公开(公告)号：CN117319161A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311585004.6

申请日：2023-11-24

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 洪海敏 ,  庞振江 ,  刘鑫 ,  占兆武 ,  杨祁 ,  危桑 ,  李龙

IPC分类号： H04L27/26

摘要： 本说明书实施方式提供了一种Chirp信号的解调方法、装置、计算机设备和存储介质。所述解调方法包括：基于与Chirp信号带宽呈指定倍数的采样频率对接收的Chirp信号进行过采样，得到采样序列；过采样时Chirp信号中的每个调制符号的采样点数为第一数量；基于Chirp信号和第一数量，确定Chirp信号的第一本地定时参考序列；从采样序列中选取连续的且数量等于第一数量的采样点，构成定时估计样点序列；基于第一数量、第一本地定时参考序列和定时估计样点序列进行DFT和IDFT，确定Chirp信号的频偏值；基于频偏值对采样序列进行解调，如此，可以提高Chirp信号的解调性能。

公开(公告)号：CN117171276A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311148856.9

申请日：2023-09-05

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 刘明帅 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  孙永明 ,  刘国川 ,  曾晶 ,  张笑岩

IPC分类号： G06F16/28 ,  G06F16/25 ,  G06F16/23 ,  G06F16/172 ,  G06F16/182

摘要： 本申请公开了一种电力计量数据处理方法、装置、存储介质及电子设备，其特征在于，包括：通过流处理技术从数据库中获取原始电力计量数据；对原始电力计量数据进行加密和解密处理，得到目标电力计量数据；将目标电力计量数据存储在数据湖中，其中，数据湖中的数据存储在分布式文件系统上；通过数据仓库对分布式文件系统进行集成，以便数据仓库对数据湖中的数据进行访问。解决了相关技术中由于数据仓库的存储限制，导致数据的管理效率较低的问题。

公开(公告)号：CN117147960A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311112313.1

申请日：2023-08-30

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 石明丰 ,  卫光前 ,  庞振江 ,  赵成文 ,  洪海敏 ,  吴在军 ,  刘飞飞 ,  何晓蓉

IPC分类号： G01R22/06

摘要： 本发明公开了一种电能表窃电识别方法及装置、智能终端和窃电识别系统，所述方法包括：对接收到的与电能表对应的载波通信信号进行解析得到用电数据；对用电数据进行异常识别得到数据识别结果；在数据识别结果为数据异常时，对载波通信信号进行异常识别得到信号识别结果；基于信号识别结果确定存在电能表窃电行为的概率。本发明的方法，能够根据用电数据确定存在电能表窃电行为的概率，且在识别过程中不易出现误判，也不需要复杂的检测设备，从而能够提高识别的准确率，并能够降低成本。

公开(公告)号：CN116384593B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310645072.0

申请日：2023-06-01

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 吴明朗 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  占兆武 ,  唐远洋

IPC分类号： G06Q10/04 ,  G06Q50/06 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0455

摘要： 本发明公开了一种分布式光伏出力预测方法、装置、电子设备和介质。所述方法包括：将第一输入张量输入至检测模型中的编码器，通过编码器中的十字交叉注意力网络基于时间维度和数据维度对特征进行处理，和将第二输入张量输入至检测模型中的解码器，通过解码器中的十字交叉注意力网络基于时间维度和数据维度对特征进行处理，使得预测模型可以从时间维度和数据维度进行光伏出力预测。采用本方法能够通过十字交叉注意力模块同时从时间维度和数据维度对特征进行学习和融合，提高了预测模型的预测精度。

公开(公告)号：CN116230714A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310232589.7

申请日：2023-02-28

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 黎杰 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  温雷 ,  卜小松 ,  葛俊雄

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/15

摘要： 本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片及其制造方法。氮化镓集成功率芯片包括基板、设置在基板上的共源共栅级联结构、金属片和塑封料。共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接。塑封料包封共源共栅级联结构，金属片暴露于塑封料外以用于散热。本发明的技术方案中，金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接，通过金属片暴露于塑封料外可以进行散热，减少传热路径，使得氮化镓集成功率芯片的散热能力极大地提高，增强氮化镓集成功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN116072673A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310212056.2

申请日：2023-02-27

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 庞振江 ,  洪海敏 ,  文豪 ,  温雷 ,  顾才鑫 ,  廖刚 ,  葛俊雄

