公开(公告)号：CN1227390C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02132070.5

申请日：2002-09-10

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  池田真义 ,  金子一秋 ,  近藤大辅 ,  森田修

IPC: C23F1/08 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，由内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对配置的处理室、处理室的排气器件和气体供给器件构成，其特征是：气体放出构件，从上流侧开始按如下顺序配置：气体分散构件、有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或加热器的气体板的冷却或加热构件，以及具有与气体通路连通的多个气体吹出孔的气体板，通过固定静电吸附构件或气体板周边部的固定部件，将气体板固定在冷却或加热构件上。可在气体板和冷却或加热构件之间设置第2气体分散构件，在冷却介质流动通道的正下方设置气体吹出孔。由此可形成均匀的气流分布，并且实现气体板的温度及其分布的控制性能优越的气体放出构件，可连续进行均匀的处理。

公开(公告)号：CN1444257A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03110796.6

申请日：2003-02-08

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 土屋信昭 ,  佐护康实 ,  池田真义

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/513 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32165

Abstract: 本申请公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本申请还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。