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公开(公告)号：CN106856222A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611199192.9
申请日：2016-12-22
申请人： 东南大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/005
摘要： 本发明公开了一种基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器及其制备方法，成本低、性能高，可用于数字X射线探测。该传感器包括：1.CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底，采用变温结晶法制备，单晶具有很高的结晶质量，而且制备方法适用于大面积衬底的制备；2.位于钙钛矿晶体上方设有行电极，由对X射线吸收较少的导电材料构成；3.位于钙钛矿晶体下方设有列电极，该电极与行电极相互垂直，且由导电性能良好的金属材料构成。由于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底具有较大的厚度和较高的原子序数金属，其对X射线具有较高的光电转换效率；另外，CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶衬底中光生载流子的复合率比较小，因此本发明的X射线传感器灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN103840053B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410092711.6
申请日：2014-03-14
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种表面等离子体增强的量子点发光二极管器件及其制备方法，自下而上包括基底上形成的阴极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极，所述发光层制备于空穴传输层之上，由金属纳米颗粒与量子点复合而成；金属纳米颗粒为金、银和铂中的一种或几种，金属纳米颗粒大小20?100 nm；量子点颗粒的大小是1?10 nm；空穴传输层厚10?50 nm,发光层厚5?30 nm,电子传输层厚5?40 nm；本发明利用金属等离子共振峰与量子点发射波长匹配，使得发射光增强，提高了器件的内量子点效率和外量子效率，增加器件的发光效率，器件的能效大于5 lm/W，发光亮度大于800 cd/m2。制备方法简单易操作。
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公开(公告)号：CN105633971A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610166083.0
申请日：2016-03-22
申请人： 江苏省电力试验研究院有限公司 , 国网江苏省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 东南大学
IPC分类号： H02J3/06
CPC分类号： H02J3/06 , H02J2003/007
摘要： 本发明公开了一种基于帝国主义竞争算法的智能配电网随机潮流方法，包括以下几个步骤：S1：建立负荷、风力发电系统和太阳能光伏发电系统的随机模型，并产生输入随机变量的样本；S2：初始化电压幅值和相角；计算适应度函数F的值并确定初始帝国；S3：进行帝国的同化和革命操作；S4：比较帝国主义国家和殖民地的适应度函数Fimp、Fcol，交换帝国主义国家和殖民地的位置；S5：计算整个帝国的适应度函数值并进行帝国合并；S6：引入克隆进化算子，加快算法的收敛速度，得到输出变量的概率分布。本发明方法能反映大量DG接入下系统的不确定性，能够适应不同DG渗透率下纯辐射型、弱环型和纯环状的配电网络，并具有良好的收敛性。
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公开(公告)号：CN105609651A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610008669.4
申请日：2016-01-07
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： 本发明公开提出了一种自组装聚合空穴传输层结构的高效量子点发光二极管器件，除阴、阳极外，包括三层结构：空穴传输层、量子点发光层、电子传输层，其中量子点发光层一端与连接着空穴传输层相接，另一端与连接着电子传输层相连；所述电子传输层为掺杂后的无机纳米颗粒；空穴传输层为单聚物、多聚物、小分子、无机氧化金属纳米颗粒或二维纳米材料掺杂进入聚（3，4-乙撑二氧噻吩单体）组成；量子点为硫化锌，硒化锌，碲化锌，硫化镉，硒化镉，碲化镉，硫化汞，硒化汞，碲化汞或者他们的核壳纳米结构硒化镉-硫化锌，硫化镉-硫化锌，硫化镉-硒化锌，硫化镉-硒化锌，石墨烯量子点等等。阴极就是带有一层ITO或者FTO或者石墨烯的玻璃或PET。
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公开(公告)号：CN105552131A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610057614.2
