-
公开(公告)号：CN109868458A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711267826.4
申请日：2017-12-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种半导体设备的清洗系统及清洗方法，清洗系统包括反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道，可通过第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗，以及通过第二清洗通道对反应腔室内的非反应区域通入激发态清洗气体进行清洗。本发明通过把远程等离子体清洗方法和原位等离子体清洗方法相结合，采用先用大功率的远程等离子体清洗反应腔室，再用小功率的原位等离子体清洗腔室的方法；或者采用同时使用高气压的远程等离子体和低气压的原位等离子体对腔室进行清洗的方法，可精确控制清洗时间，减少清洗气体的使用量，降低生产成本，并可延长人工PM周期，节约维护成本。
-
公开(公告)号：CN109837526A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711187587.1
申请日：2017-11-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备，包括：反应腔室，内设有用于放置衬底的基座，基座上方设有气体喷淋头，气体喷淋头上设有用于向反应腔室内通入前躯体A的主通道以及用于向反应腔室内通入前躯体B的副通道，基座周围环绕设有气体匀流栅；反应腔室通过真空排气管路连接干泵；还包括：清洗通道，设于气体喷淋头上，且清洗通道的上端连接至清洗气体源，下端通过清洗气体出口连通反应腔室内部，清洗气体出口环绕衬底并向其外侧倾斜设置。本发明可提高设备有效利用率和成膜质量。本发明还公开了一种薄膜沉积设备的清洗方法。
-
公开(公告)号：CN109786293A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811613509.8
申请日：2018-12-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了一种顶针高度调节装置及反应腔室，该顶针高度调节装置包括：升降托，顶针的底部位于升降托上，且升降托底部设置第一斜面和第二斜面；第一调节块，第一调节块的顶部设置有第三斜面，第一斜面和第三斜面相对匹配设置；第二调节块，第二调节块的顶部设置有第四斜面，第二斜面和第四斜面相对匹配设置；驱动机构，用于驱动第一调节块和第二调节块，使第一调节块和第二调节块在安装板上横向移动，驱动升降托的纵向移动以改变顶针的高度。为顶针高度的调整提供了更为便利的调节方案，避免了因多个顶针形成的支撑面不平导致衬底颗粒、以及在机械手传片时衬底位置变化甚至滑片等问题。
-
公开(公告)号：CN109321897A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710638808.6
申请日：2017-07-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种原子层沉积系统，具有反应腔室，与反应腔室相连接的前驱体传输管路，第一惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室传输惰性气体，以维持反应腔室压力平稳；第二惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室输送惰性气体，对反应腔室内进行吹扫，以及与反应腔室连接的真空管路和真空泵，用于抽出反应腔室内多余的气体，从而避免了复杂的气体清洁过程，减少了前驱体反应源的浪费；同时，确保了反应腔室的压强和气流场的稳定，避免气路扰动引起的杂质，从而获得致密性好、杂质含量低的薄膜。
-
公开(公告)号：CN109321894A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710636974.2
申请日：2017-07-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种增强清洗效果的沉积系统及方法，沉积系统包括：反应腔室，内设有基座，基座上方设有喷淋头，喷淋头周围通过绝缘环与腔室上盖相连，喷淋头上方覆盖有绝缘板，基座周围设有约束环，约束环以内、喷淋头和基座之间空间区域为反应区域，约束环和腔室内壁之间空间区域为非反应区域；初级清扫通道，用于对反应区域通入清扫气体进行清扫；次级清扫通道，用于对非反应区域通入清扫气体进行清扫。本发明能够增加对非反应区域的清扫程度，减少副反应生成物在非反应区域壁上的沉积，并阻挡微粒在腔室上盖与绝缘环之间的间隙内积累形成微粒源，从而能保证工艺性能的稳定性，提高等离子体源对死区的清洗效果。
-
公开(公告)号：CN108807127A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810555365.9
申请日：2018-06-01
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开提供了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备，上电极组件包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，所述进气结构包括：绝缘组件，置于所述上电极板上；进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离。
-
公开(公告)号：CN111074238B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811215894.0
申请日：2018-10-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置，用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节，其包括调平工装，调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部；其中，水平安装部的下表面用于与腔室的上表面贴合，竖直安装部的下表面与支撑件的安装面贴合，以使得基座与腔室的平行度满足预设要求，竖直连接部贯穿于腔室的安装孔中，竖直连接部的外周壁与安装孔的内周壁相配合，使得基座与腔室的同轴度满足预设要求。采用调平工装对基座与腔室进行调平、调对中，可以极大简化基座调平调对中的工艺，并且还能够极大地提高基座的安装精度，从而可以有效保证成膜均匀性，提高工艺良率。
-
公开(公告)号：CN111304629B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201811511088.8
申请日：2018-12-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部。即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷，提高器件的质量及产品良率。
-
公开(公告)号：CN112593208B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202011340051.0
申请日：2020-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室内包括工艺区及传片区；进气装置设置于工艺腔室的顶部，用于向工艺区内通入工艺气体；承载装置包括有基座及导流结构，基座可升降的设置于传片区内，用于承载待加工件；导流结构设置于基座内，与一供气源连接，用于在基座位于工艺位置时，沿基座的周向吹出气体，在基座外周与工艺腔室内壁之间形成气墙，以隔绝工艺气体进入传片区；工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构，当基座位于工艺位置时，导流结构与排气结构相对，排气结构用于排出导流结构吹出的气体。本申请实施例实现了工艺区与传片区之间完全隔离，从而大幅缩短工艺腔室吹扫时间以提高半导体工艺设备的产能。
-
公开(公告)号：CN109321897B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201710638808.6
申请日：2017-07-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种原子层沉积系统，具有反应腔室，与反应腔室相连接的前驱体传输管路，第一惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室传输惰性气体，以维持反应腔室压力平稳；第二惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室输送惰性气体，对反应腔室内进行吹扫，以及与反应腔室连接的真空管路和真空泵，用于抽出反应腔室内多余的气体，从而避免了复杂的气体清洁过程，减少了前驱体反应源的浪费；同时，确保了反应腔室的压强和气流场的稳定，避免气路扰动引起的杂质，从而获得致密性好、杂质含量低的薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
87 条记录 (耗时 0.038 秒)
