公开(公告)号：CN118317665A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410416565.1

申请日：2024-04-08

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 张杰 ,  胡金京 ,  杨春雷 ,  王紫瑶 ,  胡笑乐 ,  杨清岚 ,  李文豪 ,  陈霞 ,  李文欢 ,  张杰

IPC分类号： H10K71/12 ,  H10K30/86 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K85/60

摘要： 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。钙钛矿太阳能电池组件的制备方法包括步骤：在基底电极上涂覆空穴传输层的前驱体溶液，经退火，得到空穴传输层；其中空穴传输层的前驱体溶液包括[2‑(3,6‑二甲氧基‑9H‑咔唑‑9‑基)乙基]膦酸；在空穴传输层上涂覆钙钛矿薄膜的前驱体溶液，经退火，得到钙钛矿薄膜。本发明通过调控选择MeO‑2PACz空穴传输层作为大面积钙钛矿薄膜的衬底，可以显著改善组件的空穴传输层的功函数均一性，还可以提升衬底表面浸润性，从而提升钙钛矿薄膜的前驱体溶液在该衬底上的铺展能力，进而获得均一、无孔洞的大面积钙钛矿薄膜，以确保大面积钙钛矿太阳能电池组件的性能。

公开(公告)号：CN117626195A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311546616.4

申请日：2023-11-17

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院 ,  深圳市纳设智能装备股份有限公司

发明人： 宁德 ,  钱玖通 ,  陈炳安 ,  钟国仿 ,  吴唯 ,  章文丽 ,  王思达 ,  胡永军 ,  李伟民 ,  钟国华 ,  杨春雷

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种基于高功率脉冲磁控溅射的碳化硅防护涂层的制备方法，靶材选取的是SiC单靶，靶材纯度为99.99％，采用的靶基距为8cm，衬底材料为石墨片，氩气纯度达到了99.999％，镀膜有效面积为10×10cm2，背底真空为1×10‑4Pa。在石墨表面沉积前，先对石墨表面进行乙醇超声清洗、烘干，将石墨片安装在镀膜支架上进入反应腔室，对反应腔室预溅射30分钟，溅射温度设置到150℃，平均功率为300w，频率为500Hz。本方法制备的碳化硅薄膜，粘附力强，性能优良，可有效对石墨进行保护。

公开(公告)号：CN117393841A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311114597.8

申请日：2023-08-31

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 李文杰 ,  罗杰 ,  杨春雷 ,  邓立刚 ,  胡航炜 ,  吴莉芸 ,  宋世璇 ,  李伟民 ,  冯叶 ,  钟国华 ,  吴唯 ,  张杰 ,  邵龑 ,  陈明 ,  宁德

IPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

摘要： 本发明涉及基于SnSb合金的全固态锂离子电解质及其制备方法。根据全固态锂离子电解质的化学式构成，先将金属元素进行叠层与压缩处理得到均匀合金，再进行硫化退火以及二次硫化退火处理得到成品。本发明使用Li箔与SnSb箔轧辊得到Li‑SnSb合金箔以替换传统的利用硫化锂、硫化锡、三硫化二锑以及硫粉经过长时间行星球磨与高温煅烧的制备方法，本发明降低了生产成本与制备温度节约了生产周期，且片状的Li‑SnSb合金箔易于硫化，工艺放大简单，使Li4‑xSn1‑xSbxS4体系大规模产业化成为可能。

公开(公告)号：CN116429254A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310256307.7

申请日：2023-03-07

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 徐泽林 ,  冯叶 ,  严振 ,  周鸿飞 ,  宁德 ,  杨春雷

IPC分类号： G01J1/44

摘要： 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种光电二极管型激光功率计及其制备方法，该光电二极管型激光功率计包括：衬底以及依次叠设在衬底上的底电极阵列结构、吸收层、顶电极阵列结构；底电极阵列结构包括多个沿第一方向依次排布的底电极阵列条，相邻的底电极阵列条之间存在第一间距；顶电极阵列结构包括多个沿第二方向依次排布的顶电极阵列条，相邻的顶电极阵列条之间存在第二间距；第一方向为底电极阵列条的宽度方向，第二方向为顶电极阵列条的宽度方向；第二方向与第一方向相垂直。本申请实施例通过底电极阵列结构和顶电极阵列结构的排布设计，使得无需再像元上引出电极，实现激光功率计的多功能探测，提高了探测精度。

公开(公告)号：CN115692832A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211392978.8

申请日：2022-11-08

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 邓立刚 ,  李文杰 ,  杨春雷 ,  吴唯 ,  谭中营 ,  罗杰 ,  刘旭辉 ,  陈曦 ,  孙传奎 ,  胡航炜 ,  宋世璇 ,  吴莉芸

IPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/0525

摘要： 本申请提供的硫化物固态电解质的制备方法，根据硫化物固态电解质的化学式，获取除硫外的其他对应物质的比例；将对应的物质叠层设置并进行压缩处理，得到固态合金；将所述固态合金进行硫化处理，得到所述硫化物固态电解质样品；将所述硫化物固态质电解样品进行退火处理，得到所述硫化物固态电解质，本申请上述实施例制备得到的Li4SnS4，相对于传统的固态电解质具有更好的离子电导率，其离子电导率达到了3.5*10(‑4)S cm(‑1)，与其它硫系固态电解质相比具有十分优良的空气稳定性，且对该固态电解质做M金属参杂可以显著提高其离子电导率，上述制备方法，易于工艺放大，同时金属硫化反应活性高，容易产生相应的硫化物，大幅降低了了硫化物固态电解质制备的成本，缩短了生产周期，使li4SnS4大规模产业化成为可能。

公开(公告)号：CN115332147A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210964616.5

申请日：2022-08-12

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 周鸿飞 ,  郑雪 ,  杨春雷 ,  冯叶 ,  赵晨晨 ,  严振 ,  徐泽林

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供一种高温退火炉设备，包括样品支撑台、炉体和旋转驱动机构，样品支撑台连接旋转驱动机构并位于炉体内。其中，炉体为上部开口的容置腔室，容置腔室内与开口的相对的容置腔室的底面设置有石墨加热盘，炉体的上方设置有与炉体配合将容置腔室封闭的炉盖；旋转驱动机构包括驱动电机和传送组件，传送组件设置在容置腔室内，驱动电机设置在炉盖背离容置腔的一侧，驱动电机的输出端贯穿炉盖并于容置腔内与传送组件连接，样品支撑台与传送组件连接并位于石墨加热盘上方，通过驱动电机驱动旋转驱动机构带动样品支撑台旋转，从而实现样品在升温过程中均匀加热。

公开(公告)号：CN111312836B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202010112946.2

申请日：2020-02-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 杜建华 ,  关峰 ,  高宇鹏 ,  袁广才 ,  王忠国 ,  徐国良 ,  王政焱 ,  陈明 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/105

摘要： 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。

公开(公告)号：CN112736150A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202110017020.X

申请日：2021-01-07

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 黎年赐 ,  杨春雷 ,  钟国华 ,  李文杰 ,  冯叶 ,  李伟民 ,  邵龑

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池，在所述衬底上制备薄膜吸收层，对所述薄膜吸收层进行激光局部加热钝化，对钝化处理后的所述薄膜吸收层生长CdS缓冲层，在所述CdS缓冲层表面形成窗口层，及在所述窗口层表面形成金属栅电极，本发明提供的制备方法，采用先刻蚀，再激光局部加热钝化CIGS表面，最后使用硫化液去除激光加热产生的悬挂键，以此对CIGS吸收层表面进行钝化，钝化表面晶界形成轻掺杂层，提高了电池效率。

公开(公告)号：CN108075015A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711331182.0

申请日：2017-12-13

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 冯丽丽 ,  李文杰 ,  杨春雷 ,  钟国华 ,  周康 ,  吴迪 ,  冯叶 ,  宋秋明

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032

摘要： 本发明公开了太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的制备方法，包括以下步骤：加热水浴容器内的水，使水的温度达到水浴温度；利用水对硫脲溶液进行加热，使硫脲溶液开始分解；利用水对硫酸镉溶液进行预热；将氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合，并将生长基体浸入氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合的混合溶液中，反应后在生长基体上生成CdS薄膜。本发明还公开了由上述制备方法获得的太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的应用。本发明中的混合缓冲层CdS/Zn(SO)比现有的CdS缓冲层在短波处的透过有明显的增强，在CZTS薄膜太阳能电池上应用后发现短路电流得到很大提升；同时也降低了有毒物质Cd的用量；与Zn(SO)缓冲层相比，有CdS过渡层的CZTS薄膜太阳能电池界面性能方法有很大提升。

公开(公告)号：CN102231411B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110193085.6

申请日：2011-07-11

申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 李玉飞 ,  肖旭东 ,  杨春雷 ,  宋秋明

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法，在衬底上依次制作形成金属背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层，并在相应位置开设沟槽，可以得到串联设置的太阳能电池组件。通过采用电镀工艺在第二沟槽的槽底电镀一层用于降低第二沟槽高宽比的金属层，从而使透明电极层更加均匀，电子运输时损耗更小。第二沟槽的槽底为金属背电极层，而采用电镀工艺，可以在直接在槽底的金属背电极层上形成金属层，避免在窗口层等位置也引入金属层而影响太阳能电池的效率。