申请日：2016-01-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78651
摘要： 本发明公开了基于量子点掺杂栅绝缘层的新型高性能光调制薄膜晶体管，其制备方法包括：在基底上依次沉积有源层与源漏极接触层；将量子点与有机光胶旋涂在有源层上，制备栅绝缘层；在栅绝缘层上刻蚀出连接接触层与源漏极的导通孔；最后在栅绝缘层上制备透明电极，并将该透明电极刻蚀做为平面的漏电极，栅电极和源电极。本发明的薄膜晶体管器件除了具备传统的源漏栅三个调制极外还可以通过入射光作为第四端调制极。本发明利用掺杂了量子点的薄膜晶体管栅绝缘层制备出兼具光电探测与信号读取功能的光调制薄膜晶体管，大大简化了光调制薄膜晶体管的结构与制备工艺，缩小了器件的尺度并提高了光电探测的性能。
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公开(公告)号：CN105449125A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510883351.6
申请日：2015-12-03
申请人： 东南大学
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3244
摘要： 本发明公开了一种硅基量子点显示器在硅衬底上采用半导体工艺制作对应行列像素单元的电压或电流驱动电路，在每个像素上制作对应于像素的阴极膜层，并进行化学机械平坦化抛光。在抛光的阴极膜层上，制作TiO2、TiN等材料的电子传输层、量子点发光层。并在量子点发光层上制作CBP作为空穴传输层，MoO3作为空穴注入层，ITO导电层作为器件阳极,促进空穴和电子传输到量子点发光层，复合后发光。用透明基板进行密封封接后形成量子点发光显示器件。本发明的优点在于：在硅衬底上制作像素驱动电路，可以获得高的像素分辨率，以及大的电压或电流驱动能力，从而获得高亮度的量子点发光显示，实现高分辨率、高亮度可穿戴显示用的微型显示器。
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公开(公告)号：CN103840048A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410092712.0
申请日：2014-03-14
申请人： 东南大学
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/005
摘要： 本发明公开了反式全无机纳米氧化物量子点发光二极管及其制备方法，包括阴极、电子传输层、空穴传输层、量子点发光层和阳极，量子点发光层一端与连接着阳极的空穴传输层相接，另一端与连接着阴极的电子传输层相连；所述电子传输层为二氧化钛，空穴传输层为氧化镍。制备方法包括如下步骤：在玻璃片上制备阴极，将二氧化钛前驱溶液旋涂在阴极上制备无机电子传输层；用高温金属分解法制备量子点，在电子传输层上制备量子点发光层；将氧化镍制备在发光层上作为空穴传输层；在空穴传输层上制作阳极。本发明发光二极管，发光面即为正面，反式结构和无机材料可以降低其对氧气和水的敏感性，同时在相同条件下，延长其发光寿命。
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公开(公告)号：CN117080301A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311048929.7
申请日：2023-08-21
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101
摘要： 本发明公开了一种降低探测器光谱响应线性相关系数的调控方法。解决在窄带和光谱探测中探测器对不同波长通道的响应信号难以区分的问题。将不同波长入射光从该光谱探测器左电极入射，不同波长的光分别被多层能量带隙半导体吸收层的特定区域吸收，通过对半导体吸收层电子亲和势的调控，使探测器空间电荷密度分布产生差异和电场强度变化，从而导致入射光产生的光生载流子的收集产生差异，最终使得不同偏置电压下探测器光谱响应特性可以调控。光谱响应曲线的相关性系数从0.99低到0.56。本发明为后续的光谱信息重构提供了有效探测信号的保障。
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公开(公告)号：CN111899063A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010556428.X
申请日：2020-06-17
申请人： 东南大学
IPC分类号： G06Q30/06 , G06F16/9535
摘要： 本发明公开了一种考虑顾客消费行为和偏好的生鲜农产品在线推荐方法，包括如下步骤(1)数据分析与预处理；(2)构建基于隐语义和行为序列效用的生鲜农产品效用函数；(3)构建遍历购买周期的生鲜农产品选择模型；(4)采用梯度下降法求解构建的生鲜农产品选择模型；(5)利用召回率(Recall)和精度(Precision)评估预测效果。本发明可有效体现生鲜农产品季节性特征和顾客对农产品的兴趣偏好特征因素，充分考虑了顾客选择行为和用户产品特征，经过实验证明了本发明相较于其他方法具有更佳的预测效果。
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