。
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公开(公告)号：CN104947075A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510131832.1
申请日：2015-03-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46
摘要： 本发明提供立式热处理装置的运转方法和立式热处理装置。该立式热处理装置的运转方法是运转立式热处理装置的方法，该立式热处理装置使被加热机构包围的立式的反应管内成为真空气氛后，向所述反应管内的基板供给成膜用的气体而进行成膜处理，其中，该热处理装置的运转方法包括以下工序：将以搁板状保持有多个基板的基板保持件搬入到所述反应管内，对所述基板进行成膜处理；从所述反应管搬出所述基板保持件；以及向所述反应管内搬入冷却用的器具而将所述反应管的内壁冷却，利用热应力使附着在该内壁上的薄膜剥离，并且利用热泳将该薄膜捕集在所述冷却用的器具上。
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公开(公告)号：CN101819918A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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