-
公开(公告)号：CN110428918A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910727873.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/00 , G21C3/07 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法，依次包括以下工序：工序A，沉积温度为1000～1050℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序B，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序C，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序D，沉积温度为1050～1200℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在4～10范围。实施上述快速致密化方法的装置，包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短，且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。
-
公开(公告)号：CN110415845A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910722437.9
申请日：2019-08-06
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种高铀密度复合燃料芯块及其制备方法，解决了目前UO2燃料在遭遇意外事故工况下，堆芯温度存在急剧升高的风险；而UN燃料的热导率虽然能随着温度升高而提高，但是其与水的反应性导致并不适用于水冷反应堆的问题。本发明公开了一种高铀密度复合燃料芯块，包括25～35wt％的U3Si2粉末和65～75wt％的UN微球；本发明还公开了该高铀密度复合燃料芯块的制备方法。本发明不仅仅能够达到使热导率随着温度升高而提高的效果，并且还能适用于水冷反应堆。
-
公开(公告)号：CN118405933A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410580712.9
申请日：2024-05-11
Applicant: 四川大学 , 中国核动力研究设计院
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅基陶瓷连接用高温钎料及其制备方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料技术领域。本发明提供的碳化硅基陶瓷连接用高温钎料，按质量百分比计，包括金属粉2～15％和余量的Ti‑Si粉，所述金属粉包括Fe粉、Al粉、Ni粉、Cr粉或Co粉。本发明在Ti‑Si钎料中加入少量的金属元素，可降低钎料熔点、缩短连接时间，并促进液态钎料与碳化硅基陶瓷发生原位反应生成具有高强度的Ti3SiC2MAX相来连接母材；同时，由于高温下钎料呈液态，不需要使用压力即可实现焊缝的致密化，提高了连接件在室温和高温下的力学性能。
-
公开(公告)号：CN118385818A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410582223.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 四川大学 , 中国核动力研究设计院
IPC: B23K35/32
Abstract: 本发明提供了一种高强度耐高温NiTi基钎料及其制备方法和应用，属于碳化硅基材料技术领域。本发明提供的高强度耐高温NiTi基钎料，包括以下成分：24～65wt.％Ni，35～77wt.％Ti和1～60wt.％Mo。本发明加入Mo能够使钎料在钎焊过程中生成高熔点、耐高温、低热膨胀系数的相代替低温相，缓解碳化硅基材料接头中的残余应力，达到了消除焊缝界面区域的低温Ni‑Si相的目的，同时增强相MoSi2的熔点高，具有良好的导热性和高温性能，以及在空气或高温燃烧气体环境中出色的抗氧化性，有利于提高钎焊接头的高温性能，从而弥补了低熔点NiSi相对接头高温剪切强度的影响。
-
公开(公告)号：CN112876257B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110110002.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110698205B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911133524.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料；(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛，制备混合均匀的复合粉体；(C)将复合粉体装入模具中，施加单向压力以得到复合粉体压坯；(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中，在真空环境下炉温升至温度T1后，进行升温加压‑降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压‑低温无压的真空循环烧结技术，有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题，在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。
-
公开(公告)号：CN112374902A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011352192.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高致密化SiCf/SiC包壳复合管材的制备方法，包括以下步骤：S1：制备低密度SiCf/SiC预制体：以编织或缠绕成SiC纤维管，然后通过CVI工艺在纤维表面进行PyC界面层沉积及短时间SiC基体沉积，获得低密度SiCf/SiC预制体；S2：制备SiCf/SiC坯体：将纳米SiC烧结粉体和有机添加剂分散在有机分散剂中制成NITE‑SiC浆料，通过浸渗使NITE‑SiC浆料扩散进低密度SiCf/SiC预制体的孔隙之中，干燥后获得SiCf/SiC坯体；S3：热处理：将SiCf/SiC坯体在惰性气体气氛保护下进行脱胶热处理；S4：热等静压烧结：将热处理后的坯体在惰性气体气氛下，气相加压烧结，获得高致密化SiCf/SiC包壳复合管材。通过该制备方法不仅能够获得致密度高的SiCf/SiC包壳复合材料，且解决了SiCf/SiC管件成型难的问题。
-
公开(公告)号：CN110698205A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911133524.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料；(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛，制备混合均匀的复合粉体；(C)将复合粉体装入模具中，施加单向压力以得到复合粉体压坯；(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中，在真空环境下炉温升至温度T1后，进行升温加压-降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压-低温无压的真空循环烧结技术，有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题，在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。
-
公开(公告)号：CN119039027A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411174818.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/80 , C23C16/32 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种复合材料包壳管晶粒定向生长控制方法、复合材料包壳管及制备方法，包壳管包括纤维、界面层与SiC基体，SiC基体采用化学气相渗透CVI工艺制备得到；在采用化学气相渗透CVI工艺制备SiC基体的过程中，控制靠近界面层的SiC基体内定向生长形成取向单一的柱状晶SiC晶粒；定向生长控制方法为：以三氯甲基硅烷为先驱气体，在带界面层的包壳管预制件中沉积SiC基体时沉积多个炉段，从第一个炉段至最后一个炉段按照次序依次提高每个炉段的沉积气氛中三氯甲基硅烷的含量。本发明实现了靠近界面处的SiC基体晶粒的定向生长，得到了具有单一取向的柱状晶SiC晶粒，提高了整个复合材料包壳的力学性能。
-
公开(公告)号：CN116102354A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211384913.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 江苏核电有限公司 , 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622 , F16C33/16
Abstract: 本申请属于核技术领域，具体涉及一种用于主泵轴瓦的组合物及其制备方法。该组合物，包括：石墨、SiC和游离Si三相；其中，所述石墨的含量大于或等于40wt％；所述SiC的含量大于或等于40wt％；所述游离Si的含量小于或等于20wt％，满足该配方成分的渗硅石墨材料能够满足轴向载荷较大的主泵基本运行要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.061 seconds)
