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公开(公告)号：CN111863591A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910349953.1
申请日：2019-04-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种的一种预清洗方法在使工艺气体起辉后，先减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再对被加工工件进行刻蚀，即先在步骤S3中减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再在步骤S4中改变上射频功率源和下射频功率源的输出功率，以对被加工工件进行刻蚀。从而可以避免在进行刻蚀步骤的同时减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，所导致的等离子体状态不稳定，刻蚀不均匀的问题，从而提高预清洗的均匀性。同时，该预清洗方法先使用较大的第一流量和第一压力值，可以保证在反应腔室内的压力较高时，顺利起辉；再使用较小的第二流量值和第二压力值，可以保证在反应腔室内的压力较低时，均匀刻蚀，从而提高预清洗的均匀性。
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公开(公告)号：CN107808848A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711223776.X
申请日：2017-11-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 本公开提供了一种静电卡盘和半导体设备，支撑组件包括基座和功能部，卡盘本体，通过紧固件固定于基座，卡盘板体包括主体部，主体部背离基座的表面设有凸部，凸部的上表面用于支撑待加工工件；主体部朝向基座的表面设有凹部，凹部和基座构成的空间用于容置功能部和与功能部连接的管线。本公开提高了卡盘本体的结构强度，避免出现烧结不透彻，陶瓷颗粒大小不均匀，影响卡盘本体的强度和力学性能的情况，可有效防止微细裂纹的扩散，增大了卡盘本体的断裂强度，使卡盘本体的强度达到可以抵抗剪切力的程度。
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公开(公告)号：CN109868459B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201711266540.4
申请日：2017-12-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
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公开(公告)号：CN112501591B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202011260624.9
申请日：2020-11-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 师帅涛
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/52
摘要： 本申请公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、上电极、下电极、屏蔽罩和阻抗调节机构，其中：屏蔽罩设置于腔室本体上，且两者形成容纳腔，上电极、下电极和阻抗调节机构均设置于容纳腔中，上电极与下电极相对设置，上电极位于下电极和屏蔽罩之间，且电悬浮设置，屏蔽罩和下电极均接地；阻抗调节机构可移动地与屏蔽罩相连，且阻抗调节机构与屏蔽罩电连接，阻抗调节机构可远离或靠近屏蔽罩移动，以调节阻抗调节机构与上电极之间的距离；和/或，阻抗调节机构可平行于屏蔽罩移动，以改变阻抗调节机构与上电极的相对区域。上述方案能够解决晶圆镀膜的均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN110491819B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201810455618.5
申请日：2018-05-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 师帅涛
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种平衡静电力的方法和静电卡盘。该方法包括：获取晶片与所述第一电极相对应位置处的第一压力信号，以及获取晶片与所述第二电极相对应位置处的第二压力信号；将所述第一压力信号转换为第一电信号，以及将所述第二压力信号转换为第二电信号；根据所述第一电信号和所述第二电信号，调整直流电源输出至所述第一电极和所述第二电极上的直流电压，以使两个电极产生的静电力相等。能够有效提高平衡静电力的平衡精度，有效保护晶片，提高晶片加工良率。
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公开(公告)号：CN109321894B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710636974.2
申请日：2017-07-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种增强清洗效果的沉积系统及方法，沉积系统包括：反应腔室，内设有基座，基座上方设有喷淋头，喷淋头周围通过绝缘环与腔室上盖相连，喷淋头上方覆盖有绝缘板，基座周围设有约束环，约束环以内、喷淋头和基座之间空间区域为反应区域，约束环和腔室内壁之间空间区域为非反应区域；初级清扫通道，用于对反应区域通入清扫气体进行清扫；次级清扫通道，用于对非反应区域通入清扫气体进行清扫。本发明能够增加对非反应区域的清扫程度，减少副反应生成物在非反应区域壁上的沉积，并阻挡微粒在腔室上盖与绝缘环之间的间隙内积累形成微粒源，从而能保证工艺性能的稳定性，提高等离子体源对死区的清洗效果。
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公开(公告)号：CN108807254B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201710307280.4
申请日：2017-05-04
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种承载装置，用于承载晶片，在所述承载装置的承载面上设置有沟槽；在所述承载装置内还设置有与所述沟槽连通的竖直通道；在所述沟槽的边沿位置处设置有第一导电膜，所述第一导电膜用于与所述晶片相接触；在所述沟槽内设置有电连接所述第一导电膜的第一导电体；所述竖直通道内设置有第二导电体，所述第一导电体和所述第二导电体相连，第二导电体作为检测晶片电压的输出端。本发明还提供一种具有上述承载装置的反应腔室。本发明可直接检测晶片电压，不仅检测精度高，而且实现较简单和容易。
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公开(公告)号：CN108668423A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710207264.8
申请日：2017-03-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种等离子体加工设备及预清洗工艺，其包括反应腔室、上射频源、下射频源、进气装置和点火装置，其中，在反应腔室内设置有用于承载基片的基座；进气装置用于向反应腔室内输送工艺气体；点火装置用于向反应腔室的内部引入使工艺气体放电所需的种子电子。本发明提供的等离子体加工设备，其可以提高工艺均匀性和工艺稳定性，减少基片损伤，提高工艺效率。
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公开(公告)号：CN113862622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115274393A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210886231.1
申请日：2022-07-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请公开一种离子过滤器和半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的离子过滤器用于半导体工艺腔室中且将所述半导体工艺腔室的内腔分隔为第一内腔和第二内腔，所述离子过滤器包括过滤器本体和磁性件，所述过滤器本体开设有连通所述第一内腔和所述第二内腔的通孔，所述磁性件设于所述过滤器本体，所述磁性件用于产生吸附带电离子的磁场，且所述磁性件的磁场参数可调。上述方案能够解决相关技术涉及的离子过滤器无法根据工艺需求对过滤效果进行调节的问题。
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