-
公开(公告)号：CN104992898B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510282567.7
申请日：2015-05-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种改善DHF腐蚀均匀性及控制腐蚀速率的方法，应用于在单片清洗机中将硅片放置在工艺腔室旋转的夹持结构上进行DHF清洗工艺，通过在同一步骤的工艺过程中，将硅片的转速通过工艺菜单调整为不同的转速进行对应不同时间的工艺，在第一步DHF清洗步骤，可使得DHF均匀地分布在硅片表面，加快新旧药液的交换，提高腐蚀效率和腐蚀的均匀性，在第二步去离子水清洗步骤，可先把硅片表面残留的DHF甩出，并使得去离子水可以快速覆盖到硅片表面，从而改善了DHF清洗工艺后硅片表面的腐蚀均匀性，同时腐蚀速率可控。
-
公开(公告)号：CN106076926A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610444682.4
申请日：2016-06-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明提供了一种气泡清洗系统及方法，通过采用用于增压的气体通入清洗液容器中，从而实现对清洗液容器内加压的目的，通过采用调节PH值的气体通入清洗液溶液中，来调节清洗液溶液中清洗液的PH值，避免晶圆表面在清洗过程中产生的静电对晶圆造成的损伤，也即是调节PH值的气体具有中和晶圆表面在清洗过程中产生的静电的作用；并且，用于增压的气体进入清洗液中，使清洗液中充满气泡，这样从出水管道出来的充满气泡的清洗液喷射在晶圆上，既可以减少对晶圆表面图案的损伤，又可以提高颗粒去除效率。
-
公开(公告)号：CN104867849B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510282576.6
申请日：2015-05-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种防止晶片背面污染的装置，应用于半导体单片清洗设备，包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖，在氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构，环绕气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔，出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置，既可不影响机械手取放晶片，又可使从出气孔喷射出的气体形成与晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层，可保证晶片整个背面都得到气体的保护，并可有效阻挡回溅的清洗液，避免对晶片背面造成二次污染。
-
公开(公告)号：CN102641865B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210127692.7
申请日：2012-04-26
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶片工艺技术领域，特别涉及一种清洗雾化喷射装置。该清洗雾化喷射装置，包括：上壳体、与上壳体连接的下壳体；上壳体为二阶圆筒状，包括第一阶壳体和第二阶壳体，第一阶壳体的横截面积小于第二阶壳体的横截面积；第一阶壳体设有可与功率放大器连接的电缆接头，第二阶壳体中设有换能器；下壳体的两侧壁设有通气孔隙，下壳体的中心位置设有雾化喷射通孔，通气孔隙与雾化喷射通孔相通且具有夹角。本发明提供的清洗雾化喷射装置，结构简单，集成度高，可有效实现喷射超微雾化液滴，在不损伤晶片表面图案的前提下，对晶片进行有效清洗，并最大程度的节约水资源。
-
公开(公告)号：CN102357477B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110287191.0
申请日：2011-09-23
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明公开了一种防污染装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括：吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。本发明通过设置吹扫单元，实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。
-
公开(公告)号：CN102989705A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210494618.9
申请日：2012-11-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
CPC分类号： B08B17/025 , H01L21/67051 , H01L21/6719
摘要： 本发明涉及半导体清洗工艺技术领域，具体涉及一种防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的清洗系统。该防止液体飞溅的清洗装置，包括上壳和下壳，上壳可相对下壳上下运动，上壳包括上壳内壁和上壳外壁，上壳内壁和上壳外壁之间形成中空腔，上壳内壁上设有多个进液孔，进液孔与中空腔相通。本发明提供的防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的清洗系统，通过在上壳上加设进液孔和中空腔，可实现在被清洗物的高速旋转过程中，化学试剂和/或清洗下来的颗粒通过进液孔进入中空腔内并通过排液孔排出，获得被清洗物的最佳的清洁效果；并且清洗装置和清洗系统的结构简单易清洗，工艺易实现，废液还便于收集。
-
公开(公告)号：CN102357477A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110287191.0
申请日：2011-09-23
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明公开了一种防污染装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括：吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。本发明通过设置吹扫单元，实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。
-
公开(公告)号：CN105632895B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610006458.7
申请日：2016-01-04
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种减少化学清洗工艺中球形颗粒缺陷的方法，应用于采用65纳米铜互连后道清洗及化学处理设备对硅片进行化学清洗，通过在新化学药液更新进入药液罐后的首次化学清洗工艺之前，先对工艺自循环管路和非工艺自循环管路分别通入经加热及过滤的新化学药液进行一定时间的循环处理，使管路中产生的球状颗粒随着新化学药液的充分循环而逐渐减少，之后，再进行化学清洗工艺，即可有效降低工艺后球状颗粒的增加值。
-
公开(公告)号：CN106783538A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095320.5
申请日：2016-12-01
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的流量清洗以在硅片表面形成均匀的较厚的去离子水液膜，避免了硅片表面与空气接触产生水痕和颗粒，从而可利用IPA较小的表面张力作用，以及氮气的吹淋作用对硅片表面进行快速干燥，实现了在IPA工艺后对硅片表面水痕和颗粒的有效减少。
-
公开(公告)号：CN105632895A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610006458.7
申请日：2016-01-04
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02068
摘要： 本发明公开了一种减少化学清洗工艺中球形颗粒缺陷的方法，应用于采用65纳米铜互连后道清洗及化学处理设备对硅片进行化学清洗，通过在新化学药液更新进入药液罐后的首次化学清洗工艺之前，先对工艺自循环管路和非工艺自循环管路分别通入经加热及过滤的新化学药液进行一定时间的循环处理，使管路中产生的球状颗粒随着新化学药液的充分循环而逐渐减少，之后，再进行化学清洗工艺，即可有效降低工艺后球状颗粒的增加值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.04 秒)
