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公开(公告)号：CN102301474A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN1258819C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02118358.9
申请日：2002-02-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82 , B41J2/01
CPC classification number: H01L27/0922 , B41J2/14072 , B41J2202/13 , H01L21/823814 , H01L27/088
Abstract: 半导体器件中，在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件及其驱动电路。用DMOS晶体管形成开关元件，开关元件驱动电路包括与DMOS晶体管特性不同的MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN104485340B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102971851B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180033415.3
申请日：2011-07-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/09
Abstract: 提供能够抑制暗电流和/或泄漏电流的生成的固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637709B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210028218.9
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态图像拾取装置及其制造方法，该装置包括布置有光电转换单元的半导体基板。绝缘体被设置在半导体基板上。绝缘体具有与各个光电转换单元相关联的孔。在各个孔中布置构件。在所述构件之一的与半导体基板相反的一侧上设置遮光构件，使得仅仅相关联的光电转换单元被遮光。在固态图像拾取装置中，同时形成所述孔，以及同时形成所述构件。
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公开(公告)号：CN102637711B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN102301475B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080006232.8
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L27/14689 , H01L31/062
Abstract: 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。
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公开(公告)号：CN102959706A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032170.2
申请日：2011-06-23
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H04N5/3741
Abstract: 本发明提供一种包括上面具有多个光电转换单元的第一基板和上面具有读取电路和并行处理电路的第二基板的固态成像装置。固态成像装置包括被配置为向多个并行处理电路供给DC电压的DC电压供给布线。DC电压供给布线是通过电连接设置在第一基板上的第一导电图案与设置在第二基板上的第二导电图案形成的。
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公开(公告)号：CN1251872C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03153397.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2202/13
Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。
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