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/86 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片的制造方法和氮化镓集成功率芯片。制造方法包括：在蓝宝石基底上形成共源共栅级联结构以获得氮化镓集成功率芯片，共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。本发明的技术方案中，通过蓝宝石基底实现氮化镓集成功率芯片的高耐性。另外，共源共栅级联结构可以实现较高且稳定的阈值电压、栅工作电压。

公开(公告)号：CN118739557A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410715080.2

申请日：2024-06-03

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 马林山 ,  庞振江 ,  洪海敏 ,  曾晶 ,  陈亮 ,  苏明杰 ,  刘国川

IPC分类号： H02J13/00 ,  G06Q10/20 ,  G06Q50/06 ,  G06F16/2455 ,  G06F16/27

摘要： 本发明公开了一种停电信息的确定方法及装置、服务器，应用于计算机领域。服务器可以获取第一电表在目标时段的停电数据，并根据第一电表的停电数据，确定在目标时段有效停电的目标表箱，根据有效停电的目标终端确定有效停电的目标台区，根据目标台区确定有效停电的线路，并生成在目标时段的停电信息。由此，可以实现停电信息的确定。并且，由于服务器根据第一电表的停电数据，确定在目标时段有效停电的目标表箱，并根据有效停电的目标终端确定有效停电的目标台区，再根据目标台区确定有效停电的线路，由此逐级确定停电信息，因此使得确定的停电信息更加准确，且效率更高。

公开(公告)号：CN118537290A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410432871.4

申请日：2024-04-08

申请人： 深圳市国电科技通信有限公司 ,  深圳智芯微电子科技有限公司

发明人： 庞振江 ,  蔡义 ,  李铮 ,  冯少力 ,  占兆武 ,  张荣 ,  李魁雨

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06N20/00

摘要： 本申请公开了一种AOI检测系统及AOI检测方法，系统包括与各产线一一对应的AOI设备、与各AOI设备一一对应的AOI辅助检测设备；AOI设备，用于获取产线上的待测产品的图像，根据待测产品的图像对待测产品进行AOI初判，确定待测产品是否合格；AOI辅助检测设备，用于获取不合格的待测产品的图像，利用预先训练得到的检测模型对不合格的待测产品的图像进行AOI复判，得到不合格的待测产品的复判结果。本申请公开的技术方案，通过设置与各AOI设备一一对应的AOI辅助检测设备，由AOI辅助检测设备对AOI设备初判不合格的待测产品进行二次判定，以降低人工复判的工作量，提高待测产品的复判效率和复判准确性。

公开(公告)号：CN117936532B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410320550.5

申请日：2024-03-19

申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司 ,  深圳市国电科技通信有限公司

发明人： 文豪 ,  庞振江 ,  冯少力 ,  占兆武 ,  温雷 ,  黎杰 ,  卜小松

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

摘要： 本申请公开了一种级联型GaN HEMT封装结构及其制备方法，封装结构包括：包含有框架引脚的框架；倒装设置在框架上且为横向结构的GaN HEMT及Si MOSFET；金属层，用于将GaN HEMT与Si MOSFET级联以形成级联型GaN HEMT器件，并将级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚相连；塑封料。本申请公开的技术方案，将横向结构的Si MOSFET及GaN HEMT倒装以缩短散热路径，并利用金属层进行GaN HEMT与Si MOSFET的级联及进行级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚的互连来增加接触面积，从而增强封装结构的散热能力，并降低封装杂散电感和封装电阻。

公开(公告)号：CN117434333B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311657906.6

申请日：2023-12-01

申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司 ,  深圳市国电科技通信有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司信息通信分公司

发明人： 方少茂 ,  庞振江 ,  贺琛 ,  洪海敏 ,  周芝梅 ,  温雷 ,  赵金玉 ,  张子翔 ,  葛俊雄 ,  张宝文

IPC分类号： G01R19/165

摘要： 本发明公开了一种微电网线电压异常检测电路、能量管理系统和用电设备，所述异常检测电路包括过压检测电路和欠压检测电路，过压检测电路包括：第一高压输入电路，第一高压输入电路与微电网相连，用于将微电网的高压线电压转换为低压线电压；过压比较电路，过压比较电路与第一高压输入电路相连，用于比较低压线电压和过压阈值，并输出第一过压比较信号。该电路通过过压检测电路和欠压检测电路实现对线电压的过压和欠压检测，可提供更大的线电压波动检测范围，满足微电网的线电压检测需求，提高微电网环境下的用电安全。