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公开(公告)号：CN107532066B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201680026694.3
申请日：2016-03-31
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明是一种合成石英玻璃基板用研磨剂，其包含研磨磨料、研磨促进剂及水，所述合成石英玻璃基板用研磨剂的特征在于，前述研磨磨料是湿式氧化铈粒子，前述研磨促进剂是聚磷酸或其盐、偏磷酸或其盐、以及钨酸或其盐中的任一种。据此，提供一种合成石英玻璃基板用研磨剂，其具有高研磨速度，并且能够充分减少由于研磨而产生缺陷的情况。
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公开(公告)号：CN103708839A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310460141.7
申请日：2013-09-30
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/9653 , C09K11/7769 , H01J5/04 , H01J9/247 , H01J61/302 , H01S3/1685
摘要： 本发明提供一种制造透明倍半氧化物烧结体的方法以及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体，通过该方法可以稳定的方式制造质量在实用水平的透明的M2O3型倍半氧化物烧结体。制备包括至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素的氧化物颗粒和Zr氧化物颗粒的粉末作为原料粉末，其中在稀土元素氧化物颗粒的粒径分布中，或在稀土元素氧化物颗粒聚集形成二次颗粒的情况下的二次颗粒的粒径分布中，粒径D2.5为180nm-2000nm，包括端点，在粒径D2.5，从最小粒径侧积累的颗粒量是基于总颗粒量的2.5％。将原料粉末压制成型为预定形状，之后进行烧结，由此制造透明的M2O3型倍半氧化物烧结体（M是至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素）。
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公开(公告)号：CN111433320B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880078304.6
申请日：2018-11-06
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 野岛义弘
摘要： 本发明提供一种量子点，其含有粒径为20nm以下的半导体晶体颗粒，所述量子点的特征在于，具有2个以上与该半导体晶体颗粒进行相互作用的官能团的配体以二齿以上的方式配位于所述半导体晶体颗粒表面。由此，提供一种使用具有2个以上与半导体晶体颗粒进行相互作用的官能团且以二齿以上的方式配位于半导体颗粒表面的配体，对半导体晶体颗粒表面进行修饰，从而提高了稳定性的量子点。
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公开(公告)号：CN115943122A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180041886.2
申请日：2021-05-06
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明为一种量子点的制造方法，其为钙钛矿型的量子点的制造方法，其中，使用分别包含不同元素的多个前驱体溶液，将所述多个前驱体溶液分别加热，制成所述前驱体溶液的气溶胶并分别进行喷雾，使多个所述气溶胶碰撞而进行气相反应并滴加至溶剂中，由此合成包含所述不同元素的核颗粒。由此，提供一种可进行粒径的控制、在大规模的合成中也可得到粒径均匀的纳米颗粒的量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN115605429A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035580.6
申请日：2021-04-19
申请人： 信越化学工业株式会社(JP)
IPC分类号： C01B25/08 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/75 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/48 , G02B5/20
摘要： 本发明为一种包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其包括将金属氧化物包覆在半导体纳米颗粒的表面的工序，其特征在于，通过对金属氧化物前驱体进行微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。由此，提供一种高效制造荧光发光效率的劣化得以抑制的包覆半导体纳米颗粒的方法。
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公开(公告)号：CN109104866A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201780024422.4
申请日：2017-02-23
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C03C19/00 , C09G1/02 , H01L21/304
摘要： 本发明为一种合成石英玻璃基板用研磨剂，其由研磨颗粒及水组成，其特征在于，所述研磨颗粒以二氧化铈颗粒为母体颗粒，在该母体颗粒的表面担载有铈与选自除铈以外的其他三价稀土元素中的至少一种稀土元素的复合氧化物颗粒。由此，可提供一种具有高研磨速度且能够充分降低因研磨导致的缺陷的产生的合成石英玻璃基板用研磨剂。
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公开(公告)号：CN103708839B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310460141.7
申请日：2013-09-30
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/9653 , C09K11/7769 , H01J5/04 , H01J9/247 , H01J61/302 , H01S3/1685
摘要： 提供一种制造透明倍半氧化物烧结体的方法以及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体，通过该方法可以稳定的方式制造质量在实用水平的透明的M2O3型倍半氧化物烧结体。制备包括至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素的氧化物颗粒和Zr氧化物颗粒的粉末作为原料粉末，其中在稀土元素氧化物颗粒的粒径分布中，或在稀土元素氧化物颗粒聚集形成二次颗粒的情况下的二次颗粒的粒径分布中，粒径D2.5为180nm‑2000nm，包括端点，在粒径D2.5，从最小粒径侧积累的颗粒量是基于总颗粒量的2.5％。将原料粉末压制成型为预定形状，之后进行烧结，由此制造透明的M2O3型倍半氧化物烧结体（M是至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素）。
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公开(公告)号：CN107743515A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680033515.9
申请日：2016-05-06
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 本发明是一种研磨组合物，其包含二氧化锆作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，pH值是11.0以上且未满12.5；前述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。由此，提供一种研磨组合物，其可生产性良好地获得一种半导体基板，所述半导体基板不仅内周部的平坦性高，外周部的平坦性也高，并且由金属杂质所造成的污染少。
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