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公开(公告)号：CN103180714A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180048285.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/27 , G01N21/01 , G01N33/543
CPC classification number: G01N21/553 , G01N33/56983 , G02B5/008
Abstract: 等离子体传感器具备：具有亲水性的保持部、在保持部的下面配置的第1金属层、具有与第1金属层的下面对置的上面的第2金属层。在第1金属层与第2金属层之间设置中空区域，该中空区域构成为被填充含有媒质的样品。第1金属层的面积比保持部的下面的面积小。保持部具有与中空区域面对相接的亲水性的区域。该等离子体传感器能够以小型且简易的结构实现。
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公开(公告)号：CN102804298A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025206.X
申请日：2010-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/0085 , H01G4/012 , Y10T29/43
Abstract: 电容器具有：由有机薄膜构成的基材、设置在基材的上面的第1导电层、设置在第1导电层的上面的第1电介质层、设置在第1电介质层的上面的第2电介质层、和设置在第2电介质层的上面的第2导电层。第1电介质层由在第1导电层的上面铺满的多个金属氧化物片构成。第2电介质层由在第2导电层的下面铺满的多个金属氧化物片构成。
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公开(公告)号：CN1942981B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580011944.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: H01C17/06533 , H01C1/148 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供抗静电部件，其包含：变阻器层，变阻器层具有埋入其中的平坦形状的多个内部电极；包含氧化铝的基板，基板与变阻器层叠层在一起；和端子，端子连接到变阻器层的内部电极并在变阻器层的侧面处形成。其中，变阻器层与基板烧结以使变阻器层的氧化铋在基板中扩散，在基板形成氧化铋扩散层。以此方式，可实现在保持变阻器的抗微小浪涌电压特性的同时，达成具有薄型构造的抗静电部件。
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公开(公告)号：CN101053287A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580034017.8
申请日：2005-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/162 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/165 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09727 , H05K2201/09736 , H05K2203/0113 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供一种积层陶瓷部件及其制造方法。该积层陶瓷部件具有第一积层片、第二积层片、第一电极图案以及第二电极图案。第一电极图案、第二电极图案都介于第一积层片和第二积层片之间。第二电极图案比第一电极图案宽度大、且厚度小。
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公开(公告)号：CN1144772C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN01143344.2
申请日：2001-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C14/004 , C04B35/49 , H01G4/1245 , H01G4/1263 , H01G4/129
Abstract: 本发明提供Qu值高、εr为10～30左右、τf的绝对值小而且在950℃以下的温度下可烧成的电介质瓷器组合物。使用含有第一成分和第二成分(25重量%～80重量%)的电介质瓷组合物。第一成分是以组成式xZrO2-yTiO2-zL(1+u)/3M(2-u)/3O2所表示的复合氧化物，(其中，L是选自Mg、Zn、Co和Mn中至少一种的元素，M是选自Nb和Ta中至少一种元素，x、y、z和u是以x+y+z＝1、0.10≤x≤0.60、0.20≤y≤0.60、0.01≤z≤0.70、0≤u≤1.90表示的数值)。第二成分是含有选自Si、B、Al、Ba、Cu、Sr、Zn、Ti、La和Nd中至少一种元素的氧化物的玻璃组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1359874A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01143344.2
申请日：2001-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C14/004 , C04B35/49 , H01G4/1245 , H01G4/1263 , H01G4/129
Abstract: 本发明提供Qu值高、εr为10～30左右、τf的绝对值小而且在950℃以下的温度下可烧成的电介质瓷器组合物。使用含有第一成分和第二成分(25重量%～80重量%)的电介质瓷组合物。第一成分是以组成式xZrO2－yTiO2－zL(1+u)/3M(2－u)/3O2所表示的复合氧化物,(其中,L是选自Mg、Zn、Co和Mn中至少一种的元素,M是选自Nb和Ta中至少一种元素,x、y、z和u是以x+y+z=1、0.10≤x≤0.60、0.20≤y≤0.60、0.01≤z≤0.70、0≤u≤1.90表示的数值)。第二成分是含有选自Si、B、Al、Ba、Cu、Sr、Zn、Ti、La和Nd中至少一种元素的氧化物的玻璃组合物。
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公开(公告)号：CN103180714B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180048285.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/27 , G01N21/01 , G01N33/543
CPC classification number: G01N21/553 , G01N33/56983 , G02B5/008
Abstract: 等离子体传感器具备：具有亲水性的保持部、在保持部的下面配置的第1金属层、具有与第1金属层的下面对置的上面的第2金属层。在第1金属层与第2金属层之间设置中空区域，该中空区域构成为被填充含有媒质的样品。第1金属层的面积比保持部的下面的面积小。保持部具有与中空区域面对相接的亲水性的区域。该等离子体传感器能够以小型且简易的结构实现。
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公开(公告)号：CN102884415A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023132.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/553 , G01N33/54366 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种等离激元传感器及其使用方法和制造方法。等离激元传感器包括第1金属层和第2金属层。第1金属层具有下表面和构成为被供给电磁波的上表面。第2金属层具有与第1金属层的下表面对置的上表面。在第1金属层与第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域。在第1金属层的下方和第2金属层的上方中的至少一方物理吸附有多个分析物捕获体。
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公开(公告)号：CN1942981A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011944.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: H01C17/06533 , H01C1/148 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供抗静电部件，其包含：变阻器层，变阻器层具有埋入其中的平坦形状的多个内部电极；包含氧化铝的基板，基板与变阻器层叠层在一起；和端子，端子连接到变阻器层的内部电极并在变阻器层的侧面处形成。其中，变阻器层与基板烧结以使变阻器层的氧化铋在基板中扩散，在基板形成氧化铋扩散层。以此方式，可实现在保持变阻器的抗微小浪涌电压特性的同时，达成具有薄型构造的抗静电部件。
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公开(公告)号：CN1267378C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02143445.X
申请日：2002-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12 , H01L41/187 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/604 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , H01P7/10
Abstract: 一种介电陶瓷(1)，由选自Zr、Ti和Mn的至少一种元素、选自Mg、Zn和Co的至少一种元素以及选自Nb和Ta的至少一种元素的复合氧化物的烧结物构成，且平均晶体粒径在10～70μm的范围。从而提供一种在微波波段较低频率区域，即0.4～2.4GHz中，无负荷(Qu)值与介电常数(εr)也高、可以实现预期的共振频率温度系数(τf)且机械强度高的介电陶瓷和介电器件。
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